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美媒称，中国新设了一只价值2041.5亿元人民币（约合289亿美元）的国家半导体基金。中国正寻求培育本土芯片产业，并缩小与美国的技术差距。据美国《华尔街日报》网站10月25日报道，根据企业注册信息，这只政府支持的基金是22日成立的，规模比2014年发起的一只类似基金大，那只基金筹集了约1390亿元人民币。
报道称，这只新基金是中国决心降低对美国技术依赖的最新迹象。
报道称，在半导体领域，中国仍面临通往全球主导地位的漫长道路。
报道还称，2014年的基金向数十个项目投入了数以十亿计的美元。其中之一是长江存储科技有限责任公司。该公司9月时说，它已开始量产一种名为64层3D NAND闪存的高级存储芯片。
报道称，虽然这家公司正迅速追赶，但它仍落后于韩国的
三星
电子等已经在生产更先进芯片的行业领军者。
总的来说，分析人士认为，中国在半导体技术的关键领域仍落后
英特尔
、三星等行业领先对手。
报道称，除了芯片，中国自给自足努力的另一个主要瓶颈是芯片制造设备，中国在该领域不占主导地位。领先的公司包括美国的应用材料公司和泛林集团、荷兰的阿斯麦控股公司和日本的东京电子公司。
报道指出，中国海关数据显示，中国在2018年进口了价值3121亿美元的半导体产品，超过了2403亿美元的原油进口额。
从国内官方政策面来看，10月上旬工信部宣布积极部署新材料及新一代产品技术的研发，藉此推动工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模组产业的发展。
同时工信部也将启动2期国家集成电路大基金，进一步推动国内外半导体资源整合与重组；
2期大基金不同于1期著重于集成电路设计及製造环节，会重点部署半导体设备、材料、应用端，规划以扶持行业龙头、发展园区聚集资金、补助中国产业链等方式来进行，此皆宣示中国将持续以政策支持半导体业的发展。
从中国半导体企业发展的角度来看，科技红利之有效研发投入，才是建立独立自主核心技术体系的有效手段，即持续高效率的研发投入是科技企业成长的真正内在动力。
中国半导体业者除在封测方面投入先进封装技术产能的扩充，特别是Bumping、WLCSP等，为即将到来的5G通讯和物联网发展商机提前布局，以及晶圆代工方面力求2019年底前进行14纳米FinFET量产计划，同时12纳米制程开发进入客户导入阶段。
