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Q: 为何预测HBM明年不会出现过剩情况?
A: 预测HBM在明年不会出现过剩现象,其依据主要源于以下几个关键因素:
较低的良率水平:
HBM生产过程中,良率是决定产出效率和产能利用率的关键指标。然而,行业内HBM的平均良率目前仅为70%,远未达到90%以上的理想状态。这意味着每生产100个HBM单元,就有30个因质量问题而无法使用。这种低良率限制了实际可用产能,使得即便在产能规划上看似充足,实际上市场供应依然受限。
较长的制造周期:
HBM的制造过程复杂且耗时,通常需要4个月才能完成前端和后端的所有生产工艺。然而,这样的时间表在实际操作中往往显得较为紧张,5个月甚至更长的时间才更为合理。较长的生产周期意味着即便有新增产能规划,其转化为实际市场供应也需要一定时间,难以迅速响应短期内激增的需求。
HBM3e良率要求与成本考量:对于更先进的HBM3e产品,其良率门槛被设定在65%以上,以保证其高性能与可靠性。为了获取更优质的HBM产品,制造商可能需要舍弃相当比例(可能超过30%)的DRAM晶圆,以牺牲部分常规DRAM产能为代价来确保HBM的高品质产出。此外,HBM内部设计包含冗余机制,如连接失败时可切换至备用路径,这也增加了良品筛选的复杂性,进一步影响整体良率。
Q: HBM与普通DRAM的利润率对比及其意义何在?
A: 目前,HBM的营业利润率(OP Margin)高达50%以上,远超普通DRAM的20%。对于一般商品而言,50%的利润率水平实属罕见,反映出HBM在市场上的独特地位与稀缺性。这种高利润率不仅体现了HBM技术的先进性与市场需求的强烈,还暗示了短期内其价格下降的空间相对有限。
Q: 为何认为HBM的高利润率可能难以快速下降?
A: 预计HBM的高利润率在短期内难以大幅降低,原因包括:
优质产能已被锁定:至
2024年,市场上大部分优质HBM产能已被提前预订或锁定,这意味着即便市场需求有所波动,短期内供应端调整空间有限,价格受到支撑。
良率问题持续存在:由于
HBM生产良率普遍较低,短期内技术突破大幅提升良率的可能性较小,这将继续限制产能的有效释放,为维持高利润率提供支撑。
技术迭代速度快: