MOSFET的结构是在低掺杂的衬底上制作高掺杂的源漏区，当漏电压增加时，耗尽区主要向低掺杂的衬底一侧延伸，当耗尽区延伸到源区时，器件便产生穿通。因此，要提高器件的耐压水平，可以提高衬底的掺杂，但衬底掺杂由阈值电压决定，不能无限提高。在结构上，可以增加沟道长度L，但这样一来，期间的宽长比减小，工作电流减小，因此，这种结构不容易实现MOS功率器件的高压大电流。为解决这一问题，各种新结构被提出，有LDMOS (lateral double diffused MOS，横向扩散金属氧化物半导体)，VVMOS（vertical V-groove MOS），VUMOS（vertical U-groove MOS），VDMOS（vertical double diffused MOS）。一系列的改进之后，VDMOS克服了很多缺点，但导通电阻还是较大。
于是人们开拓了一个新思路，一方面保留功率MOS的优点，另一方面引入一个双极结型结构，这样，在器件导通时，双极结型结构会产生少数载流子注入效应，从而对n-漂移区的电导率进行调制，即电导调制效应，从而有效地降低n-漂移区的电阻率和器件的导通电阻。图1为最基本的IGBT结构图。
