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功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电
阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的
关系曲线可从制造商的手册中获得。
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，
多数情况下，因其特性很差，要避免使用。
功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，
温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电
阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重
要的一种工作状态。
功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度
等有关，大小可从制造商的手册中获得。
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。
-- 门极与源极间的电压
V
gs
控制器件的导通状态；当
V
gs
<
V
th
时，器件处于断开状态，
V
th
一般为 3V；当
V
gs
>
V
th
时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与
V
gs
有关，
V
gs
大，
通态电阻小；多数器件的
V
gs
为 12V-15V ，额定值为+-30V；
-- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有
超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；
-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动
的对称性和动态均流问题；
-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其
V
gs
只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；
-- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为
2-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件；
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个
理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一
般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
（2）：MOSFET 的电压和电流波形：
（3）：开关过程原理：
-- 在
t
0
前，MOSFET 工作于截止状态，
t
0
时，MOSFET 被驱动开通；
-- [
t
0
-
t
1
]区间，MOSFET 的GS 电压经
V
gg
对C
gs
充电而上升，在
t
1
时刻，到达维持电压
V
th
，
MOSFET 开始导电；
-- [
t
1
-
t
2
]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对
GS 电容的充电影响不大；
-- [
t
2
-
t
3
]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，
外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS
电容上的电压继续减小；
-- [
t
3
-
t
4
]区间，至t3 时刻，MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和
GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升，至t4 时刻为止。此时GS 电容电压
已达稳态，DS 电压也达最小，即稳定的通态压降。
-- 在
t
5
前，MOSFET 工作于导通状态，
t
5
时，MOSFET 被驱动关断；
-- [
t
5
-
t
6
]区间，MOSFET 的
C
gs
电压经驱动电路电阻放电而下降，在
t
6
时刻，MOSFET 的通态
电阻微微上升，DS 电压梢稍增加，但DS 电流不变；
-- [
t
6
-
t
7
]区间，在
t
6
时刻，MOSFET 的Millier 电容又变得很大，故GS 电容的电压不变，放电
电流流过Millier 电容，使DS 电压继续增加；
-- [
t
7
-
t
8
]区间，至
t
7
时刻，MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 相同的电压，Millier 电容迅速减小，
GS 电容开始继续放电，此时DS 电容上的电压迅速上升，DS 电流则迅速下降；
-- [
t
8
-
t
9
]区间，至
t
8
时刻，GS 电容已放电至Vth，MOSFET 完全关断；该区间内GS 电容继续
放电直至零。
（2）：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形：
该公式对控制整流和同步整流均适用
该公式在体二极管导通时适用
为MOSFET 器件与二极管回路中的所有分布电感只和。一般也可将这个损耗看成器件的感性关断损耗。
考虑二极管反向恢复后：
关断损耗：
驱动损耗：
（A）：根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下表）：
（B）：选择时，如工作电流较大，则在相同的器件额定参数下，
-- 应尽可能选择正向导通电阻小的 MOSFET；
（2）：选择步骤
（A）：根据电源规格，计算所选变换器中MOSFET 的稳态参数：
（B）：从器件商的DATASHEET 中选择合适的MOSFET，可多选一些以便实验时比较；
（C）：从所选的MOSFET 的其它参数，如正向通态电阻，结电容等等，估算其工作时的最大损
耗，与其它元器件的损耗一起，估算变换器的效率；
（2）：要求
