1.高盛:DRAM涨势将趋冷明年转跌；
2.东芝警告西部数据：芯片部门照卖 别多管闲事；
3.LPDDR4X成2017年移动式内存的供货主流；
4.美光推出SolidScale平台架构 预计2018年初量产；
5.SD 6.0 A2规范出炉 随机存取效能大升级；
6.三大关键因素 造成东芝短短10年内由盛而衰
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1.高盛:DRAM涨势将趋冷明年转跌；
集微网消息，据外电报道，高盛判断，DRAM价格涨势可能在未来几季降温， 2018年价格也许会转跌，决定调降内存大厂美光评等。
巴伦周刊8日报导，高盛的Mark Delaney报告表示，过去四个季度以来，DRAM毛利不断提高。 过往经验显示，DRAM荣景通常持续四到九季，此一趋势代表DRAM多头循环已经来到中后段。 业界整合使得本次价格高点，比以往更高。
Delaney强调，和DRAM业界人士谈话发现，DRAM现货价的成长动能放缓，价格似乎触顶或略为下滑。 NAND情况较不严重；产业人士表示，NAND价格走升，供给缓慢提高，当前较易取得货源。 Delaney并称，DRAM投资大增，未来价格压力将加剧。 过去两季，DRAM资本设备支出大增46%。
尽管Delaney担忧DRAM利润的上行空间有限，但是他未全盘看坏美光，指称该公司研发64层3D NAND等，为正面发展。
8日高盛报告发布后，美光股价一度下跌2.5%，之后跌幅缩小至0.50%、收在28.06美元。 今年迄今美光大涨28.01%。
三星电子的南韩华城厂，即将扩产的传闻延烧许久。 最新消息显示，三星决定投资3兆韩圜(约26.4亿美元)提升DRAM产能。 不过由于未来11线不再生产DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击DRAM供给。
韩媒etnews 2日报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10nm等级的DRAM。 三星已告知设备厂扩产计划，并在三月份向部分供应商下单，估计投资金额约为2.5兆~3兆韩圜，完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。
2.东芝警告西部数据：芯片部门照卖 别多管闲事；
新浪科技讯 北京时间5月9日晚间消息，东芝公司今日警告西部数据，不要干涉其出售芯片业务部门。
为了摆脱资金短缺问题，东芝目前正在出售其芯片业务部门，但此举遭到了芯片合资公司伙伴西部数据的反对。
西部数据在致东芝的信件中称，如果东芝出售芯片业务，将违反两家公司之间的合约。东芝应率先与西部数据进行排他性谈判。此外，西部数据还表示，当前的竞购方并不适合接管东芝芯片业务。
近日，东芝在答复西部数据的信件中称，西部数据的行为已经构成了故意干涉东芝的潜在经济优势及两家公司之间的合约，这是不正当行为，必须立即停止。否则，东芝将采取一切可用手段。
此外，东芝还在另一份信件中还称，西部数据未签署一些合资公司协议。如果5月15日前仍未签署，则西部数据员工将被禁止进入合资公司。（李明）
3.LPDDR4X成2017年移动式内存的供货主流；
集微网消息，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，为优化智能手机的操作系统流畅度，厂商不断升级行动式内存版本。在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的纳米制程转进及智能手机主流AP（应用处理器）的搭载需求下，LPDDR4X的产出比重持续增加，出货数量在第二季开始将超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同价趋势，两者和LPDDR3的价差都小于5%，也加速LPDDR4系列（含LPDDR4X）的导入速度，预估全年度LPDDR4系列将达到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成为2017年行动式内存的搭载主流。
