扭角石墨烯单层和双层系统的超晶格产生了随需应变的多体态，如莫特绝缘体和非常规超导体。这些现象归因于平带和强库仑相互作用的结合。然而，当施加电场改变电子填充时，低能带结构会发生强烈变化，因此缺乏全面的认识。
有鉴于此，近日，
丹麦奥胡斯大学Søren Ulstrup等通过将微聚焦角度分辨光发射光谱应用于原位栅控器件，直接获得了扭角双层石墨烯（TBG）和扭角两个双层石墨烯（TDBG）的填充依赖低能带
。本文对这两种系统的研究结果形成了鲜明的对比：TBG的掺杂相关色散可以用一个简单的模型来描述，该模型结合了与填充相关的刚性带移和与多体相关的带宽变化。另一方面，在TDBG中，本文发现了低能带的复杂行为，结合了非单调的带宽变化和可调谐的间隙开口，这取决于栅极诱导的位移场。本文的工作确定了扭角石墨烯超晶格中低能电子态的电场可调程度，并可以为对由此产生的现象的理论理解奠定基础。
图1. 由扭角双层（TBG）和两个接近魔角的双层石墨烯（TDBG）组成的器件的电子结构。
图2. TBG的栅极可调谐电子结构。
图3. TDBG的栅极可调谐电子结构。
图4. TBG和TDBG中掺杂的带宽重整化。
Direct View of Gate-Tunable Miniband Dispersion in Graphene Superlattices Near the Magic Twist Angle
（
ACS Nano
, 2025, DOI:10.1021/acsnano.4c12905）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c12905
