1.高通服务器技术副总裁离职;
在移动领域呼风唤雨的高通早在2014年底就宣布要进军服务器市场，打造基于ARM架构的服务器芯片，为此专门成立了高通数据中心事业部(QDT)，并在两年后首次演示了首款48核心服务器芯片，2017年底正式发布了Centriq 2400系列。
但大半年过去了，高通的服务器之路却非常坎坷，几乎没有什么客户采纳其方案，QDT总裁Anand Chandrasekher在今年5月份离职，此后部门精简，裁员达280人。
现在，QDT的技术副总裁Dileep Bhandarkar也走人了，他可是高通Falkor ARM服务器架构设计的灵魂人物。
Bhandarkar本人和高通对于离职都没有做任何公开声明，人们也只是在近日的SemiCon West 2018半导体展会上，听到他说起“前高通”才发现端倪。
Bhandarkar的履历非常显赫，曾在Intel主管高级架构设计长达12年，直到2007年离职，又在微软花了6年推动数据中心创新与标准，此后进入高通带领进军服务器，同时它还是IEEE标准协会的终身院士。
高通Centriq处理器架构图
这样一来，高通的服务器之路就越发看不到前景了，不过高通的一位发言人对上述报道回应称，高通仍然致力于数据中心业务，不会放弃，只是缩减了投资，同时会继续推动与中国的联合投资。
2016年1月，高通和贵州省人民政府合资组建“贵州华芯通半导体技术有限公司”(HXT)，专为中国市场设计和开发服务器专用芯片，双方分别持股45％、55％，被视为高通“技术换取市场”的重要一步。
华芯通自主研发的第一款服务器芯片“华芯1号”已于2017年年底试产流片成功，并将在今年下半年投入商用。快科技
2.Yole：内存产业2018年成长动能不绝;
半导体产业在2017年取得了创纪录的业绩，产业规模一举突破4000亿美元。 半导体设备的整体需求全年都很强劲，这得益于所有应用中电子组件的日益普及，尤其是行动和数据中心市场。 2017年的半导体成长由储存组件带动，营收达到1260亿美元，较2016年同期成长了60%以上。 产业研究机构Yole Développement(Yole)预测，2018年储存市场将达到1770亿美元成长40%。
DRAM和NAND市场全年处于供不应求的状态，导致价格上涨，创纪录的营收和储存供货商的获利能力。 在行动和数据中心/SSD的带动下，需求非常强劲，并且包括人工智能、物联网和汽车在内的新兴成长驱动因素。 由于产能扩充落后需求成长，导致DRAM与NAND长期供不应求。
人工智能和机器学习移动性和连接性的趋势对DRAM和NAND市场都有利，并且可能导致内存继续增加其在整个半导体市场中的比重。 DRAM市场不断发展变化。 Yole认为未来五年的内存位需求年复合成长率为22%。
NAND需求依然强劲，数据中心的企业级SSD成长强劲，笔记本电脑中固态硬盘的使用率不断提高，以及智能手机和其他行动装置的内容持续成长，这些市场将继续推动NAND位消耗的成长，另外，一些新兴应用有望加速未来的成长， 包括AI、VR、汽车和物联网等。新电子
3.半导体歇脚 硅晶圆价仍稳;
半导体 硅晶圆市场因为供不应求，价格从2017年初开始持续走扬至今，不过近期出现些许杂音，部分产品的涨势似乎有些趋缓，法人认为，目前硅晶圆价格并没有下滑，而长约比重较高的业者， 受到现货价变化的影响会较轻微。
近期半导体硅晶圆类股的股价大多有所回调修正，法人指出，这大致反映了市场需求有些稍微放缓，导致影响部分品项价格涨幅的情况，加上今年上半价格已涨不少，所以现在上涨的走势面临挑战，还需要让市场消化一下既有库存， 不过部分产品的现货价只是持平，还不至于反转向下。
除了现货供应，为确保中长期半导体硅晶圆稳定供货，许多下游客户的长约价早已谈妥，期间包括每季、每半年或一年约。 法人指出，即使部分品项的现货价涨势有些松动，长约比重高的业者受到影响仍有限。
第3季价格波动 短期现象非常态
目前硅晶圆业者大多将长约比重视为机密，不轻易对外透露，由于后续的合约价大多仍呈现走扬，所以法人评估，第3季半导体硅晶圆市况稍有波动应当只是短期现象，而业者也才会估计明年硅晶圆价格走势会维持上涨，甚至延续到更长时间。
这一波半导体硅晶圆的涨势大致先由12吋产品发动，然后延续到8吋以及其他尺寸更小的产品。 至于出货量方面，根据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，今年第1季全球硅晶圆出货面积跃升至3,084百万平方英吋，是单季历史新高，不仅季增3.6%，年增幅度也达7.9%。
终端新兴应用增加 产能利用率续看升
半导体硅晶圆相关产业迎来暌违多年的荣景，主要是终端既有与新兴应用增加，但供给成长却有限，当产品可在12吋厂投片，也可利用8吋厂的产能时，部分未能抢得12吋产能的业者，就挤到8吋厂生产， 而这情况连带影响到可用8吋或6吋产能的厂商，部分业者因此不得不将产品放到6吋厂生产。 这情况不但拉升各代工厂产能利用率，所需硅晶圆的价格也水涨船高。联合晚报
4.3GHz+！三星将基于5nm/7nm打造采用ARM A76架构的IP
三星的7nm工艺，选择直接导入先进的EUV(极紫外光刻)技术，由此在进度上稍显吃亏，尤其是落后自己的“宿敌”台积电。
在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架构时，样片就是由台积电的7nm打造，当时频率最高达到了3.3GHz，参考值也达到了3GHz。
这种局面，三星当然不会坐视。
三星电子在韩国举办的铸造论坛期间宣布，和ARM(安谋)的战略级代工合作推进到7nm/5nm上。具体来说，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以实现3GHz以上的频率。
台积电版ARM A76性能效果图
三星还透露，7LPP将从2018年下半年开始早期生产，采用EUV技术的IP预计明年上半年完工。
除了CPU和GPU，三星还拿到了ARM的Artisan physical IP授权，包括全套的内存编译器、1.8V/3.3V通用输入输出库等等，可加速开发过程、优化开发结果。
另外，三星还确认其路线图推进到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工艺。
那么问题了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片会有高通、华为这些客户吗?快科技
