中国偷韩国半导体技术？看看三星的代工良率再说

底线思维 · 公众号 · 政治 · 2024-11-04 11:29

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常洛闻

观察者网专栏作者

近期，中国外交部证实一名50多岁韩国侨民A先生，于去年年底因间谍嫌疑在中国被捕。

根据媒体信息，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体公司工作，与妻子和两个女儿一起生活。其曾就职于三星电子半导体部门担任离子注入技术员20余年，2016年移居中国，并加入中国最大的存储器制造商长鑫存储（CXMT），随后他离开长鑫存储，又在另外2家中国半导体公司任职。

2023年12月18日，合肥市国家安全局的调查人员以间谍罪名逮捕了A先生，并在当地一家酒店隔离审讯了5个多月，随后于2024年5月被检察机关移送拘留，预计于2024年11月正式受审。合肥市国家安全局怀疑，A某在长鑫存储工作期间，曾向韩国泄露长鑫存储的半导体相关资讯，A某则坚称自己在中国没有接触过任何核心半导体技术。

中国新修订的《反间谍法》于2023年7月生效，新法将间谍行为的范围从“窃取国家机密和资讯”扩大到包括转移任何与“国家安全和利益”有关的文件、资料、材料和物品，即使它们不属于国家机密范畴。

如果A某在后续审判中被判入狱，他将成为第一个因为违反中国新修《反间谍法》受到处罚的韩国人。过去在中国间谍相关犯罪的审判通常需要数年时间，具体的刑期达到3-10年或更长。

在韩国韩联社等媒体，以及韩国大学、研究机构对外媒的采访中，都称长鑫存储的技术落后于三星半导体，所以向三星泄露长鑫相关的商业机密不太可能。而A先生的被捕，与韩国检方在今年1月遭起诉的前三星电子部长金某的事件相似，当时金某涉嫌将三星电子内存技术泄露给长鑫而被逮捕。

类似的案件还有2023年12月，韩国检察院以涉嫌违反韩国《防止和保护工业技术泄露法》，将2两名从中国返回韩国的前三星电子韩籍员工逮捕，指控他们涉嫌向中国厂商泄露了三星16nm DRAM技术机密。另一起案件当中，三星和SK海力士前高管亦遭指控，涉嫌利用窃取的三星DRAM技术在中国建厂而被捕。

今年10月初，韩国政府还推出了最新一揽子措施，以追查和惩罚向外国厂商泄漏关键技术的行为，其中已有10起与中国有关。暗指中国的反间谍案是对韩国追随美国，配合美国技术封锁的报复行为。

三星半导体业务难以为继

是不是报复，很难定论。但美国对中国的技术封锁效果如何，韩国企业是否从中获益，路是越走越宽，还是越来越只能“一条路走到黑”，却有比较客观的数据可以观察。

三星电子2024年第三季度财报显示，期内实现营收79.10万亿韩元，同比增长17%、环比增长7%；经营利润9.18万亿韩元，同比增长278%、环比减少12%；净利润10.10万亿韩元，同比增长73%、环比增长3%。

三星主要业务营业利润表现

继上半年大起大落，疫情期间积累的压力并没有快速消融之外，三星本身的经营似乎也遇到了前所未有的结构性问题。从旗下具体业务看，三星半导体业务经营利润出现了较大程度环比下滑，由于公司其他业务在当季度的环比盈利增速均低于1%，由此拖累了公司整体利润表现。

相比之下，同被称为“韩国双雄”的另一家存储巨头SK海力士，则一路高歌猛进。第三季度，SK海力士实现营收17.57万亿韩元，同比增长94%、环比增长7%；经营利润7.03万亿韩元，同比大幅扭亏（上年同期为亏损1.792万亿韩元）、环比增长29%。

两家公司整体收入有较大差异，源于三星还有其他如显示、手机等多元业务支撑，半导体业务承压已经无法掩盖。而SK海力士得以快速成长，甚至在头部存储厂商中率先得以实现扭亏，背后是面向AI时代的技术准备和验证速度快于同业。三星显然看到了半导体业务正面临竞争压力，近期更换了业务主管，也在积极推进向英伟达的HBM验证工作。

展望第四季度，三星称将密切监测需求趋势，例如关注地缘政治和刺激计划等因素。加速改善业务基本面，推动旧生产线向更高节点迁移，以此增强盈利能力，并加速推动库存水平和产品组合的正常化；同时扩大HBM的产能以推进销售增长，并加速向基于32Gb DDR5的高密度服务器需求的1b纳米过渡。

