1.射频前端芯片研发投入分析：国内与海外的差距及影响
2.TOP 5均破千亿！中国集成电路TOP10城市竞秀，“千亿芯城”并驱共进
3.消息称富士康停止派遣中国大陆工人前往印度iPhone工厂
4.安森美：完成对Qorvo碳化硅JFET技术的收购
5.中央候补委员黄如院士，新职务明确
6.黄仁勋亮相英伟达北京年会现场：AI新时代已开始，中国员工流动率全球最低
7.台积电传再盖两座CoWoS厂 投资估超2000亿元新台币
1.射频前端芯片研发投入分析：国内与海外的差距及影响
在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。
射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从 4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端设备小型化、多功能化的需求。每一次技术的升级和应用场景的拓展，都要求对产品进行重新设计和优化，需要不断投入开发新的芯片设计方案以满足变化的市场需求，这无疑需要大量的研发资源投入。
国内外射频前端厂商研发投入存在巨大差距
然而，目前国内射频前端设计厂商在研发投入水平上与国外领先厂商存在显著差距。像 Skyworks、Qorvo、Murata 等海外巨头，长期以来都将大量资金投入到研发中，可以说，在研发投入层面，海外老牌射频前端厂商展现出压倒性优势。例如，Skyworks、Qorvo、Murata等海外老牌射频前端厂商，每年研发投入在40亿~60亿人民币，是国内射频前端厂商投入的10倍还多，这个水平的投入动辄已经超过国内最顶尖射频厂商卓胜微的营业收入规模。如此巨额资金，为其技术创新与产品迭代构筑坚实根基。相较而言，国内厂商受限于资金规模与营收体量，研发投入捉襟见肘。这使得国内厂商在前沿技术探索、基础研究突破方面面临重重困难，技术追赶之路漫长而艰辛。
此外，不同定位射频厂商的研发支出占比也存在一些规律性差异。据笔者统计，主攻发射侧的Qorvo和唯捷创芯的研发支出占营收的比重常年在15%以上，慧智微更是达到50%以上，猜测在国际一线品牌客户大规模出货的昂瑞微这一比例也不低。而相比之下，差异化定位于开关、接收侧产品的卓胜微，其2017-2022年研发比重基本在10%以下，直到近两年才逐步加大投入，这种转变或许与其开始将侧重点从接收侧往发射侧转移，从Fabless向IDM模式转移有关。同样的，聚焦较单一产品类别的滤波器龙头厂商村Murata，其研发支出占营收的比重也常年保持在7%上下的水平。
长期以来，海外厂商通过持续的高研发投入进行前瞻性的技术和产品开发，抢占射频前端技术和产品制高点。
以 Qorvo 为例，其研发投入侧重于射频前端基础领域的创新，包括材料、软件、半导体工艺技术、仿真和建模、系统架构、电路设计、器件封装、模块集成和测试能力，开发了多代砷化镓（“GaAs”）、氮化镓（“GaN”）、BAW和表面声波（“SAW”）工艺技术，提高器件性能，减小芯片尺寸和降低制造成本。Qorvo还与主要供应商合作采购技术，包括用于LNA、开关和调谐器的绝缘体上硅（SOI）、用于放大器和LNA的硅锗（SiGe），并将这些技术与专有设计方法、知识产权等相结合，以提高性能，增加集成度，降低产品的尺寸和成本。除此之外，Qorvo投入重金开发并验证先进封装技术，投资于大规模模块组装和测试能力，以减小组件尺寸，提高性能并降低封装成本，加快将新产品新技术大量推向市场的速度。
