2018年12月9-12日，第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）在云南省昆明云安会都酒店召开。会议吸引了来自中国、美国、俄罗斯、加拿大、德国、法国、日本、韩国等国在内的十二个国家和地区的270余位代表出席了本次会议。
开幕大会现场
大会程序委员会联合主席、中国半导体研究所研究员 王军喜 主持开幕式
第一、第二届IWUMD分别在中国北京、日本福冈举办。本届会议由中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和半导体照明联合创新国家重点实验室联合主办，北京大学、厦门大学、昆明理工大学共同协办。同时还得到了中科潞安、TES、奥趋光电、中乌新材、大族激光、隆兴达、脉科、美扬科技、纳维科技、国星光电、中国电子科技集团有限公司第二研究所、Crosslight、Aixtron、北方华创、鸿利智汇等单位的大力支持。
大会主席、中科院半导体研究所照明研发中心主任 李晋闽为大会致辞
厦门大学校长张荣致辞并担任嘉宾主持
大会程序委员会主席、北京大学王新强教授汇报会议情况
本次会议特别邀请了国内外在紫外材料和器件相关领域的20多位知名专家就AlN、BN和Ga2O3等的紫外材料的外延生长、物理机制和相关器件等方面做了特邀报告，充分展示了国内外在这些技术领域的最新成果和最新动态，特别是我国在紫外相关材料和器件方面的最新进展。目前我国的研发及产业化水平已达到国际先进水平。此外大会内容丰富，包括会前特邀五位国际专家进行了专题培训；除了开闭幕大会以外，还设置了两个并行分会，邀请报告、口头报告和海报等环节，受到了参会代表的一致好评。
大会现场
培训现场
分会一
分会二
分会三
分会四
由于半导体照明新兴产业的带动，紫外材料和器件技术及其相关应用得到了前所未有的快速发展。本次会议为国内外从事紫外材料和器件相关技术研发的科研人员提供相互了解和交流的机会，促进了国内外紫外材料和器件相关研究机构的沟通与合作，为进一步加快我国紫外材料和器件技术创新及该技术的产业化推广应用起到了积极的作用。
海报展示
优秀论文颁奖
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