正文
开拓篇
(
19
49
-1978
)
根据国外发展半导体产业的进程
,
国务院制订了
“十二年科学技术发展远景规划”
明确了中国发展半导体的决心。
“向科学进军”吹响了中国发展
半导体
的号角
!
中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下,
在海外回国的一批半导体学者带领下,
凭藉知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂,
从零开始
建立起自己的半导体行业。
1949
年
10
月
1
日,中华人民共和国成立。建国初期,在经济基础极为薄弱的情况下,一穷二白,百废待兴,面临重重困难。
同年
11
月,
巴黎统筹委员会(
Coordinating Committee for Export to Communist Countries
,
输出管制统筹委员会)成立,
主要
是限制成员国向社会主义国家出口战略物资和高技术
,
列入禁运清单的有军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资等三大类上万种产品。
1994
年
4
月
1
日正式宣告解散。
1950
年后
,大批半导体学者从海外学成回国,加入新中国科技建设浪潮。
1950
年
王守武从普渡大学
回国
到
中国科学院应用物理所
工作
;
1951
年黄昆
从利物浦大学
回
国
到北京大学物理系
工作
;
1952
年,谢希德从麻省理工学院回国到上海复旦大学物理系工作;
1955
年成众志
从
RCA
回国到
中科院应用物理所
工作
;
1955
年高鼎三从
IR
公司回国到东北人民大学(现吉林大学)工作;
1956
年吴锡九回国
到
中科院工作
;
1957
年
林兰英
从
Sylvania
公司回国到
中国科学院物理研究所
工作
;
1959
年黄敞
从
Sylvania
公司
回
国
到北京大学物理系
工作
。
1956
年
在
中国现代科学技术发展史上
是
具有里程碑意义的一年。党中央发出了
“向科学进军”的伟大号召。根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。在“重点发展、迎头赶上”和“以任务带学科”的方针指引下,我国半导体事业从无到有,有了长足的进展。
1956
年
,
为了落实发展半导体规划,中国科学院物理研究所首先举办了半导体器件短期培训班
,
请回国的半导体专家
讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路
。
1956
年
,
在北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学五所大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。
1957
年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元、中国工程院院士许居衍和
原
电子工业部总工程师俞忠钰
等
。
1956
年
11
月,
第一支具有完整的
pn
结特性
、
具有
pnp
结型晶体三极管的标准放大特性
的
锗合金结晶体三极管
在
中
国
科
学
院物理研究所半导体器件实验室诞生,开创了中国划时代的科技进步。
1957
年
,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶
。
同年,仙童半导体成立。仙童半导体为整个芯片及
IT
产业贡献了大量人才,全美有超过
200
家公司和仙童有着或多或少的关系。乔布斯曾经说过,仙童半导体就像是成熟了的蒲公英,你一吹他,这种创新精神的种子就随风四处飘扬了。
1957
年
11
月
,
中国科学院物理研究所
半导体研究室
和二机部第
11
研究所
第
4
研究
室(中国电科
13
所前身)
开发
成功
锗
合金扩散
晶体管。
1958
年
8
月,为研制高技术专用
109
计算机,第一个半导体器件生产厂成立,命名为“
109
厂”,作为高技术半导体器件和集成电路研制生产中试厂。
同
年
,德州仪器和仙童
半导体
各自研制发明集成电路(
IC
)之后,发展极为迅猛,从
SSI
(小规模集成电路)起步,经过
MSI
(中规模集成电路),发展到
LSI
(大规模集成电路),然后发展到
VLSI
(超大规模集成电路)
和
ULSI
(特大规模集成电路),
进而到
GSI
(甚大规模集成电路),集成电路集成度
已经
超过
10
亿个
晶体管
。
1959
年
9
月
15
日
,天津市
“
