随着天气一天一天转热，新 iPhone 的消息越来越多，渲染图、机模上手图、内部结构图……越来越多的曝光信息让最新一代 iPhone 的轮廓越来越清晰，今天我们就来谈一谈关于新 iPhone 的那些曝光与猜想。
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命名
按照苹果以往的命名规则，今年啊推出的 iPhone 应该被命名为 iPhone 7s，但是今年是 iPhone 发布十周年，苹果应该会为 iPhone 进行重新命名。目前网上比较普遍的说法是新一代 iPhone 将会被命名为 iPhone 8 或者 iPhone X 甚至有传闻称会被命名为
iPhone Edition 。
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设计
关于外观设计方面，其正反面均采用 2.5D 玻璃，中框则更换为不锈钢材质。电源键会加长，目前用途未知。
正面设计与以往不同，采用了全新的 OLED 材质屏幕，尺寸或为 5.8 英寸，内置 HOME 键与 Touch ID 指纹识别功能。使得屏占比极高，比 小米 MIX 全面屏设计和三星 Galaxy S8 Infinity Display （全视曲面屏）设计更加激进。顶部仅有听筒为肉眼可见，其余的前置摄像头、光线与距离感应器，以及全新加入的 True Tone 四通道环境光传感器、红外生物识别传感器等均为隐藏式设计。在完美实现功能的同时，又不妨碍屏幕的显示。
而背面设计变化不算太大，只是将 iPhone 7 Plus 的横向双摄变为竖向排列，并将闪光灯置于两枚摄像头之间。由之前的金属一体化机身变更为玻璃材质，因此可能会有无线充电技术加入。
以下是一些比较可信的猜想图与机模实拍图
猜想图：
机模图：
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早期 EVT 工程验证测试阶段的工程机曝光：
注：只有通过了 DVT 阶段的机子，样子变化才不会太大。而 EVT 阶段的外观只可做简单参考，变化的可能性还很大。
EVT: Engineering Verification Test 工程验证测试；
DVT: Design Verification Test 设计验证测试；
DMT: Design Maturity Test 成熟度验证；
MVT: Mass-Production Verification Test 量产验证测试；
PVT: Pilot-run Verification Test 小批量过程验证测试；
MP: Mass-Production 量产。
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内部构造：
从目前曝光的图片来看，下一代 iPhone 的内部主板设计更加激进，集成度继续升级。将两块面积不等的单面主板与双面主板进行堆叠布局，有效提升了空间使用率。 其中单面主板包含调制解调器、Wi-Fi 芯片、SIM 卡槽。双面主板的 A 面有 MOD 与 NAND 闪存，B 面有主要的 A11 SoC、PMU 电源管理芯片。 机身底部有一枚 TAPTIC ENGINE 线性马达与多枚 3D Touch 模组，由此我个人推断，Function Area 区域与屏幕显示区域将会分别采用独立的 3D Touch 模组。除此之外，底部还有无线充电射频组、指纹识别相关组件、扬声器、麦克风、Lightning 口等。 整个机身内部空间占比最大的依然为电池。不过，在将电池占比面积进一步增大的同时，还带来了全新的“子母电池设计”。
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性能
4 月 26 日，网上爆出一张疑似新 iPhone 的跑分截图。该截图分辨率为 1242×2800 ，与早前 iPhone 8 分辨率传闻一致。从图可知，该跑分来自一部 iPhone10,6 设备（注：iPhone 7 为 iPhone9,1）；主板型号为 S58AP，对应此前的堆叠型主板设计（类载板 SLP）传言；采用 2.74GHz 的 Apple A11 四核 SoC；搭载 iOS 11.0 系统；单核跑分 4537 分，相比 A10 大约提升 30%，约为骁龙 835 SoC 的 2.3 倍；多核跑分 8975 分，相比 A10 大约提升 52%；L1 Instruction Cache 提升至 128KB，相比 A10 翻了一倍。
