三星宣布11nm新工艺，未来将采用EUV极紫外光刻技术

随着高通骁龙835、联发科Helio X3等10nm芯片的广泛应用，三星、台积电等企业纷纷发力更加先进的7nm工艺芯片。而今天，三星确认2018年下半年试产的7nm工艺将上EUV极紫外光刻(全面融合)，同时还公布了全新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”。

可能同学们要问了， 10nm都已经量产好久了么，怎么三星还在研究11nm的工艺呢？原来，三星的11nm工艺意在填补14nm与10nm芯片之间的空白，其实也是为了对标台积电12nm FinFET。三星对外宣称性能提升了15%，单位面积的功耗降低了10%，但是各大网站都陆续发现了这次三星的11LPP不是开发的新工艺，而是一部分采用10nm BEOL(后端工艺)，大大缩小芯片面积，另一部分则沿用14nm LPP工艺的部分元素，来拼合而成的新11nmLPP。

看起来三星又在14nm工艺的芯片上换了个马甲，Intel说的没错，你们几家小厂子自己小打小闹还乱取名字，活该落后我们整整一代的产品。

三星还给自家的产品制定好了发展路线，10nm芯片会用于旗舰手机，11nm用于中高端手机，以形成差异化，预计新的11nm芯片将会在2018年上半年投放市场。同时，三星也成为了市场上最先确认7nm的公司，三星的7nm LPP定于2018下半年量产，将会采用EUV极紫外光刻技术。

▲EUV光刻机

EUV技术虽然发展至今虽然正在逐步走向成熟，但仍是困难重重，但是三星表示，从2014年开始，基于EUV技术已经处理了200000片晶圆，并且目前在256Mb SRAM（静态随机存储器）良率已经达到了80%。

Emmmmm~这个月好像各家公司都突然开窍了，不知道怎么回事自己家的新工艺都成熟了，不过表面上虽然都宣传的很强劲，但是具体几分能耐也只有他们自己知道吧，我们作为消费者，我们就搬着小板凳静静等着产品发布吧~