微纳电子技术做为信息技术的基石，推动了无线通信技术不断向前发展。随着亚纳米时代的到来，器件小型化的不断发展和集成度的不断提高，传统的硅基半导体器件已经逼近了其极限尺寸。
与此同时，随着实验制备工艺和合成技术的发展，越来越多的纳米材料和纳米结构不断涌现。得益于微小的结构和敏感的量子效应，微纳电子器件在信息感知、物质探测等方面具有先天的优势。相比于传统器件，其具有灵敏度高、能耗低、尺寸小、易集成的优点，具有非常广阔的市场前景。
本课程详细介绍了微纳电子器件的物理特性，相关可靠性分析和失效数据分析等概念内容以及应用之中需要主要的问题等等，以飨读者。
微纳电子器件-前端可靠性
主讲专家：
Guido Groeseneken
●鲁汶大学应用科学博士学位（1986 年）
●研究领域： 非易失性半导体存储器件与技术、超大规模集成电路技术的可靠性物理研究、MOSFET 热载流子效应、氧化物的经时绝缘击穿、NBTI 效应、ESD 防护和测试、等离子体处理诱导损伤、半导体电学表征和高 k 介质表征与可靠性。同时，他还致力于研究后 CMOS 应用中的纳米技术，例如互联和传感器应用中的碳纳米管、可替代超低功率器件的隧道 FET 等等
●鲁汶大学教授，并任欧洲 Erasmus Mundus 奖学金研究生项目主任
●所获荣誉：IEDM 欧洲组织主席（2000-2002），比利时鲁汶半导体绝缘膜（INFOS）大会主席（2005），荷兰马斯特里赫特欧洲 ESREF 会议发起人之一（2008）IEEE 电子器件会刊（IEEE Transactions on Electron Devices）总编（1999-2006）
