一文看懂CMOS集成门电路

CMOS门电路由 PMOS 场效应管和 NMOS 场效应管以对称互补的形式组成，本文先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。

MOS英文全称Metal Oxide Semiconductor，中文全称是 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 ，属于一种 电压控制型 器件，正如其名，由金属(M)，氧化物(O)和半导体(S)构成，和三极管一样，既可以用来放大电路，也可以当作开关使用，MOS管基本原理和制造流程，这里不再详细介绍，有兴趣可以看看以前的文章。

MOS管可分为 耗尽型 和 增强型 ，每种类型又分为P沟道和N沟道。

增强型MOS管，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面 没有 沟道存在，耗尽型，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面已 有 沟道存在。

MOS管的图形符号如下，一般用 增强型MOS 管用于门电路分析。

MOS管图形符号

增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要区别在于沉底和载流子不同，下面以 N沟道增强型MOS管 为例简单介绍下，其结构如下所示:

增强型NMOS管的结构

增强型NMOS管是以 P型掺杂 硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺杂的区域用金属导线连出，分别称为 源极 (source)和 漏极 (drain)，在两极中间的绝缘层上制作金属导电层，然后用导向连出称为 栅极 (gate)，衬底一般也用导线连出和源极连接在一起。

增强型MOS管需要在栅极加合适的电压才能工作，下面说明其工作原理：

增强型NMOS管工作原理

电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。

当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏极之间没有导电沟道，所以电流为0；

当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于此时漏源之间加上的是正向电压，于是就会有电流从漏极流入，再经过导电沟道从S极流出，一般把形成沟道时的栅源极电压称为 开启电压 ，用Vt表示，也即是图中E2电压。

如果改变E2电压大小，栅极下面的电场大小随之变化，吸引过来的电子数量也会发生变化，两个N区之间沟道宽度就会随之变化，通过的漏源极的电流大小就会发生变化。E2电压越高，沟道就会越宽，电流就会越大。

增强型MOS管的特点如下：

1. G, S极之间未加电压时，D, S极之间没有沟道，电流为0；
2. G, S极之间加上开启电压后，D, S极之间有沟道形成，D, S极之间有电流
   
   

• 当A端为 高电平 时，VT1 PMOS管截止，VT2 NMOS管导通，Y端输出为 低电平 ，也即A=1，Y=0；
  
  
• 当A端为 低电平 时，VT2 NMOS管截止，VT1 PMOS管导通，Y端输出为 高电平 ，也即A=0，Y=1。

• 当A，B端均为高电平时，VT1 PMOS，VT2 PMOS截止，VT3 NMOS，VT4 NMOS导通，Y端为低电平，即A=1，B=1时，Y=0；
  
  
• 当A，B端均为低电平时，VT1 PMOS，VT2 PMOS导通，VT3 NMOS，VT4 NMOS截止，Y端为高电平，即A=0，B=0时，Y=1;
  
  
• 当A端为低电平，B端为高电平时，A端低电平使VT2 PMOS导通，VT3 NMOS截止，B端高电平使VT1 PMOS截止，VT4 NMOS导通，所以Y端输出高电平，即A=0，B=1时，Y=1;
  
  
• 同理，当A端为高电平，B端为低电平时，输出端Y=1。