据日本富士经济(Fuji Keiz
ai
)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。
该机构指出，SiC功率半导体市场主要在中国和欧洲扩张，从2017年~2018年，SiC增长41.8％至3.7亿美元。目前，SiC-SBD（肖特基势垒
二极管
）占70％，并且主要在信息和通信设备领域需求增加。6英寸晶圆的推出使得成本降低，预计将进一步增长。此外，SiC-FET（场效应
晶体管
）主要在汽车和电气设备领域大大扩展。
海外汽车制造商计划在2022年左右将SiC功率半导体用于驱动
逆变器
模块，预计汽车和电气元件的需求将增加。尤其是欧洲和中国的需求领先，大型商用车和豪华车的采用正在扩大，预计将在2025年左右主流车辆开始采用。目前，Si功率半导体被用于驱动逆变器模块，车载充电器和DC-DC转换器，但预计将被SiC功率半导体取代。在铁路车辆领域，对新型高速车辆的需求正在增加，并且在工业领域中，预期将在大功率设备相关应用中比较常见。
虽然市场一直在放缓，但由于未来的高耐压，预计GaN功率半导体将主要在汽车和电气元件领域得到广泛采用。与SiC功率半导体相比，目前市场扩张速度缓慢，入门级
制造
