为深入贯彻落实党的十九大精神，助力推进我国新材料产业健康快速发展，由中国材料研究学会与国家新材料产业发展专家咨询委员会共同主办“2018中国新材料产业发展大会”。
大会主题为：创新、发展、应用
，旨在服务国家新材料发展战略，服务新材料特色产业，服务新材料创新创业。2018中国新材料产业发展大会拟定于2018年12月19 -22日在南京国际展览中心举行。大会邀请国家发展改革委员会、科学技术部、中国科学技术协会、中国工程院、中国科学院、国家自然科学基金委员会等政府部门作为支持单位。
受大会组委会委托，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半
导体照明工程研发及产业联盟共同举办半导体材料论坛。欢迎相关单位及组织参会。
主办单位：
中国材料研究学会
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
协办单位：
深圳第三代半导体研究院
北京国联万众半导体科技有限公司
分论坛主席：
屠海令 吴玲
秘书长：
于坤山
会议召集人：
沈波、闫春辉、徐现刚、盛况
分论坛内容安排：
1、碳化硅
技术及应用（12月
20日下午）
2
、氮化镓技术与应用（12月21日下午）
会议地点：
南京国际展览中心一层爱丽丝厅
|
碳化硅技术及应用分会
2018年12月20日，星期四
地点：南京国际展览中心一层爱丽丝
|
|
主持人：
徐现刚 山东大学教授
盛 况 浙江大学特聘教授
|
|
13:30-13:40
|
主持人介绍会议背景及与会人员
|
|
13:40-14:10
|
SiC单晶研究进展
陈秀芳 山东大学教授
|
|
14:10-14:40
|
SiC功率MOSFET技术发展趋势分析
汤晓燕 西安电子科技大学微电子学院教授
|
|
14:40-15:10
|
宽禁带半导体SiC器件研究进展
张 峰 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员
|
|
15:10-15:30
|
茶歇
|
|
15:30-16:00
|
新型碳化硅电力电子器件探索研究
郭 清 浙江大学副教授、求是青年学者
|
|
16:00-16:30
|
SiC GTO脉冲功率开关研究进展
李俊焘 中物院微系统与太赫兹研究中心固态高压微系统技术研究室牵头副主任
|
|
16:30-17:00
|
SiC-MOSFET功率模块在感应加热电源上的应用技术
李南坤 上海巴玛克电气技术有限公司副总经理
|
|
17:00-17:30
|
电网用高压大功率SiC器件研究进展
杨 霏 国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任
|
|
氮化镓技术及应用分会
2018年12月21日，星期五
地点：南京国际展览中心一层爱丽丝
|
|
主持人：
沈 波 北京大学教授
闫春辉 深圳第三代半导体研究院首席科学家
|
|
13:30-13:35
|
主持人介绍会议背景及与会人员
|
|
13:35-14:00
|
GaN技术现状及其发展趋势
郑有炓 中国科学院院士、南京大学教授
|
|
14:00-14:25
|
宽禁带半导体电子材料和器件研究进展与展望
郝 跃 中国科学院院士、西安电子科技大学教授
|
|
14:25-14:50
|
氮化镓晶体生长与应用
徐 科 中国科学院苏州纳米所研究员
|
|
14:50-15:15
|
硅基氮化镓横向功率电子技术的近期发展
陈 敬 香港科技大学教授
|
|
15:15-15:30
|
茶歇
|
|
15:30-15:55
|
全光谱LED和激光VCSEL研究进展及产业趋势
肖志国 路明科技集团董事长兼首席科学家，教授级高工
|
|
15:55-16:20
|
氮化镓功率电子器件技术与应用
张乃千 苏州能讯高能半导体有限公司总裁
|
|
16:20-16:45
|
GaN/AlN外延技术与应用的研究现状与进展
郭世平 中微半导体设备（上海）有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理
|
|
16:45-17:10
|
GaN毫米波/亚毫米波功率放大器的研制进展
吴少兵 中国电子科技集团公司第五十五研究所高级工程师
|
|
17:10-17:35
|
新型半导体辐射探测材料制备技术与应用探索
介万奇 西北工业大学材料学院教授
|
注册费标准：
普通代表：1800元/人
学生代表：800元/人
财务咨询姓名：
王老师、李老师
电话：13141248851、15932368546
（工作时间：周一至周五 8:30~17:00）
邮箱：[email protected]、[email protected]
大会网址：
http://camidc2018.c-mrs.org.cn/
