今年芯片存储，令人忧心

芯东西 · 公众号 · · 2025-01-06 12:00

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2025年存储行业将何去何从？

作者 | 丰宁

存储价格，时涨时落。

在2024年下半年，存储行业再度步入下行周期，其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至2025年，存储价格究竟会走向何方？是延续下行趋势，还是触底反弹？这一系列问题已然成为业界内外聚焦的核心。

无论是存储行业从业者、相关产业链上下游企业，还是关注科技领域动态的普通消费者，均在密切关注2025年存储价格的走势。

本文依据市场当下的发展情形，综合部分行业专家与机构的见解，对2025年存储行业的发展走向予以预测。

01 .

上半年，DRAM市况或难反转

价格走势分析

首先看DRAM的价格走势，根据市场研究公司DRAMeXchange在12月8日的数据显示，截至11月底，通用PC DRAM产品（DDR48Gb1Gx8）的平均固定交易价格为1.35美元，较7月份的2.1美元下跌了35.7%。

Kiwoom证券研究员ParkYoo-ak预计：2024年年底和2025年初DRAM价格将大幅下跌，幅度将超过预期。由于中国内存公司以低价销售产品，DRAM供应增长率将超过需求增长率，这种情况将持续到2025年第二季度。

具体到产品，目前制程较成熟的DDR4和LPDDR4X产品已开始降价，DDR5和LPDDR5X等先进制程产品的价格目前相对稳健。

关于2025年存储芯片的价格预测，TrendForce表示，2025年DRAM价格将转为下跌，上半年的跌幅较明显，其中，DDR4和LPDDR4X的降价压力将持续大于DDR5与LPDDR5X。

总的来看，TrendForce与Kiwoom的观点基本一致，都指向了：今 年上半年，DRAM市场或许没有太多好消息。

减产还是扩产？

再看存储巨头的产能与资本开支情况，如今由于消费电子市场复苏不及预期，包括三星、SK海力士等存储龙头开始酝酿减产以应对变化，这其中就包含DRAM产品，不过不同类型的存储产品相应的减产策略也不同。

和价格走势相对应，在DRAM产品领域，市场也呈现出一种鲜明的分化态势：一方面，DDR4等传统DRAM产品的生产比重正逐渐缩减，面临着减产的压力；另一方面，针对人工智能存储需求而设计的先进DRAM产品则保持着稳步增产的态势。

日前，三星设备解决方案（DS）副总裁KimJae-joon表示，公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求。三星预计将减少以DDR4为主的产能，把部分DDR4产能转移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先进产品的生产上。

SK海力士方面，业内人士透露，SK海力士将降低其DDR4 DRAM芯片产能。2024年第三季度SK海力士DDR4的生产比重已从第二季度的40%降至30%，第四季度更计划进一步降至20%，并将把有限产能转向人工智能用存储产品及先进DRAM产品。对此消息，SK海力士并未进行回应。

02 .

NAND价格恢复，

也要等到今年下半年

价格走势分析

再看NAND的价格走势 ，根据市场调研机构DramExchange发布的数据显示，通用NAND固定价格自2023年10月起连续5个月上涨后，从2024年3月开始平稳，9月转为下跌趋势。9月至11月，NAND价格环比分别下降11.44%、29.18%和29.8%，8月时4.9美元的价格已降至2.16美元，2024年通用NAND价格已下跌超过50%，跌至2015年8月以来的最低点。

TrendForce预计2024年第四季度整体NAND Flash合约价格将下降3-8%。至于今年的价格走势想必也不会太乐观，一方面NAND Flash市场表现不佳，另一方面其获利能力本不及DRAM，因此今年或许会有部分产品线从NAND Flash转向DRAM。

TrendForce 集邦咨询研究经理敖国锋预测， 2024年第四季度闪存价格将同比下降8%，2025年第一季度会再下降10%，消费端闪存价格2025年下半年有望反弹回升。

高端NAND闪存市场的表现态势要优于整体市场的平均水平，这在一定程度上能够缓解今年第一季度市场所面临的供应过剩压力。在NAND市场，AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。2025年，30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存储能力，正迅速替代传统的机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术，以提高存储密度并降低成本。

再看产能与投资情况

目前，主要的3D NAND制造商（铠侠、美光、三星和SK海力士）都在考虑减少非易失性存储器的产量，并减少对扩建额外闪存容量的投资。

三星在最新的财报电话会议中表示，公司无意在第四季度减少NAND产量，但将根据市场情况灵活调整。据悉，三星电子已逐步开始对中国西安的NAND闪存工厂生产线旧设备进行销售，预计出售过程将于2025年正式开始，其中大部分是100层3D NAND设备。

铠侠也在计划减少第四季度的NAND产量，以避免产能过剩问题。不过，铠侠表示为应对生成性AI浪潮需求，铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品。

03 .

HBM，一直很火

HBM市场所呈现的景象，则与传统的DRAM产品截然不同。

随着AI芯片技术的不断迭代升级，单一芯片所能搭载的HBM容量正显著增长，2025年HBM的出货量预计将同比增长70%。

TrendForce预期2025年HBM在DRAM市场的渗透率将逐步提升，预估2025年第四季度时，HBM渗透率约达10％，HBM3E颗粒预计占2025年HBM的85％。东兴证券研报预估2025年HBM将贡献10%的DRAM总产出，较2024年增长一倍。

作为一种创新的3D堆叠DRAM技术，它通过将多层DRAM芯片垂直堆叠，使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相连，从而提供超过DRAM的带宽和容量。

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