601
试验所”(中国电科
46
所前身)成功拉出中国首颗硅单晶
,
使中国成为继美国、苏联后,第三个可以自己拉制硅单晶的国家
。
1959
年
,
清华大学
首次用四氯化硅氢还原法获得了纯度高达
“九个九”的高纯多晶硅,拉出了第一根钨丝区熔单晶硅
。
1960
年
9
月
6
日
,
中国科学院半导体研究所
成立
,开启了中国半导体科学技术的发展之路;同年,742厂前身江南无线电器材厂成立。
1962
年
,天津拉制出砷化镓(
GaAs
)单晶,为研究制备化合物半导体打下了基础。
1962
年
,我国研究制成硅外延工艺,并开始采用照相制版
、
光刻工艺。
1963
年
,
中国科学院半导体研究所
试制出
第一个硅平面型扩散晶体管
样
品
。
1963
年
,中国科学院半导体研究所激光器研究室研制成功了第一只半导体激光器(比美国晚
1
年)。
1964
年
,
河北省半导体研究所
(中国电科
13
所)
研制出硅外延平面型晶体管样
品
。
1965
年
,
河北省半导体研究所
第五研究室
研制成功第一个
硅基集成电路
样
品
GT31
(相比美国晚
7
年)。
1965
年
12
月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了
DTL
(
Diode-Transistor Logic
,
二极管
-
晶体管逻辑电路
)
型逻辑电路
;
1966
年上海组件五厂在工厂范围内鉴定了
TTL
(
Transistor-Transistor-Logic
晶体管
-
晶体管逻辑电路)
型
电路产品。
DTL
型
和
TTL
型属于
小规模双极型数字集成电路
,
标志着中国已经
有了
自己的小规模集成电路。
1966
年
,
109
厂与上海光学仪器厂协作,研制成功第一台
65
型接触式光刻机,由上海无线电专用设备厂进行生产并向全国推广。
1966
年
,
中国科学院半导体研究所
制作出第一个硅
MOS
场效应晶体管样品
。
同
年
,
IBM
公司托马斯·沃森研究中心(
Thomas Watson Research Center
)的研究人员时年
34
岁的罗伯特·登纳德(
Robert Dennard
)博士提出了用金属氧化物半导体(
MOS
)晶体管,来制作存储器芯片的设想,同年研发成功
1T/1C
结构(一个晶体管加一个电容)的
DRAM
,并在
1968
年获得专利。
1968
年仙童半导体(
Fairchild
)推出首个
256bit
DRAM
;
1969
年先进内存系统公司(
Advanced Memory System Inc.
)正式推出首款
1K DRAM
。
1966
年
,南通晶体管厂成立,经过
50
多年的发展,成长为国际封测巨头,就是
通富微电
。
1968
年
,上海无线电十四厂
研制成功首个
PMOS
电路(
MOS
IC
)
,
拉开了我国发展
MOS
电路的序幕
。
1968
年
,国防科委在四川永川县成立永川半导体研究所(解放军
一四二四
研究所,现中
国电科
24
所)。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。
同
年
,罗伯特
·诺伊斯
和
戈登
·摩尔创建了英特尔,并且随着个人电脑普及,英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘,如今经过
50
年的发展,英特尔在芯片创新、技术开发、产品与平台等领域奠定了全球领先的地位,并始终引领着相关行业的技术产品创新及产业与市场的发展,开创了
CPU
一个又一个新的时代。
1969
年
,
109
厂与丹东精密仪器厂协作,研制成功全自动步进重复照相机,套刻精度达
3
微米,后由北京
700
厂批量生产并向全国推广。
1969
年
,国营永红器材厂(
749
厂)成立,
1995
年整体调迁至天水,经过
50
年的发展,成长为国际封测巨头,就是
华天科技
。
1970
年,我国我国集成电路产业超过
100
万块(比美国晚
6
年),
5
年的时间肉
0
到
100
万块。
同
年
,
英特尔推出首款可大规模生产的
1K DRAM
芯片
C1103
,使得
1bit
只要
1
美分,从此开创了
DRAM
时代。
1972
年
,
解放军
一四二四
研究所
研制成功第一颗
PMOS
型
大规模集成电路
(
LSI
)
,实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越
(
相比美国晚
6
年)。
1972
年
,江阴晶体管厂成立,后来成长为国际封测巨头,就是
长电科技
。
同
年
7
月