DRAMeXchange表示，在移动终端及消费性电子产品蓬勃发展下，移动式内存已不单应用在智能手机上，也普遍用于超薄笔记本电脑（Ultra Book）、物联网相关的穿戴式装置、高画质电视、电动车等，而就总需求数量来看，仍以智能手机的应用为大宗。
DRAMeXchange指出，LPDDR4较LPDDR3在运行效能上虽有所提升，但耗电问题（Power Consumption）仍属各大品牌商最急于改善的项目。因此，三大行动式内存供货商如三星、SK海力士、美光集团都陆续于2016下半年推出改善耗电表现的LPDDR4X以因应市场需求。根据各供货商提供的比较数据来看，LPDDR4X和LPPDDR3相比，在单体上约有40%~50%省电表现，较LPDDR4也有10%~20%的表现。
基本上，LPDDR4和LPDDR4X在制程上相同，仅在封装上的Power Pin（电源引脚）设计及测试规格上略有出入。简言之，LPDDR4X可视为LPDDR4加严检验的省电优化版本。另外，和行动式内存息息相关的AP方面，在2017年的产品规划上也清一色的以LPDDR4X为中高端的搭配主流，如高通的骁龙835、骁龙660，联发科的P20、P30。
从制程技术及供应时程的角度来看，三星以领头羊之姿率先于2016年第四季推出18纳米制程的LPDDR4X，而SK海力士也随后推出21纳米制程的产品。两家在初期都先以分离式（Discrete）大容量的4GB、6GB为主，锁定高端旗舰机型，而今年第二季搭载LPDDR4X的eMCP才会推出。美光集团则于2017年第一季跟进，推出20纳米的分离式LPDDR4X，也规划第二季推出对应的eMCP。
4.美光推出SolidScale平台架构 预计2018年初量产；
美光4日宣布，推出SolidScale平台架构，能够经由突破性的低延迟、高效能方式进行运算和储存，专为数据密集型工作负载和下一代云端原生应用程序而设计，同时也支持传统的应用，目前已可提供重要的客户和合作伙伴进行测试，根据客户的验证和测试，预计SolidScale平台将在2018年年初开始量产。
美光指出，SolidScale架构为客户提供在今后企业营运上，能够灵活的部署次世代云端原生应用程序，同时又能支持目前的传统应用程序；从线上交易处理、到虚拟平台和分析甚至机器学习，这项创新架构不仅经由其极高的传输率加快数据发送，还凭借着前所未有的低延迟进而缩短产出结果的时间。
美光储存事业部副总裁Darren Thomas表示，估计现今公司所采用并部署在应用程序服务器上的NVMe SSD，其每秒读写次数（IOPS）和容量的平均使用率都小于50％，新发表的SolidScale架构，应用程序服务器可共享容量，并释放客户已经付费的容量，以达到事半功倍并充分发挥快闪存储器的实际效能。
根据估计，全球创造的数位数据到2025年将达到每年总计163皆位元组，随着企业规模横向扩大为数据中心，企业需要在一种弹性的架构下，让数据发挥更大潜力的方法，以便和不断成长的储存和运算需求整合。
美光指出，单是替换旧的储存设备，却缺少先进的介面、协定和网路，只会将瓶颈转移到系统内的其他地方，美光在NVMe over fabric基础架构的平台上，将快闪存储器与PCIe NVMe结合，性能就像以服务器为基础的储存设备一样，并能够以接近线性效能速率进行扩展。
美光表示，这个设计目的在释放NVMe SSD的潜力，并使NVMe SSD成为主流，SolidScale平台可让公司建立一个横向扩展的储存基础架构，提供集中式单一储存槽的所有优势，及本机服务器内建SSD效能。
