位于以色列的
GaN
功率半导体公司
VisIC Technologies
宣布推出一款新的水冷半桥评估板，以展示使用其
GaN
全开关（高级低损耗开关）可实现的性能。
V22N65A-HBEVB
评估平台可以在任何半桥拓扑中运行，并且仅使用单个
V22N65A
晶体管在高达
9kW
的降压和升压拓扑中进行测试。这是市场上首款基于
GaN
的解决方案，可提供高达
9kW
的功率，无需并联，使其成为混合动力和电动汽车中高密度车载充电器（
OBC
）的理想选择。
V22N65A
全开关
SMD
分立式顶部冷却器件具有超低导通和开关损耗以及先进的隔离封装设计，可实现每个
GaN
器件的最大性能和功耗。
低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压（
5V
）相结合，使设计人员能够在多
kW
范围内的高功率应用中安全地使用
VisIC GaN
开关。
V22N65A-HBEVB
评估平台包括：使用
22mOhm GaN
全开关的半桥功率级
;
来自
Silicon Labs
的隔离半桥驱动器（
Si82394
）
; Murata
的两个隔离辅助电源（
NXE251212MC
）
;
死区时间控制从
75ns
到
200ns
。
出自：
大国重器
