为巩固行业霸主地位，三星打算提前启用其30万亿投资的内存厂

近来内存价格重挫，但是三星电子不为所动，预期今年下半情况好转，据传决定让南韩平泽(Pyeongtaek)的内存二厂，提前在明年3月投产，以维持市场领导地位。目前平泽1-1产线生产NAND Flash，1-2产线生产DRAM。三星扩大DRAM产能，是为了扩大市占率。

韩国先驱报报导，平泽市的这座新工厂耗资高达30万亿韩元（264亿美元），据悉近来三星和平泽市各方，开会讨论平泽二厂的水电供给。

外界原本预期平泽二厂2020年6月投产，如今似乎提前到2020年3月。业界人士透露，三星可能为明年内存需求复苏预做准备，新厂或许会生产最先进的DRAM晶片，用于高阶装置例如面板可折叠智能机。

2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等不仅在96层和QLC创新技术上展开激烈竞争，更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。然而，由于NAND Flash市场供过于求，今年第一季跌价，三星未停止投资。资深主管预测，需求将在下半年反弹，明年继续快速成长。二厂是供需平衡的关键，三星想率先出击。

三星平泽厂区的总面积达289万平方公尺，约有400个足球场大。平泽一厂已是全球最大的内存工厂，三星在一厂旁设立二厂。未来还打算在厂区内再打造两个内存工厂，预料新厂动工时间很快就会宣布。

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