美光进一步说明，SolidScale平台利用融合乙太网路的高速远端直接存储器存取（high－speed RDMA over Converged Ethernet，RoCE）架构与低延迟软体连接多个节点，打造出一套精心设计的数据服务，提供一个类似本机直接附加储存的融合式基础设施。
美光强调，SolidScale一开始是为Linux环境开发，日后的版本将延伸到其他软体定义的储存（SDS）应用程序，SolidScale是一个双重用途的设计，为客户提供一个可扩展的高效能区块储存SDS架构；SolidScale专为最严苛的工作负载应用而设计，包括大数据和分析、数据库加速和高效能运算等，也可以作为下一代数据中心的NVMe跨结构基础架构，形成多方面档案系统的骨干。
美光指出，SolidScale架构目前已可提供重要的客户和合作伙伴，以其现有的数据中心环境测试自己的应用工作负载。根据客户就此一架构的验证和测试，预计SolidScale平台将在2018年年初开始量产。 钜亨网
5.SD 6.0 A2规范出炉 随机存取效能大升级
记忆卡标准组织Secure Digital Association(SDA)日前发布新的SD 6.0 App Performance Class 2(A2)规范，大幅提升SD记忆卡的随机存取效率。 据了解，SD 6.0 A2特别强化随机存取性能，主因是为了提升手机App的使用体验，因为App内含许多小型的文本文件，故随机存取性能的好坏，对用户体验的影响远比总带宽提升来得更明显。 因此，SDA于2月底所发表的SD 6.0规范，特别针对随机存取性能进行改善，以便让用户在存取App的文字等小型档案时变得更加快速。
SD 6.0规范将UHS-III SD记忆卡接口带宽从UHS-II的312Mbit/s倍增至624Mbit/s，而为了进一步提升SD记忆卡的随机存取性能，SDA在SD 6.0中还纳入了A2。 对此，SDA市场营销委员会应用工作组副主席吕国鼎表示，SD 6.0 A2主要针对的应用会是手机App。 由于现今手机的程序越做越大，使得手机内存存取的效能变得相当重要，因此A2主要是因应手机App需求所定义的规范。 A2的随机读取性能为4,000 IOPS、随机写入是2,000 IOPS，连续档案写入速度为10MByte/s。
吕国鼎进一步表示，SD 6.0 A2的推出，对Android手机来说是一大福音，因为iPhone不支持外接SD卡，只有Android手机支持。 Android目前透过Marshmallow版本，将外接的记忆卡转成内部的储存空间，让App可以直接储存在卡片上，因此消费者不用花大钱购买高容量的手机，只要购买大容量的记忆卡进行扩充即可。
吕国鼎分析，一般手机在录像、照相的时候，档案是属于连续存取，因此是比较大的，其所需要的是连续读写速度。 不过，若手机是在使用LINE通讯软件、简讯等功能时，其接收与传送的档案是文本文件，也就是小档案，这样的小档案在传输时效率要好，所需的即是要随机存取(Random Access)，因其存取的行为是很随机的，而随机的效率若是不好的话，用户在读取LINE通讯软件时，就会感觉不够顺畅，因此SD6.0将大幅改善随机存取的效率。
吕国鼎指出，若消费者没有选到正确的卡片来进行扩充，会发生很多问题，因此消费者在购买时，挑选符合A1、A2规格的卡片来进行扩充是很重要的。 A1为SD5.1规范，新一代的A2则是SD6.0规范，A2的随机访问速度提升了3倍，而要达到这样的提升，指令序列(Command Queue)的机制是十分关键的。
现行的方式是由设备来传送指令给卡片，完成后，则再传送下一个指令，以及第三个指令，这样的方式是比较慢的。 新的Command Queue将所有的指令一次做传送，让设备卡片自行决定要如何处理指令，且处理方式也可以根据需求做定义，透过这样的新机制，可让卡片的效能，尤其是随机的部分有所提升。
