氮化镓|以色列VisIC公司宣布推出9 KW GaN半桥板，可用于混合动力和电动汽车

位于以色列的 GaN 功率半导体公司 VisIC Technologies 宣布推出一款新的水冷半桥评估板，以展示使用其 GaN 全开关（高级低损耗开关）可实现的性能。

V22N65A-HBEVB 评估平台可以在任何半桥拓扑中运行，并且仅使用单个 V22N65A 晶体管在高达 9kW 的降压和升压拓扑中进行测试。这是市场上首款基于 GaN 的解决方案，可提供高达 9kW 的功率，无需并联，使其成为混合动力和电动汽车中高密度车载充电器（ OBC ）的理想选择。

V22N65A 全开关 SMD 分立式顶部冷却器件具有超低导通和开关损耗以及先进的隔离封装设计，可实现每个 GaN 器件的最大性能和功耗。

低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压（ 5V ）相结合，使设计人员能够在多 kW 范围内的高功率应用中安全地使用 VisIC GaN 开关。

V22N65A-HBEVB 评估平台包括：使用 22mOhm GaN 全开关的半桥功率级 ; 来自 Silicon Labs 的隔离半桥驱动器（ Si82394 ） ; Murata 的两个隔离辅助电源（ NXE251212MC ） ; 死区时间控制从 75ns 到 200ns 。