本文介绍了iDPC-STEM在电子束敏感材料表征中的应用,包括其发展历史、成像原理和技术优势。文章指出iDPC-STEM具有高分辨率、低剂量、轻元素成像优势,但也存在技术限制和挑战。
iDPC-STEM技术从提出到发展,经历了多年的研究和实践。其发展历史与电子显微学的发展密切相关。
iDPC-STEM利用电子束与样品电场的相互作用进行成像,通过检测远场探测器上电子的偏移位置,获得会聚束电子衍射图案,从而提取质心位置信息。其成像过程包括电子束照明、样品静电势成像和积分处理等环节。
iDPC-STEM具有高分辨率、低剂量、轻元素成像等优势。与传统的HAADF-STEM相比,iDPC-STEM的图像对比度与原子序数呈线性关系,更适合观察轻元素。此外,iDPC-STEM还具有更高的电子利用率和更低的噪声水平。
尽管iDPC-STEM具有许多优势,但也存在一些技术限制和挑战。例如,对样品漂移和污染物敏感,对厚样品成像效果差,信号接收效率中的低频噪声问题,以及辅助工具不完善等。
随着材料科学的不断发展,材料结构与其性能之间的关系研究日益精细化。相比整体周期性晶体结构,局部结构(如界面、缺陷和表面)能够更精准地反映这一关系。但由于这些局部结构通常呈现非周期性,因此需要通过实空间手段表征,而电子显微镜(
EM
)的进步为此提供了重要支持。
球差和色差校正器的应用显著提升了图像分辨率,而直接探测电子计数(
DDEC
)的引入大幅提高了探测量子效率(
DQE
),从而显著改善了成像质量(见图
1
)。然而,高能电子束在捕捉样品结构信息的同时,也会对材料本身造成损伤。这种损伤对于诸如
MOFs
、二维材料和锂离子电池等电子束敏感材料尤为严重,成为表征工作的一个主要难题。
图
1.
显微镜发展史:获取更全面和更真实的结构信息是当前的主流发展方向
电子束损伤的机理复杂且不可避免。图
2
展示了
STEM
中电子束损伤的主要机制,包括击出损伤、辐解损伤、静电充电和加热效应。在实际表征中,这些机制通常共存相互影响,甚至在某些条件下转化。
图
2.
高能电子束不可避免地会造成损伤:击出损伤、辐射分解损伤、静电充电和加热
针对不同的电子束敏感材料,研究者开发了一系列表征方法。其中,
iDPC-STEM
(
积分
差分相位衬度)被认为是目前最通用且前景广阔的工具。图
3
显示,
iDPC-STEM
在低剂量
EM
技术领域中的应用比例目前仍较低,主要由于其处于发展早期,并缺乏与实际表征工作的充分结合。此外,材料科学与电子显微学在学科交叉上的差异也限制了其广泛应用。
图
3.iDPC-STEM
在电子束敏感材料表征中的应用现状
对材料结构认识的深化必将促进材料及相关领域的快速发展。本文将介绍
iDPC-STEM
在实空间
EM
表征中的发展历史、成像原理。
iDPC
的
技术发展
差分相衬(
DPC
)成像最早由
Rose
于
1974
年提出。同年,
Dekkers
和
De Lang
提出了通过分区探测器的相对信号差异来生成图像的技术,并将其引入扫描透射电子显微镜(
STEM
)领域,由此将
DPC
技术引入电子显微学。
Waddell
等人进一步奠定了
DPC
在电子显微学实际应用的理论基础,提出通过
“
一阶矩
”
探测器测量转移到探针的动量,以获得电子束照明的质心信息。
1977
年,
Rose
再次回顾
STEM
中基于分区探测器的
DPC
技术,并提出通过时间积分恢复相位。然而,当时对噪声的影响、电子束动量转移(质心位置)与样品相位衬度(相位传递函数)间线性关系的物理意义,以及相关的数学证明尚未深入解决。
1978
年,
Chapman
等人首次使用
DPC
技术对铁磁性薄膜中的磁结构进行定量研究。此后
30
年间,
DPC
主要用于磁性样品的研究,而基于电子显微镜的
DPC
成像研究相对较少,理论探索仍以光学显微镜为主。
2010
年,
Shibata
等人重新将
DPC
技术引入电子显微学,并首次成功实现对非磁性样品的原子分辨率成像实验,从而将
DPC
推向更广泛的应用领域。在随后的十余年中,该技术持续发展,算法不断优化,衍生出基于质心(
COM
)近似技术的多种方法,包括局部电势成像(
DPC-STEM
)、局部电荷密度成像(
dDPC-STEM
)和局部静电势成像(
iDPC-STEM
)。三者各具特色,互为补充。
2016
年,研究首次成功数学证明了
COM
位置与样品相位衬度之间的线性关系
,并实现了
iDPC
技术的实验图像成像,标志着该技术迈向成熟。
iDPC