,美国总统尼克松访华后,中
美
开始
出现蜜月期,中国开始从美国引入技术。
1974
年
,我国为子发展大规模集成电路(
LSI
),
在北京召开了第一次全国性会议,研讨发展思路;随后
1975
年在上海、
1977
年在贵州连续召开全国性会议。
同
年
三星电子正式进军半导体行业。
1975
年
,北京大学物理系半导体研究小组完成硅栅
NMOS
、硅栅
PMOS
、铝栅
NMOS
三种技术方案,在
109
厂采用硅栅
NMOS
技术,试制
成功
第一块
1K DRAM
(
相比
美国英特尔研制的
C1103
要晚五年
)
。
同
年
中国台湾地区
“工研院”向美国购买
3
英寸晶圆生产线,
1977
年即建成投产。
1976
年
11
月,中国科学院计算技术研究所研制成功
1000
万次大型电子计算机,所使用的电路为中国科学院
109
厂(现中国科学院微电子研究
所
)研制的
ECL
型(
Emitter Coupled Logic
,
发射极耦合逻辑)电路。
同年
,
日本由通产省牵头,联合五大骨干公司组建
“
VLSI
联合研发体”,投资
720
亿日元(其中日本政府出资
320
亿日元),攻坚超大规模集成电路
DRAM
的技术难关。
1976
年,我国我国集成电路产业超过
1000
万块(比美国晚
10
年)。
1977
年,我国集成电路年产量接近
3000
万块。
此一时期,我国掀起第一波建厂热潮,共建设了四十多家集成电路工厂,由于当时
“巴统”的禁运政策,大多都是拼盘引进的生产线,效率低下。
调整发展期
(
1978-1999
)
改革开放,迎来了集成电路发展的春风!
南北两大微电子基地建设启动!
“
908
”、“
909
”两大工程建设展开!
1978
年
,
中国科学院半导体研究所成功研制
4K DRAM
,
1979
年
9
月
28
日在
109
厂成功
试制
,平均成品率达
28%
。
同年
韩国电子技术研究所(
KIET
)从美国购买
3
英寸晶圆生产线,次年投产。
1979
年
8
月,我国第一个
CCD
器件在河北半导体研究所研制成功。
同年
《中美建交公报》正式生效,中美正式建交,开启中美关系新阶段。
198
1
年
8
月
2
日
,第一条
拼盘
3
英寸生产线在国营东光电工厂
(
878
厂
)
通线运行
,
主要生产
NMOS 4K DRAM
、
CMOS
手表和电子钟
电路。
1981
年
,
中国科学院半导体研究所成功研制
16
K DRAM
。
1982
年
10
月
4
日
,为了振兴我国计算机和集成电路事业,为推动电子计算机的广泛应用,国务院成立了
电子
计算机与大规模集成电路领导小组
,制定了
我
国
集成电路
发展规划,提出
“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。
同
年
,
河北半导体研究所推出
第一块砷化镓集成电路
。
同年
11
月
全球第一家
Fabless
公司
Cypress
成立。
1983
年
5
月
15
日
,计算机与大规模集成电路领导小组在北京召开全国计算机与大规模集成电路规划会议
。针对当时多头引进、重复布点的情况,提出
“治散治乱”,集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略,南方基地主要指上海、江苏和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈阳,一个点指西安,主要为航天配套。
1983
年
,无锡
742
厂从东芝引进
的
3
英寸
5
微米电视机集成电路生产线
通线投产
,这是第一次从国外
成建制
引进集成电路
生产线
(
1978
年开始引进,历时
5
年投产
),
我国首次实现了集成电路工业化生产。
同年三星电子正式进军存储器行业。
1985
年,我国集成电路年产量约为
5400
万块,同年进口集成电路约
2
亿块。
同年
英特尔宣布退出
DRAM
市场,专注于
CPU
领域。
198
6
年
5
月
,
无锡
742
厂试制
成功
第一
片
64K DRAM
,
集成度为
15
万个元件,加工工艺为
3
微米(相比日本
NEC
晚
6
年)
。
同年
10
月韩国政府执行“
VLSI
共同开发技术计划”,韩国政府出资,由韩国电子通信研究所牵头,联合三星、
LG
、现代三大集团以及韩国六所大学,联合攻关
DRAM
的核心技术。随后三年内,该计划共投入
1.1
亿美元,政府承担
57%
的研发经费。
1986
年
8
月
,
第一家设计公司北京集成电路设计中心
(
现归属华大半导体
)
成立
,
这标志着中国集成电路设计业发展的开端。
