这个问题还真是有点烧脑。我们不妨先看看高中物理学过的极板电容器被充了电，其质量是否有变化。与其说给电容充电，不如说是给电容“充能”，本侧负电荷越多，对面的正电荷也相应越多，整个电容其实是电中性的。给电容充电所使用的电源的负极输出了假设1000个负电荷到电容负极板上，那么电源的正极就要相应的吸纳1000个负电荷，因为电流在电路中是整体移动的，不存在某些路段电流高某些路段电流低的情况。那么电源正极吸纳的1000个负电荷是从哪里来的？当然是从电容的正极板上吸过来的，所以电容正极板上自然就露出了1000个正电荷，这样在电容两个极板之间就产生了电势差，相当于正极板贡献了1000个电子给负极板。

那么再来看看RAM。RAM里每一个Cell本质上就是一个微型电容器，那么你说它充电或者放电之后 质量有变化么？没有 。

再来看看NAND Flash，还不懂NAND Flash基本原理的可以翻看本公众号历史文章了。NAND Flash的Cell本质上是在晶体管的栅极下方加入一个绝缘系数较高的微型电容，这样给电容充电之后，这个电容自放电速度将会非常慢，所以掉电也能保存数据。总之，对NAND Flash充电的电源，负极虽然提供给Cell一堆电子，但是电源也会从Cell中吸纳1000个电子输送给电源正极，也就是说，在Cell内部其实是有个电势差的，整体是电中性， 所以，质量不变 。

再来看看磁盘。磁盘存储的原理就是通过磁头改变磁盘上磁畴的磁化方向，这个过程 不会引入新物质，质量不变 。

怎么样，你懂了么？

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