创造“芯”世界，了解您所不知道的微纳电子器件

●鲁汶大学应用科学博士学位（1986 年）

●研究领域： 非易失性半导体存储器件与技术、超大规模集成电路技术的可靠性物理研究、MOSFET 热载流子效应、氧化物的经时绝缘击穿、NBTI 效应、ESD 防护和测试、等离子体处理诱导损伤、半导体电学表征和高 k 介质表征与可靠性。同时，他还致力于研究后 CMOS 应用中的纳米技术，例如互联和传感器应用中的碳纳米管、可替代超低功率器件的隧道 FET 等等

●鲁汶大学教授，并任欧洲 Erasmus Mundus 奖学金研究生项目主任

●所获荣誉：IEDM 欧洲组织主席（2000-2002），比利时鲁汶半导体绝缘膜（INFOS）大会主席（2005），荷兰马斯特里赫特欧洲 ESREF 会议发起人之一（2008）IEEE 电子器件会刊（IEEE Transactions on Electron Devices）总编（1999-2006）

1. Basic definitions, concepts and statistics of reliability engineering – 3.5hr

1.1 Definitions and terminology

          ● reliability and failure

          ● intrinsic, extrinsic, sudden, gradual failures

          ● bath tub curve

1.2 Reliability mathematics

          ● probability concepts

          ● reliability and failure functions

          ● common reliability distribution functions

1.3 Reliability testing principles

          ● temperature, voltage, humidity acceleration

          ● fatigue testing

          ● Screening

1.4 Analysis of failure data

          ● ranking of failure data

          ● censoring of failure data

          ● fitting of failure data

1.5 Effects of scaling on reliability

2. Gate oxide and Hot Carrier Degradation – 2.5h

2.1 Introduction

2.2 Basic oxide properties

          ● Oxide defects and charges

          ● Oxide conduction

          ● Oxide characterization techniques

          ● Oxide degradation

2.3 Hot Carrier Degradation (HCD)

          ● Hot carrier injection

          ● Effects of hot carrier injection

          ● Acceleration models and examples

          ● Dynamic degradation

          ● How to improve HCD

3. Time Dependent Dielectric Breakdown – 3h

           ● Basics

           ● TDDB testing: VBD, CVS, CCS, QBD

           ● Statistics

           ● Extrinsic breakdown

           ● Area scaling 

           ● Percolation model and implications

           ● Acceleration model and reliability predictions

           ● Phases of breakdown: SILC, SBD, progressive BD

           ● TDDB in FinFET’s

讲座时间：2017年4月10-12 日（3天）

讲座地点：南京明发珍珠泉大酒店

                    南京浦口区珍珠街178-1号

注册费为5396元/人（含面授费、场地费、资料费、午餐费），学员需自理交通、食宿等费用。

注册费用减免条件及价格如下：

国信艾麦克（北京）信息科技有限公司由中心和IMEC共同设立，为本期国际名家讲堂提供会务服务并开具发票，发票内容为项目培训费。请于2017年4月6日前将注册费汇至以下账户，并在汇款备注中注明款项信息（第37期+单位+参会人姓名）。

户  名：国信艾麦克（北京）信息科技有限公司

开户行：工行北京万寿路南口支行

帐  号：0200186409200051697  

或请携带银行卡至活动现场，现场支持 POS 机付款。

报名截止日期为2017年4月6日，采用以下方式：

1. 邮件报名（推荐）

报名回执表下载链接：

http://www.icplatform.cn/form

填写报名回执表并发送Word电子版至“国家IC人才培养平台”邮箱，邮箱地址：[email protected]，回执表文件名和邮件题目格式为：报名+第37期+单位名称+人数。

2. 微信报名

关注微信公众号“国家IC人才培养平台”（微信号：ICPlatform），并点击下方选项卡“在线报名”填写相关信息。

注：提交报名表并交纳报名费后方视为报名成功

3. 优惠政策

⑴、“芯动力”合作单位享受价格优惠，详情请咨询产业合作组贺老师，电话：010-68208714 。

⑵、针对高校推出Bonus Class Ⅱ优惠政策：

自2017年2月15日起，凡付费参加我中心与比利时微电子研究中心（IMEC）联合举办的国际名家讲堂的高校教师，可免注册费携1名学生参会。

上述学员需提供由所在学校出具的证明公函，加盖学校公章，并发送电子扫描件至[email protected]，经工作人员审核后，方可凭借Bonus ClassⅡ资格参会。

为方便学员住宿与听课，提高服务水平，本次国际名家讲堂提供协议酒店预订服务，预订成功后，我们会代您预付保证金，且房间不可取消。

酒店名称：南京明发珍珠泉大酒店

地        址：南京浦口区珍珠街178-1号

协议价格：

标准双人房（含早餐） 338元/间

标准大床房（含早餐） 338元/间

请需要预订酒店的学员填写以下信息，并在4月6日17:00前，按照以下示例发送邮件至邮箱 [email protected]。

邮件题目格式为：第37期+预订酒店

邮件内容：姓名+性别+房型+入住时间+离店时间+手机号+是否合住

酒店预订成功后的两个工作日内，会务组将向您发送确认回执邮件。

预定酒店联系人：

 刘慧  13510902565    [email protected]

工业和信息化部人才交流中心

2017年3月27日