不忘初心 砥砺奋进|第十五届全国MOCVD学术会议胜利闭幕

8月23日下午，第十五届全国MOCVD学术会议以“MOCVD与智能光电”为主题，在来自国内外MOCVD领域500+专家学者代表参与和见证下，正式在江西井冈山衡山大酒店胜利闭幕。

在闭幕式报告环节，由五位特邀主题报告，由半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员和山东大学徐现刚教授共同主持。

半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员

山东大学徐现刚教授

北京大学宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室沈波教授

北京大学宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室沈波教授分享了“氮化物半导体及其量子结构的大失配异质外延”主题报告。沈波教授表示，由于异质外延和体系内部大失配、强极化的特性，氮化物半导体及其量子结构的外延生长一眼面临一系列关键科学和技术问题，需要从生长动力学、缺陷物理和应力控制等角度开展系统的研究。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、纳米真空互联实验站黄增利则带来了“半导体异质结能带结构band-offset研究进展”特邀报告。黄增利表示，苏州纳米所在建超纳米超高真空互联平台是大型综合开放研究设施，未来将集材料生长、测试分析、期间工艺于一体的科学研究和技术开发新技术开放平台，热诚欢迎各位MOCVD领域专家参观交流，在开放平台研究工作，针对互联方向的研究完全免费开放使用。

山东大学、晶体材料国家重点实验室徐现刚教授介绍了“GaAs基大功率半导体激光器的材料设计及生长研究”特邀报告。徐现刚教授认为，GaAs基半导体激光器功率覆盖广，应用广泛，可在植物照明、红外照明等照明领域广泛使用；GaAs基大功率激光器材料决定了器件的指标，材料指标要求越来越细致，器件结构设计有待进一步深入研究，改善性能提高亮度。GaAs基激光器芯片是重要的基础器件，与集成电路同等重要，不可忽视。

发光学及应用国家重点实验室主任、中科院长春光机物理所申德振研究员分享了“宽带氧化物半导体光电特性研究”特邀报告。申德振研究员回顾了半导体光电子发展，并分享了宽带氧化物半导体光电特性研究进展，ZnO基P型掺杂及紫外发光与激光研究进展，ZnO基紫外探测器研究进展，宽带氧化物半导体微波隐身特性研究进展，也分享了未来发展的建议。

南昌大学、国家硅基LED工程技术研究中心张建立分享了“硅衬底InGaN基长波段LED光电特性研究”特邀报告。张建立表示，硅衬底InGaN基LED在长波段取得了较大的进展，“黄光鸿沟”得到了大幅度缓解，黄光LED光效提高到130-180lm/w，绿光LED光效提高到180-300lm/w，无需蓝光激发、无荧光粉LED照明技术正在路灯、台灯市场示范应用，正为LED照明技术和产业增添新的活力。InGaN基长波段LED光效还有进一步提升的空间，在高品质智能照明、微显示、光伏等方面拥有极大潜力。我国LED和LED照明技术应该有更大的理想，期待产、学、研、用共同努力，是我国LED产业引领世界。

随后，南昌大学副校长江风益教授主持大会闭幕式环节，并宣布了大会优秀论文获奖名单并举行了颁奖仪式。其中，北京大学徐越的《C掺杂GaN中替位式C杂质的实验研究》论文摘得大会优秀论文一等奖，范广涵教授为获奖代表颁发荣誉证书和奖品。北京大学尹瑞苑、南京大学石娅婷、南京大学聂凯文获得二等奖，李晋闽研究员为获奖代表颁发荣誉证书和奖品。商洛学院杨超普、北京大学解楠、中科院物理研究所迭俊珲、中国科技技术大学何俊蕾、中科院物理研究所王彩玮、南京大学刘清获得三等奖，申德振研究员和徐现刚教授为获奖代表颁发证书和奖品。

大会组委会主任刘军林教授