的
技术原理
对于非磁性样品,根据基本静电学规律,样品的电场(保守矢量场)是样品静电势场(标量场)的梯度(微分)。当电子穿过样品时,会受到该电场的影响。如果样品非常薄,电子在撞击点附近的电场作用下会发生偏转,其偏转程度与电场的平面分量成正比。通过检测远场探测器上电子的偏移位置,可以测量这种偏转,获得相应的会聚束电子衍射(
CBED
)图案,从而提取质心位置信息。差分相衬(
DPC
)技术正是用于测量电子束的偏转,即质心位置。
在多分区探测器的帮助下,细微的变化也能被捕捉,并通过校准差异计算出质心的方向位置。这也是
iDPC
技术的工作原理,与
dDPC
和
DPC
类似,
iDPC
使用分区探测器采集局部信号来实现质心(
COM
)位置的近似。
图
4
为
iDPC-STEM
的示意图,通过探测器上的
A-C
与
B-D
信号分别获得
COMx
和
COMy
,并通过拟合计算生成高质量图像。这种成像是一种直接的相位成像过程,其信号强度与样品的原子序数成正比。原子序数越大,散射越强,对应信号越亮。因此,
在
iDPC
图像中,信号强度与原子序数呈线性关系;而在高角环形暗场(
HAADF
)图像中,强度则约与原子序数的平方成正比
。因此,
iDPC-STEM
在处理轻元素成像时表现出显著优势。
图
4.
iDPC
技术原理示意图:分区探针
(partition probe)
、静电势成像和积分。
此外,
iDPC-STEM
具有更高的电子利用率,并通过积分过程有效去除大部分噪声,能够在低剂量下实现高信噪比(
SNR
)。传统表征手段在实现类似性能时通常需要更高剂量的电子束。例如,为获得足够
SNR
的图像,通常需施加
10
3
e−/Ų
的电子束剂量,而
iDPC-STEM
仅需约
10 e−/Ų
即可达到同等效果。
iDPC-STEM
的优势
提高成像灵敏度与分辨率同样重要。图
5
对比了
iDPC-STEM
和
HAADF-STEM
在不同元素分辨率上的表现。两种技术的成像效果均与原子序数相关。随着原子序数的降低,对比度逐渐减弱。然而,从
HAADF-STEM
图像中观察
O
、
Ti
和
Sr
等较轻元素的对比度(如图
5
中的标注区域),可以发现,较轻元素要么完全不可见,要么对比度低到可能低于噪声水平。
HAADF-STEM
依赖高角散射电子成像,而
iDPC-STEM
则基于原子静电势实现直接相位成像
。
图
5.
通过模拟获得的
Z = 1-103
范围内单原子衬度对比:
(a) HAADF-STEM
图像和
(b) iDPC-STEM
图像。
Bosch, E.G.T.; Lazic, I.; Lazar, S. Integrated Differential Phase Contrast (iDPC) STEM: A New Atomic Resolution STEM Technique To Image All Elements Across the Periodic Table. Microsc. Microanal. 2016
两种技术在成像原理上的差异带来了显著的对比度差别:
HAADF-STEM
的图像对比度约与原子序数的平方成正比(
Z
1.6–2.0
),而
iDPC-STEM
的对比度与原子序数呈线性关系。此外,
HAADF-STEM
仅依赖高角散射电子,而
iDPC-STEM
几乎使用了所有入射电子进行成像
,这使其在相同剂量下能够获得更多信号,从而具备低剂量成像的能力。
1
相位对比成像的优势
由于使用原子静电势进行相位成像,
iDPC-STEM
具有更好的灵敏度。电子叠层成像和
4D-STEM
也是如此。电子叠层成像是基于
相干衍射成像的相位恢复方法
。通过样品的衍射图案获得其相位信息,并重建样品的相位对比图像。
4D-STEM
的原理如图
6a
所示。基于
STEM
模式,环形电子探测器被阵列探测器取代,在每个扫描位置记录整个衍射图案。随后,开发了带孔的相机以实现
EELS
的同步采集,如图
6b
所示。借助
4D-STEM
数据集,研究人员可以获得任何收集角度范围的信号,并通过后处理获得各种
STEM
图像。
大数据集和复杂的后处理是
4D-STEM
技术的主要特点。
图
6. (a) 4D-STEM
的光路示意图。
Atomic Resolution Defocused Electron Ptychography at Low Dose with a Fast, Direct Electron Detector. Sci. Rep. 2019
