1. InSe晶体的合成
原料：使用金属级纯度的铟（In）和硒（Se）粉末，摩尔比为1:1。
合成过程：
将In和Se粉末在真空（3×10⁻³ Pa）条件下密封于石英安瓿中。
将密封好的石英安瓿水平放置在管式炉中，缓慢加热至850°C，并在此温度下保持72小时。
通过缓慢冷却至室温，获得高质量的InSe单晶。
2. InSe单层墨水的制备
电化学分子插层与剥离：
电解质溶液：将四烷基氢氧化铵（THAB）溶解在乙腈（ACN）中，浓度为0.01 M。
电化学插层：以新鲜解理的InSe晶体为阴极，石墨棒为阳极，银离子电极为参考电极，施加-3.2 V电压，反应时间为2小时。
剥离过程：将插层后的InSe晶体转移到二甲基甲酰胺（DMF）中，通过超声处理（5分钟）实现剥离。
操作环境：所有操作均在充满氮气的手套箱中进行，氧气和水分含量低于1 ppm。
溶剂处理：乙腈和DMF溶剂在使用前用氮气脱气，并用分子筛干燥以去除溶解氧和残留水分。
单层纯化：
剥离后的InSe单层溶液通过离心（1697g，5分钟）去除大块杂质。
再次离心（12838g，10分钟）收集单层纳米片，并将其重新分散在DMF中，制成最终的墨水溶液。
3. 基底处理
硅基底处理：
使用CH₃OH/HCl溶液（体积比1:1）处理SiO₂/Si基底30分钟，使其表面亲水。
在基底表面通过气相沉积法生长（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APTES）自组装单分子层（SAM），生长时间为30分钟。
在手套箱中将处理后的基底在120°C下烘烤30分钟，以去除多余的硅烷分子。
4. InSe薄膜的组装
薄膜制备：
在手套箱中，将InSe墨水溶液通过离心（1071g，5分钟）去除沉淀物，调整最终浓度。
使用紫外-可见光光谱仪监测墨水溶液的浓度，典型吸收值为2.20（波长340 nm）。
通过旋涂法将InSe墨水溶液沉积在预处理的SiO₂/Si基底上，旋涂参数为：第一圈2000 rpm，20秒；后续圈2500 rpm，20秒。
每次旋涂后，将薄膜在100°C下烘烤3分钟，重复6次旋涂以获得用于器件制备的薄膜。
配体交换：
将制备好的薄膜浸入不同的配体交换溶液中（如四甲基铵六氟磷酸盐[TMAPF6]、十六烷基三甲基溴化铵[CTAB]等），室温下反应2小时。
用干净的溶剂冲洗薄膜10-30秒，然后在手套箱中吹干。
5. 薄膜的热处理
将经过配体交换或未经过配体交换的InSe薄膜在氮气手套箱中加热至300°C，保持2小时，以去除有机分子并转化为纯InSe薄膜。
6. 器件制备
薄膜晶体管（TFT）制备：
在200 nm厚的SiO₂/Si基底上沉积InSe薄膜。
使用热蒸发法通过金属掩模沉积源极和漏极电极（Cr/Au，20/50 nm）。
在器件封装时，使用原子层沉积（ALD）在晶体管顶部沉积10 nm厚的Al₂O₃保护层。
逻辑门器件制备：
使用光刻法在InSe薄膜上制备局部底栅（Cr/Au，10/30 nm）。
在200°C下通过ALD生长30 nm厚的Al₂O₃介电层。
使用光刻和干法刻蚀（氩等离子体刻蚀）对InSe薄膜进行图案化。
最后，通过光刻、氧化层刻蚀和金属化（Cr/Au，20/50 nm）完成电极互连。
