电子系统的集成主要分为三个层次（Level）：芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，如下图所示：
封装内集成的基本单元是上一步完成的裸芯片或者小芯片Chiplet，我们称之为功能单元 (Function Unit)，这些功能单元在封装内集成形成了SiP。
从极简的视角来说，我们需要了解三类材料和三类工艺。导体、半导体、绝缘体虽然芯片上的材料非常多，现代集成电路中用到的材料几乎要穷尽元素周期表，所有的材料可以分为三大类：导体、半导体、绝缘体。导体负责传输电子，绝缘体负责隔离电子，其中最重要的自然是半导体，因为它是可变的，它有时候变成导体（导通），允许电子通过，有时候可变成绝缘体（关断），阻隔电子通过。并且，这种变化是可控的，通过设计特别的结构，并施加电流或者电压来控制。
加工艺
简单来说就是在基底上增加材料，例如，离子注入，溅射、化学气相沉积CVD，物理气象沉积PVD等都可以归类为加工艺。
减工艺
简单来说就是在去除材料
，例如刻蚀，化学机械抛光CMP，晶圆整平等都
可以归类为减工艺
。
图形转移
是
三类工艺里面最多且最难的
，因为每一步的加工艺或者减工艺基本都要以图形转移为依据。图形转移就是将设计的出来的图形，转移的晶圆上，涉及到的是掩膜、光刻、光刻胶。
产品是晶圆，晶圆被切割后就形成了芯片Chip或者芯粒Chiplet，为下一个层次的集成做准备。
封装内集成不会用到半导体的特性，因此封装内集成所用的材料主要分为两大类：导体和绝缘体，集成的主要目的就是将上一层次
（芯片上的集成）
所完成的芯片或芯粒在封装内集成并进行电气互联，形成微系统
封装内集成的结果就是形成以SiP、先进封装为代表的功能单元，我们可以称之为微系统。
今天，PCB上基本都是双面安装元器件，板层也能达到几十层，高密度HDI板、刚柔结合板，微波电路板，埋入式器件板等都在广泛应用。
和封装内的集成一样，PCB上集成也不会用到半导体的特性，因此所用的材料主要分为两大类：导体和绝缘体。
芯片上的集成主要分为两大环节：器件制造和金属互连，也称为前段工艺FEOL和后段工艺BEOL。
器件制造就是在单晶硅片上通过光刻、刻蚀，离子注入，溅射、化学气相沉积，物理气象沉积、化学机械抛光、晶圆整平等工艺步骤，制造出被我们称为功能细胞的晶体管、电阻、电容、二极管等。现在的5nm工艺可以在1mm²毫米的面积上制造出超过1亿只以上的晶体管。
下图所示为FinFET晶体管在显微镜下的照片，其中较高的白色横梁为栅极G，矮横梁为Fin，其宽度约为栅极宽度的0.67倍，栅极的两侧为源级S和漏极D。
晶体管层制造好后，通过钨等金属制造接触孔contact连接晶体管和首层布线，然后通过多层金属布线和过孔进行电气互连，早先的芯片用铝布线，现在的芯片多用铜布线。
下图所示为芯片上的金属互连线在显微镜下的照片，可以看出多层布线结构，目前的工艺可以支持超过10层以上的金属布线。
下图给出了前段工艺FEOL和后段工艺BEOL的结构示意图，先在硅基底上制造晶体管，然后通过金属互连将它们连接起来并引出到芯片的PAD。
通过键合线Bond Wire将芯片的PAD连接到封装基板或者引线框架，然后再连接到外部引脚，通过引脚的排列方式，可分为BGA，CGA，QFP，LCC，SOP，DIP等多种封装形式。
为了提高封装内的功能密度，需要在封装内集成更多的功能单元，传统的键合线连接方式已经无法满足要求，人们发明出多种多样的先进封装技术，下面我们就看看其中最为典型的技术。
在芯片表面布线，通过RDL (Redistribution Layer) 重新布线层将PAD连接到占位更宽松的位置并制作凸点Bump，我们称之为XY平面的延伸。
然后通过Bump，芯片就可以直接安装在基板上了，这种工艺被称为倒装焊 Flip Chip，看看下面的图，你就会明白为啥叫倒装了。
倒装焊芯片由于无法堆叠，因此无法进行Z轴的延伸，人们就发明出了能打穿整个芯片体的通孔技术，被称作TSV（Through Silicon Via）技术。