(b)
基于
STEM
模式,环形电子探测器被阵列探测器取代,在每个扫描位置记录完整的衍射图案。
Hollow Electron Ptychographic Diffractive Imaging. Phys. Rev. Lett. 2018
相比之下,
iDPC-STEM
使用的几个固态电子探测器(
例如
四个)比用于电子叠层成像和
4D STEM
的相机
快两到三个数量级
,特别是不需要大数据集或繁琐的后处理。在这个领域,
iDPC
具有明显的优势和劣势:在精确度方面,电子叠层成像或
iCOM-STEM
可以获得绝对准确的质心位置信息,而
iDPC-STEM
只能通过更细的分割(更多分区)来实现对
iCOM
绝对精确度的近似
;在成像速度方面,
iDPC
的数据处理量要小得多:直接成像,无需大量重建工作,具有巨大的(数量级)速度优势。
2
低剂量技术的优势
在低剂量表征领域,研究的主要目标是获取一系列电子束敏感材料的结构信息,这包括沸石、金属有机框架(
MOFs
)、生物材料以及有机
-
无机杂化材料等。如何在低剂量条件下保持足够的图像信噪比,是推动该领域发展的核心问题。
图
7
对比了
iDPC-STEM
、
HAADF-STEM
和
K2
相机的性能,显示出
iDPC-STEM
在多方面的优势和潜力。在成像模式上,基于
STEM
的
iDPC
技术能够生成更直观易懂的图像,其成像特性与原子序数相关,因而具备更强的元素分辨能力。然而,其缺点是单张图像的扫描时间较长,这使得实时获取结构信息较为困难。同时,扫描过程中容易受到样品漂移的影响,从而导致图像失真。
在数据处理方面,
iDPC-STEM
不需要处理庞大的数据集,相较于某些复杂成像技术,数据管理更加简便。在设备要求上,
iDPC-STEM
仅需额外配备一个四分区探测器,而不像
K2
技术那样依赖昂贵的相机设备,因此在性价比和可操作性上更具优势。
图
7. HAADF-STEM (a)
、
iDPC-STEM (b)
和
K2
相机
(c)
的性能比较。
五边形各角标签:
• 成像剂量• 数据存储• 采集• 信噪比(低剂量)•
轻
元素分辨率
3
轻元素成像的优势
轻元素相关的结构信息在许多研究中至关重要。针对
氧等轻原子
的成像,电子显微镜目前主要采用五种技术:低角环形暗场(
LAADF-STEM
)、环形明场(
ABF-STEM
)、积分微分相位对比(
iDPC-STEM
)、负球差成像(
NCSI
)以及
i
STEM
。
这些方法可以分为三大类:
第一类是传统的
STEM
技术,这类技术对样品漂移和扫描失真比较敏感,包括
LAADF-STEM
、
ABF-STEM
和
iDPC-STEM
。相较而言,
LAADF-STEM
对轻元素的分辨能力最弱,适用范围局限于非常薄(几纳米)的晶体,用于轻原子柱的成像。
第二类基于
TEM
成像模式,其图像分析过程复杂,通常需要结合模拟数据,并对像差校正和样品厚度极为依赖。
第三类是结合
CCD
相机的会聚束成像,该方法能够以较高效率捕捉图像。需要指出的是,成像像差对图像效果影响显著,甚至可能导致对比度反转,而
探针的像差则几乎不会对成像结果造成影响
(详细技术信息见
2017
年的
综述)。
Determining oxygen relaxations at an interface: A comparative study between transmission electron microscopy techniques. Ultramicroscopy 2017
表
1
简要总结了这几种技术的成像原理及其优缺点。正如表格所述,
iDPC-STEM
在轻元素的分辨能力方面表现出良好的平衡性和较佳的适应性。凭借较强的灵敏度和对轻原子的成像能力,它在多种轻元素研究中都表现出较高的普遍性和潜力。
表
1.
五种轻元素成像模式的对比,包括成像模式、收集角度和优缺点。
技术
|
成像模式
|
采集角度
|
优势
|
劣势
|
LAADF
|
会聚
|
α < θinner < 50 mrad
|
轻元素成像
晶格应力成像
|
样品漂移和扫描畸变受样品厚度影响
轻元素精确度不足
|
ABF
|
会聚
|
θinner = α/2, θouter = α
|
轻元素高分辨率
|
样品漂移和扫描畸变难以区分元素类型对弱相位无效
|
iDPC
|
会聚
|
4
段探测器
|
轻元素高分辨率
|
样品漂移
扫描畸变
|
NCSI
|