1986
年
,电子部
在
厦门
召开
“七五”
集成电路发展战略研讨会,提出
“七五”期间我国集成电路技术“
531
”发展战略,即普及推广
5
微米技术,
重点企业形成
3
微米技术
生产能力
,进行
1
-1.5
微米技术科技攻关。
受进口集成电路的冲击,
1986
年我国集成电路年产量下滑
20%
,只有
4500
万块,形势非常严峻。
1987
年
,台积电成立,开创全球
Foundry
模式时代。在张忠谋的带领下,台积电在
Foundry
界左冲右突,尤其是最近十年,在先进制程上一直领跑业界,奠定了
Foundry
龙头地位,
2018
年其延揽了全球
56%
市场。
1988
年
9
月
10
日
,
上海市仪表局与贝尔公司合资设立上海贝岭微电子制造有限公司
,
这是集成电路产业
史上
第一家中外合资企业,建成第一条
4
英寸芯片生产线;
1988
年
10
月
4
日
,在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上,组建成中外合资公司上海飞利浦半导体公司
(
现积塔
/
上海先进
)
。
1989
年
2
月,机电部在无锡召开
“八五”
集成电路发展战略研讨会,提出了
“加快基地建设,形成规模生产,注重发展专用电路,加强科研和支持条件,振兴集成电路产业”的发展战略。
1989
年
8
月
8
日
,
在由
742
厂和永川研究所无锡分所组建的
“无锡微电子联合公司”
的基础上成立了
“中国华晶电子集团公司”。
1990
年
11
月
,
清华大学
研制成功具有独立自主版权,在性能指标上达到世界先进水平的
1
兆位(
1M
)汉字只读存储器(
ROM
)芯片,突破国外对先进科技的禁运,满足国家的战略需求。
1
兆位汉字只读存储器芯片就是用点阵技术描述一个汉字,再由两个芯片形成一级汉字库,这样会加快运算速度,这个成果后来推广到了无锡华晶。
同年
,
ARM
成立,开创全新的
IP
授权商业模式。
1990
年
12
月
15
日,中央政治局听取
机械电子工业部关于集成电路
908
工程
建设汇报,同意实施
908
工程
。
908
工程意为中国发展集成电路的第八个五年计划,其主体承担企业是无锡华晶。
1990
年始,国家集中投资
20
多亿元,目标是在无锡华晶建成一条月产
1.2
万片、
6
英寸、
0.8
-
1.2
微米的芯片生产线。工程从开始立项到真正投产历时
7
年之久。
1984
年至
1990
年,我国掀起第二波建厂热潮,先后共引进
33
条集成电路生产线。限于当时“巴统”的禁运政策,引进设备基本上都是国外已淘汰的。
1991
年,我国的集成电路年产量首次超过
1
亿块,标志着我国进入集成电路工业化大生产阶段(比美国晚
25
年,比日本晚
23
年)。
1992
年
,第一条
5
英寸集成电路生产线在
上海飞利浦半导体公司
(
现积塔
/
上海先进
)
建成投产。
199
3
年
,熊猫
CAD
系统
软件正式发布。熊猫
CAD
是当时的中国为了突破
“巴统”的禁运而
实施
的项目。
198
9
年国家倾尽全力
,
集合了全国科研院所、企业的
117
名研究人员和
1
名华人科学家汇集于北京集成电路设计中心,从零开始
CAD
软件的攻坚工作。熊猫
CAD
系统
软件是我国第一套自主知识产权的
CAD
系统,打破了国外对我国
CAD
技术的长期封锁。
1993
年
,无锡华晶采用
2.5
微米工艺
成功
制造第一块
256K DRAM
(
相比韩国晚
7
年
)。
1994
年,我国的集成电路年进口量超过
50
亿块,当年我国的集成电路年产量突破
2
亿块。
1995
年
,电子部提出
“九五”
集成电路发展战略
:
以市场为导向,以
CAD
为突破口,产学研用相结合,以我为主,开展国际合作,强化投资,加强重点工程和技术创新能力的建设,促进集成电路产业进入良性循环。
1995
年
1
月
,首钢
NEC
建成首条
6
英寸
1.2
微米生产线
,
初期
生产
4M DRAM
。
1995
年
12
月
13
日
,
国务院召开总理办公会议,决定启动
“
909
”工程
,
投资
100
亿元,建设一条
8
英寸、
0.5
微米工艺的生产线
。
1995
年
7
月,
原电子部
提出了
“设立
“九五”
集成电路专项
的
报告
”,报告提出
“九五”
期间应继续实施集成电路专项工程,建议简称
909
工程。
1995
年
11
月
23
,电子部向国务院提交了《关于
报请国务院召开会议研究设立
“九五”
集成电路专项
的
请示
》。
909
工程是
我国
电子工业有史以来投资规模最大的项目,表现了当时党和国家的领导人迫切希望提高我国集成电路水平。