三星存储业务盈利能力下滑，难免让人联想到前不久摩根士丹利率先喊出“存储寒冬将至”的预测。这种“狼来了”虽然有些悲观，但确实有“狼”要来吃掉现有芯片巨头的利润。

“跟车”美国太紧，三星的方向盘不好握

目前全球芯片市场的份额超过一半被美国企业占据，但美国公司芯片制造产能却只占比10%左右。这中间的巨大鸿沟是靠台积电代工来填平，比如苹果、高通、AMD、英伟达的先进芯片，全部由台积电制造，连intel的大多数芯片都外包给台积电制造。

现任拜登政府“重振芯片”的思路，和特朗普的“让美国再次伟大”逻辑上没有本质区别，拿出530亿美元，吸引全球的芯片企业到美国来建厂制造芯片，以提高美国的芯片产能，解决美国芯片空心化的问题，其中对韩国三星、台湾省的台积电甚至不惜威逼利诱，将“友岸外包”变成了一条缰绳。美国国内的美光等也积极响应，拜登政府的530多亿美元中有300多亿美元发给了10多家企业，还提供了200多亿美元的税收补贴及无息（低息）贷款等给上下游公司。

可是随着拜登不再谋求连任，民主党和共和党在选战中也拉不开实质差距，这让在美国投入重金的外国芯片企业非常难受——特朗普曾经不止一次表示芯片法案糟糕透了，拜登是在利用纳税人的钱，向富裕的企业提供数百亿美元的补贴，这种做法吸引不到优秀的企业。特朗普认为，应该“取消”《芯片和科学法案》，增加关税，迫使芯片企业到美国来建厂，而不是把纳税人的钱，发给这些企业。而且应该收回已经发出的补贴和贷款，让企业真正回到“自由市场”中去公平竞争。

三星作为拜登政府政策的得益者，现在就有“跟车太贴”的忧虑。2021年11月，三星曾经高调宣布，在得克萨斯州泰勒投资170亿美元，建立一座先进晶圆工厂，这一工厂得到了拜登政府64亿美元的注资承诺，本计划2024年年底投产，但目前已经推迟至2026年“具备运行能力”。

泰勒工厂计划受阻的原因，是2nm良品率存在严重问题，三星半导体9月份已决定从泰勒工厂撤出人员，这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。

三星对于美国泰勒工厂的最初设想，是4nm以下先进工艺的大规模生产中心，目的是靠近主要的美国客户，为他们提供本地化的制造服务。然而，尽管工艺开发迅速，但三星仍面临2nm良率的挑战，与其主要竞争对手台积电相比，不仅性能较低且量产能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低于50%，尤其是3nm以下的工艺，而台积电的3nm工艺良率约为60-70%。这种良率差距，将两家公司之间的市场份额差距扩大到50.8个百分点，台积电在第二季度占据了62.3%的全球代工市场，而三星仅为11.5%。

报道称，为了解决良率问题，三星董事长李在镕亲自拜访了ASML和Zeiss等主要设备供应商，努力寻找工艺和良率改进的突破口。尽管做出了这些努力，但并未取得重大成就，而且将人员重新部署到泰勒工厂的时间仍不确定。

相比之下，台积电位于美国亚利桑那州的第一座晶圆厂，在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。

而拜登政府的投资承诺，法律上是由美国商务部出面，与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供总额64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。

作为协议的一部分，三星承诺未来几年将在美国德克萨斯州投资金额，由原来的170亿美元提升至超过400亿美元，拟议的投资将把三星在德克萨斯州的现有业务转变为一个全面的生态系统，用于在美国开发和生产尖端芯片，包括两个新的领先逻辑晶圆厂、一个研发工厂和一个位于泰勒市的先进封装工厂，以及扩建他们现有的奥斯汀工厂，预计将支持创造超过20,000个就业机会。

现在生产方面出现严重迟滞，大选又将给《芯片和科学法案》是否存续带来巨大不确定性，64亿的承诺恐怕大概率难以全部落实，面对国内SK海力士的奋起直追，中国同行的步步紧逼，三星半导体目前似乎也没有别的办法，只有劝自己“开弓没有回头箭”，继续在美国加大下注力度。