【科学家开发硅基量子点集成光电芯片，兼具高性能和高集成度，为光计算和量子通信等领域提供解决方案】
随着 #摩尔定律# 逼近其物理极限， #芯片# 间数据交互的限制成为提高芯片性能的关键挑战。
硅基光电集成技术具有大光学带宽、低传输损耗、低能耗、低成本等优势，同时具备光信号传输的高带宽和低衰减特性，已被广泛认为是实现片上光互连的最具潜力的方案。
但由于硅是一种间接带隙半导体，将它作为有效的光源材料存在局限性。现如今，随着各类光子集成单元技术的日益成熟，高效的硅基光源已经成为该技术发展的关键瓶颈。为满足大规模生产的需求，在硅衬底上直接集成 III-V 族材料，成为解决硅基光电集成中核心光源问题的理想方案。
与传统的量子阱材料相比，零维量子点结构因其对位错缺陷的不敏感性、低阈值电流密度以及能够在高工作温度条件下工作等优势，被认为是硅基外延 III-V 族半导体激光器中的理想光源。
在此背景下，沙特阿拉伯 #阿卜杜拉国王科技大学# 助理教授万雅婷以硅基量子点光源的潜力为研究重点，将其与硅互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）制造流程结合，助力推动下一代光芯片技术的发展。
戳链接查看详情：
网页链接
随着 #摩尔定律# 逼近其物理极限， #芯片# 间数据交互的限制成为提高芯片性能的关键挑战。
硅基光电集成技术具有大光学带宽、低传输损耗、低能耗、低成本等优势，同时具备光信号传输的高带宽和低衰减特性，已被广泛认为是实现片上光互连的最具潜力的方案。
但由于硅是一种间接带隙半导体，将它作为有效的光源材料存在局限性。现如今，随着各类光子集成单元技术的日益成熟，高效的硅基光源已经成为该技术发展的关键瓶颈。为满足大规模生产的需求，在硅衬底上直接集成 III-V 族材料，成为解决硅基光电集成中核心光源问题的理想方案。
与传统的量子阱材料相比，零维量子点结构因其对位错缺陷的不敏感性、低阈值电流密度以及能够在高工作温度条件下工作等优势，被认为是硅基外延 III-V 族半导体激光器中的理想光源。
在此背景下，沙特阿拉伯 #阿卜杜拉国王科技大学# 助理教授万雅婷以硅基量子点光源的潜力为研究重点，将其与硅互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）制造流程结合，助力推动下一代光芯片技术的发展。
戳链接查看详情：
网页链接