1996
年
3
月
29
日
,国家
计委
正式批复
“
909
工程”立项,
4
月
9
日,
“
909
”工程的主体承担单位上海华虹微电子有限公司正式成立。
同
年
11
月,《
Wassenaar Arrangement
瓦森纳协定》
开始
实施
,
“瓦协”包含两份控制清单:一份是军民两用商品和技术清单,涵盖了先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统等
9
大类;另一份是军品清单,涵盖了各类武器弹药、设备及作战平台等共
22
类。中国同样在被禁运国家之列。
1997
年
7
月
31
日,第一条
8
英寸生产线在上海开工建设。
1997
年,我国的集成电路年产量首次超过
10
亿块,从
1
亿块到
10
亿块,我国用了
6
年时间。
1998
年
1
月
,华晶与上华合作生产
MOS
圆片合约签定,有效期四年,华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务
,
从此开始了
我国
的
Foundry
时代
。
1998
年
4
月,集成电路“
908
”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌,
分别是
信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业
771
研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。
1998
年
9
月
24
日
,上海贝岭
在上海证券交易所成功上市
,成为第一家登
陆
主板的集成电路公司。
1998
年,我国的集成电路年进口量超过
100
亿块,当年我国的集成电路年产量不足
20
亿块。
1999
年
2
月
23
日
,第一条
8
英寸
0.35
微米生
产线在华虹
NEC
建成投产
;
9
月
28
日正式投产
。
1999
年
12
月
,
北京大学微处理器研究开发中心研制成功了国内第一套支持微处理器正向设计的开发平台,并研制成功了
16
位微处理器原型系统,“中国芯”的名字也因为这项成果广为流传。
全面发展期
(
2000-2014
)
“
18
号文”发布,加大了对集成电路的扶持力度,
集成电路产业获得快速发展!
集成电路产业链布局日益完善,
产业
规模、创新能力
、
产业水平显
著
提高!
2000
年
6
月
24
日,国家发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(
简
称
18
号文),加大了对集成电路的扶持力度
。
2000
年
2
月至
2001
年
12
月
,科技部依次批准
在
上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳等地区批准建立了
七
个
“国家集成电路设计产业化基地”,以优化产业环境,为各地新兴的
IC
设计公司提供全方位的孵化服务。
2008
年
5
月批准建立济南成立设计基地。
2000
年
8
月
24
日,
中芯国际在上海浦东新区张江高科技园区开始正式打桩,中国集成电路产业写下新的
篇章
。中芯国际
于
2000
年
4
月
成立。
2000
年
10
月
30
日
,
上海华虹
NEC
生产线项目通过国家验收,转入正式
运
营
。
2000
年,我国集成电路产业规模首次突破
200
亿元。
2001
年
2
月
27
日,
我国第一条可满足
0.25
微米线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线在北京有色金属研究总院建成投产,标志着我国深亚微米超大规模集成电路用硅单晶抛光片的生产达到世界先进水平。设计能力为年产8英寸硅单晶抛光片
6000
平方英寸
。
2001
年
3
月
28
日,国务院第
36
次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》,
4
月
2
日颁布
,
自
10
月
1
日起施行。
2001
年
7
月
29
日
,
北京有色金属研究总院宣布,成功拉制出国内第一根直径
4
英寸
VCZ
(
蒸气压控制直拉法
)
半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家,这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。
2001
年
9
月
25
日,中芯国际
上海
FAB1
举行了投产庆典,第一片
