到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行列，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%。第三代半导体发展战略发布会25日在京举行。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲如是描述我国第三代半导体的“中国梦”。
第三代半导体是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料。吴玲表示，我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟，处于重要窗口期。但目前仍面临多重困境：创新链不通，缺乏有能力落实全链条设计、一体化实施的牵头主体;缺乏体制机制创新的、开放的公共研发、服务及产业化中试平台;核心材料、器件原始创新能力薄弱。专家建议，要依托联盟建设小核心、大网络、主平台、一体化的第三代半导体产业创新体系。
以通信产业为例，郑有炓认为，氮化镓技术正助力5G移动通信在全球加速奔跑。“5G移动通信将从人与人通信拓展到万物互联。预计2025年全球将产生1000亿的连接。”郑有炓说，5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性以支持海量设备的互联。氮化镓毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。
中国半导体封测行业与国际先进水平开始接轨，迎来黄金发展期。
市场和技术的发展推动三个主要OSAT产业模式的变化：
1.SiP崛起：系统级封装是移动通信、物联网时代对于集成电路的整体需求，从产业链角度上讲更加适合OSAT去做，是OSAT行业重要的发展机会。
2.Fan-out崛起：Fan-out 是最重要的第三代先进封装技术，面临晶圆厂的挤压，OSAT必须要在技术和灵活度上提供更多。
3.中国半导体产业快速发展提升本土先进封装需求。
来源：财联社
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