【科学家开发氮化镓互补逻辑电路，p沟道晶体管电流高达23mA/mm，为AI服务器电力管理提供新技术路径】
近年来，随着 #人工智能# 的快速发展，AI 算力中心的能耗急剧上升，电力供应也面临巨大压力。
此前， #特斯拉# 创始人兼 CEO 埃隆· #马斯克# 曾对 AI 所面临的瓶颈做出预测。他认为，AI 第一个阶段的瓶颈在算力芯片，而下一阶段的瓶颈将是电源管理。马斯克指出，“电力供应可能将不足以为越来越多的 AI 芯片供电。”
AI 服务器集群的电力管理问题亟待解决，而电源管理系统占据算力中心可观的空间，严重限制了算力服务器的算力密度提升。
近期，北京大学沈波教授和魏进研究员团队的一项研究为解决电源管理芯片的瓶颈提供了新的思路，也为未来 AI 算力中心的电力管理提供了新的技术路径。
他们提出了一种极化增强电离技术，通过极化电场诱导受主完全电离，显著提高了氮化镓（GaN）基 p 沟道场效应晶体管（p-FET，p-channel Field Effect Transistor）的载流子浓度及驱动电流密度。
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科学家开发氮化镓互补逻辑电路，p沟道晶体管电流高达23mA/mm，为AI服务器电力管理提供新技术路径
近年来，随着 #人工智能# 的快速发展，AI 算力中心的能耗急剧上升，电力供应也面临巨大压力。
此前， #特斯拉# 创始人兼 CEO 埃隆· #马斯克# 曾对 AI 所面临的瓶颈做出预测。他认为，AI 第一个阶段的瓶颈在算力芯片，而下一阶段的瓶颈将是电源管理。马斯克指出，“电力供应可能将不足以为越来越多的 AI 芯片供电。”
AI 服务器集群的电力管理问题亟待解决，而电源管理系统占据算力中心可观的空间，严重限制了算力服务器的算力密度提升。
近期，北京大学沈波教授和魏进研究员团队的一项研究为解决电源管理芯片的瓶颈提供了新的思路，也为未来 AI 算力中心的电力管理提供了新的技术路径。
他们提出了一种极化增强电离技术，通过极化电场诱导受主完全电离，显著提高了氮化镓（GaN）基 p 沟道场效应晶体管（p-FET，p-channel Field Effect Transistor）的载流子浓度及驱动电流密度。
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