8
英寸、
0.25
微米芯片上线生产。
2001
年
,互联网经济泡沫破裂,全球半导体产业规模近乎腰斩,从
2000
亿美元下滑到
1400
亿美元。
2002
年
3
月
,华虹
NEC
开始组建代工部,
转型进入晶圆代工领域
,
到
2004
年彻底退出
DRAM
制造领域
。
2002
年
9
月
28
日
,
32
位处理器龙芯
1
号(
Godson-1
)
正式上市
,内频
266 MHz
,
采用
0.18um CMOS
工艺制造。基于龙芯
CPU
的网络安全设备可以满足国家政府部门,企业机关对于网络与信息系统安全的需求。
2003
年
3
月
11
日,士兰微在上海交易所上市,成为第一家登陆主板的集成电路设计公司。
2003
年
6
月
3
日,长电科技在上海交易所上市,成为第一家登陆主板的集成电路封装公司。
2003
年
10
月
,
教育部、科技部批准了清华大学、北京大学、复旦大学、浙江大学、西安电子科技大学、上海交通大学、东南大学、华中科技大学
、电子科技大学等九所高校为首批国家集成电路人才培养基地的建设单位
;
2004
年
8
月,教育部批准了北京航空航天大学、西安交通大学、哈尔滨工业大学、同济大学、华南理工大学和西北工业大学等六所高校为国家集成电路人才培养基地的建设单位
;
2009
年
6
月教育部批准了北京工业大学、大连理工大学、天津大学、中山大学、福州大学等五所高校国家集成电路人才培养基地的建设单位。至此,国家集成电路人才培养基地的布局初步形成。
2003
年
12
月
8
日
,北大众志
863
CPU
系统
芯片
发布
,分别采用
0.25
微米
和
0.18
微米
工艺流片,内部集成了
32
位定点微处理器、
64
位浮点协处理器,
内有
8
百万
晶体管,体系结构、指令系统、系统软件、支撑软件等均为自行开发,拥有完全自主知识产权
。
2003
年,我国的集成电路年产量首次超过
100
亿块,从
10
亿块到
100
亿块,我国用了
6
年时间。
2004
年
7
月
14
日:中美关于中国集成电路增值税问题的谅解备忘录于在日内瓦签署。至此,中美在世贸组织争端解决机制下的集成电路增值税争端得到解决
2004
年
7
月
,第一条
12
英寸生产线在中芯国际北京厂
试投
产
,
2005
年
3
月正式投产,
初期使用
0.11
微米及
0.10
微米生产工艺制造
512Mb DDR2 SDRAM
。
2004
年
9
月,
首颗通信
SoC
芯片
COMIP
研发成功,采用台积电
0.18mm CMOS
工艺、
BGA
方式封装,芯片外观尺寸仅为
19mm
×
19mm
,结束了中国在通信技术领域没有中国“芯”的历史。
2004
年
10
月
18
日
,华为旗下的海思半导体宣告成立
,前身是创建于
1991
年的华为集成电路设计中心。
2004
年
,
中国电科
13
所推出
第一只宽禁带氮化镓功率器件。
2004
年,我国集成电路产业规模首次突破
500
亿元。
2005
年
3
月
23
日
,财政部、信息产业部、国家发改委
为鼓励集成电路企业加强研究与开发,设立了集成电路产业研究与开发专项资金,制定了《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》
(
简称
“
132
号文”
),
132
号文件成为
18
号文修改后的重要补充部分
。
2005
年
11
月
15
日,中星微正式在美国纳斯达克上市,成为第一家登陆纳斯达克的中国集成电路设计公司;
11
月
30
日珠海炬力在美国纳斯达克挂牌上市。这
无疑是中国半导体产业的一个重大事件,风险投资在其后的一年多时间里对中国半导体行业空前关注和看好
。
2006
年
2
月
9
日,《国家中长期科学和技术发展规划纲要(
2006-2020
年)》发布。规划纲要确定了“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件(
01
专项)”和“极大规模集成电路制造技术及成套工艺(
02
专项)”等
16
个重大专项;
2009
年开始实施。
2006
年
4
月
21
日
,武汉新芯成立,
2008
年开始
为
客户提供专业的
300mm
晶圆代工服务,在
NOR Flash
和
CIS
领域积累了
超过
10
年的制造经验,
成为
世界领先的
NOR Flash
提供商之一。
2017
年武汉新芯开始聚焦
IDM
战略,发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌,致力于开发高性价比的
SPI NOR Flash
产品。
2006
年