计算光刻作为现代芯片制造光刻环节的核心技术之一，其发展经历了从规则导向到模型驱动的转变。然而，随着制程迈向7nm乃至5nm节点，传统方法因规则局限、优化自由度不足等制约，难以满足复杂芯片设计的高要求。在此背景下，ILT（反向光刻技术）以其独特的优化思路应运而生。

“ILT即从目标芯片图案出发，逆向推导获得最优化掩模图案，极大地提升优化的灵活性和精准度，更能满足先进制程对图形精度的苛刻需求。”该负责人表示，因此，在探索7nm及以下制程的征途中，ILT技术无疑将是提升制造良率的关键技术，尤其在尖端光刻设备受限的国内环境下，其重要性更是不言而喻。

作为探索ILT技术的先驱之一，东方晶源ILT采用GPU集群高性能计算解决方案，解决了计算量大的难题，率先实现了全芯片级别的基于ILT技术的掩模优化。此次面对7/5nm等先进制程，东方晶源ILT解决方案又带来了哪些革新和技术优势？

独创的混合掩模优化方法，显著降低计算复杂度，提升整体计算效率，特别是在优化辅助曝光信号的同时考虑三维掩模效应，提供更为精准的掩模结果；引入人工智能技术进一步解决ILT所需运算时间长的弊端，其深度学习模型预测结果与ILT计算结果相似度高达95%，同时获得近十倍的提速；支持矩形图形（Rectangle）、曼哈顿图形（Manhattan）以及曲线图形（Curvilinear）的不同复杂度掩模设计，适应不同用户及应用场景需求。

据悉，自2014年成立以来，东方晶源在计算光刻领域持续创新，构建了全面且领先的技术体系，旗下计算光刻平台PanGen®已经形成八大产品矩阵，包括Model、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC，具备完整的计算光刻相关EDA工具链条，并已在国内各大Fab厂商广泛应用，量产掩模超6000张。随着ILT解决方案的不断革新，其在效率和性能上的优势更加突显，必将在先进制程研发和应用中发挥重要作用，在提升良率、降低生产成本方面展现出独特的价值。