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突发!美政府欲限制AI芯片核心技术GAA、高带宽内存HBM出口

新智元  · 公众号  ·  · 2024-06-12 13:21

正文



新智元报道

编辑:编辑部
【新智元导读】 外媒最新消息称,美国政府正在考虑进一步限制中国获得尖端半导体技术,包括用于制造AI加速器的关键硬件技术全环绕栅极(GAA)和高带宽内存(HBM)。


彭博报道称,美国政府正在考虑进一步限制中国获取用于AI的尖端芯片技术。
这项技术是制造尖端芯片「全环绕栅极」(GAA)晶体管技术。

另外,知情人士透露,高带宽存储器(HBM)的限制也在谈判中。这些都是构建AI加速器的关键技术。

现有的制裁措施阻止了中国获取用于3nm及以下生产所需的设备。

知情人士表示,目前还不知道美国何时会做出最终决定。专家们仍在研究如何制定这类规定的范围。

尖端芯片核心技术GAA受限

政策制定者的目标是,让中国在开发和制造AI模型所需的高度复杂的计算系统加大难度。

其中,GAA是目前最尖端芯片背后,关键技术所在。

GAA纳米片晶体管在提高密度的同时,提供了功率和性能优势,但它们仅用于最尖端的工艺节点。

目前,全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

2年前,得益于GAA,三星官宣3nm制程的芯片量产之际,使得芯片性能猛提30%,功耗暴降50%,而且面积也减少了35%。

此外,英特尔将在其未来的20A节点中采用GAA,而台积电将在其A16工艺中跟进。

在明年年内,大多数机构都计划开始大规模生产GAA架构的芯片,包括英伟达、英特尔、AMD等领先半导体公司以及台积电、三星等芯片制造商。

知情人士称,美国工业与安全局(BIS)最近向技术咨询委员会发送了一份GAA规则草案。该委员会由行业专家组成,就具体技术参数提供建议——这是监管过程的最后一步。

有行业官员对草案发出了质疑,认为规则过于宽泛,因此具体条款的范围尚未最终确定。关于GAA的对话正在进行,外界也不清楚美国何时会宣布最终决定。

预计这些措施不会构成对GAA芯片出口的全面禁止。相反,这次制裁瞄准的是制造相关芯片所需的技术。

与此同时,美国对高带宽存储器(HBM)出口的新限制,也将成为打造AI计算系统一个关键的瓶颈。

这些半导体由SK Hynix、Micron Technology等公司制造,可以加快内存访问速度,增强AI加速器的性能。

它们可用于训练AI软件,这个过程需要大量的信息输入。

不过,据说这些讨论尚未像加强GAA限制那样深入,因此可能未来才会看到这些限制的正式宣布。

这则消息披露后,造成了半导体公司的股市震荡。英伟达公司股价下跌了2.5%,AMD下跌了1.9%,英特尔下跌不到1%。

取代FinFE,GAA延续「摩尔定律」

一直以来,包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术。

要知道,半导体行业进步的背后有着一条金科玉律,那就是「摩尔定律」。

摩尔定律表明:每隔 18~24 个月,封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番。

当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候,对新的晶体管技术提出了需求。

也就是说,GAA (gate-all-around,简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律。

相比于传统芯片采用的「FinFET」技术而言,三星采用的「GAAFET」技术明显占据优势。







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