此外，即便A2规格的提高，势必将增加芯片设计的困难度，不过在高容量与高速需求趋使下，使得SD6.0着实成为提高行动市场灵活性的关键。 群联产品经理陈勇全表示，虽然SD6.0规格才刚推出，群联目前已规画将推出SD6.0的相关产品。 新电子
6.三大关键因素 造成东芝短短10年内由盛而衰
日本科技巨擘东芝(Toshiba)在2017年4月发布公司生存蒙受风险的警讯。表面上，东芝是受到美国子公司西屋(Westinghouse)的购并亏损拖累；但其实该公司早从20多年前就开始走下坡，后来在2007~2017年发生三项因素，是造成东芝面临存亡危机的关键。
据美国新闻网站Qz.com报导，曾是日本之光的东芝，其历史可回溯至1870年代。该公司曾是全球主要的创新者，例如其前身东京电器在1921年发明双丝灯泡，进入20世纪中叶后，东芝持续改进录影机、电视机和冷气机的制造技术，甚至还推出邮件分类处理机。
东芝在1980~1990年代成为叱咤全球的科技巨擘。当时日本政府为了扶植能将产品出口至海外的科技公司，对业者提供低利率贷款和补贴，并对市场竞争设限。
东芝在1985年推出第一款针对大众市场设计的笔记型电脑(NB)T1100，让该公司攀上巅峰。尽管后来东芝和其他制造商推出无数款笔记型电脑，但T1100是全球第一部IBM相容NB，能和当时的主流桌上型PC相容，因此极为畅销。
东芝在1980年代也跃升为全球半导体先驱。该公司发明的NAND Flash，是数位相机、MP3数位音讯播放器、智能手机、USB随身碟等几乎所有现代电子产品的必要硬件零件。
东芝在1990~2000年代成为全球的主要高端NB品牌，到2007年时，全美零售通路卖出的电脑有17.8%是东芝产品。
不过此后10年间，低价电脑崛起、财报造假丑闻和子公司购并案亏损等三项关键因素，让东芝耗费数十年建立的科技先驱招牌蒙尘。
网络自2000年代初期开始风靡全球，越来越多普罗大众希望拥有自己的电脑。宏碁、华硕等台湾电脑代工厂看到低阶电脑的庞大商机，开始发展自有品牌。后来大陆的联想和其他白牌电脑制造商也加入战局，以更低价的产品抢市。
东芝、Sony等日系品牌电脑曾让全球的消费者趋之若鹜。但如今，不论是NB、桌上型电脑(DT)、甚至其他消费性电子商品，在消费者心中都已变成和微波炉、洗衣机等一样普通的电子装置，因此消费者会选择性价比高的产品，而非有尊贵感的品牌。
东芝的电脑和家电市占率节节败退，再加上2008年金融海啸席卷全球，导致公司营收严重衰退。根据该公司下修后的财报显示，其PC部门的营收在2007~2015年萎缩80%，亏损裂口越来越深。
雪上加霜的是，东芝在2015年爆发财报长年做假的丑闻，营运获利灌水总额高达12亿美元。为了安抚愤怒的股东，时任社长的田中久雄请辞下台。
这起丑闻虽未直接造成东芝垮台，却显示公司存在比财报造假更严重的问题：管理干部不敢向上级报告坏消息，而领导阶层也不希望直接听到噩耗，此种企业文化逐渐扼杀东芝的创新能力。
东芝2006年买下美国的核反应炉制造商西屋公司。在此之前，东芝从未跨足核电领域；不过此购并案完成当时，核电产业正蓄势待发，美国政府对业者提供多项奖励，日本、越南和印度也都计划提高核电比重。
不过311地震引发福岛核灾，导致情势逆转。日本的核反应炉在灾后几乎全数关闭，其他国家也不愿进一步投资核电。福岛核灾引发的骨牌效应严重冲击东芝的核电部门。为西屋代工打造核反应炉的美国Chicago Bridge & Iron公司将旗下核子工程部门卖给西屋，希望就此退出一再延宕、费用不断追加的代工计划。不过后来西屋发现，代工计划中的核反应炉造价高于预期，导致债台高筑的西屋在2017年3月宣告破产。
受到西屋亏损影响，东芝将核电业务减损63亿美元，远超越其当初购并西屋的50亿美元价格。为了避免负债高于资产，东芝计划出售唯一的金鸡母──NAND Flash部门。该公司若未能在2017年5月15日前找到买主，可能会被迫下市。DIGITIMES
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