近年来，Qorvo推出的RF Fusion20™射频前端产品系列通过将砷化镓功率放大器、先进体声波（BAW）多路复用技术和集成射频屏蔽技术结合起来，极大地提高了产品的集成度和性能，涵盖所有主要5G 和 4G 频段，提供了完整的、高度集成的射频前端解决方案，荣获 GTI 移动技术创新突破奖。该产品系列的关键技术进步包括接收路径和低噪声放大器的集成，在节省宝贵的电路板空间的同时，提高了接收性能和连接性，以及在模块中采用了 Qorvo 创新的 MicroShield® 射频屏蔽技术，将射频前端组件之间不良相互作用的可能性降至最低，能够在一整套完整的配置中实现完整的发射和接收覆盖，以匹配不同地区的市场需求，使终端客户能够简化开发过程并加快产品上市时间，已被多家领先的终端客户厂商采用。
此外，Skyworks在 5G 通信技术兴起时，即投入巨额研发资金用于开发适用于 5G 基站和终端设备的高性能射频前端模块。通过不断的技术攻关，成功推出了一系列具有高功率效率、低损耗等特性的产品，满足了 5G 网络大带宽、高速率传输的需求。Murata 在射频前端的研发投入同样不遗余力，不断创新陶瓷材料和制造工艺，提升射频器件的性能和集成度，其研发的多层陶瓷电容器（MLCC）在射频电路中发挥着关键作用，被众多电子设备制造商所采用。
上述海外厂商前瞻性的研发投入帮助其在洞察、满足市场需求方面走在前列，能第一时间推出终端客户需要的产品。
值得注意的是，国内射频厂商尽管研发投入量级与海外巨头有很大差距，但经过数年来的努力和坚定投入，已有厂商取得了不错的技术突破，如唯捷创芯和昂瑞微在2023年已实现L-PAMiD模组芯片量产出货，在Tier1手机客户的旗舰手机中大规模应用。
持续的研发投入保障足够的技术积累与产品线的完整性
技术积累如同企业发展的深厚底蕴，海外厂商凭借几十年的行业深耕，积累了丰富的技术诀窍与研发经验。从早期模拟通信时代起步，历经数字通信变革，再到如今 5G、物联网蓬勃发展，他们一路沉淀，对射频前端各组件技术理解深刻入微。
如 Murata在滤波器领域，凭借多年声学技术研究与工艺优化，其生产的 SAW 滤波器性能卓越，在高端智能手机市场占据主导地位；Skyworks 历经通信技术多轮迭代，产品线从最初单一射频放大器逐步拓展，如今已涵盖功率放大器、滤波器、低噪声放大器等全系列产品，能为客户提供一站式射频前端解决方案，满足不同终端设备复杂多样的需求。
反观国内厂商，普遍成立仅十年出头，虽有少数企业在特定领域崭露头角，但整体技术储备薄弱，产品线完整性不足。多数企业仍聚焦于个别产品领域，如部分国产厂商仅擅长射频开关或低端功率放大器生产，在高端滤波器、高集成度模组等方面技术突破困难，难以独立构建完整且高性能的射频前端产品体系，在与海外巨头全方位竞争中处于劣势。
国产厂商面临的两难困境：一边是必须增加的研发投入，一边是捉襟见肘的盈利能力
海外厂商成立时间久，经过几十年的技术和市场积累，已经取得规模效应，资源投入成本被充分摊薄，有更强的赚钱效应。而国内厂商普遍成立时间十年出头，在中美贸易战打开的口子里找到机会，奋起追赶的时间也就五六年，在巨头包围的情况下展开激烈厮杀，想要把这场仗打赢，需要长期而持续、精准而高效的研发投入，以产出有竞争力、符合市场需求的芯片产品。
然而，一个摆在国产射频厂商面前的现实情况是，国内厂商整体起步晚，自身积累的家底不够厚，还处于攻城略地的阶段，需要外部投资来加速追赶外资大厂的进程。一方面，国产供应链如晶圆代工也是刚起步，尚处于发展初期，产能有限且工艺稳定性有待提升，无法像海外那样为射频厂商提供低成本、高效率的代工服务，还不足以对射频厂商的生产制造端提供足够的助力，短期内生产制造成本居高不下；另一方面，国产射频厂商遭到海外成熟厂商的围追堵截，海外厂商不惜加入价格战血拼抢市场份额，即使是过往传统高利润的产品线，在激进的定价策略下也开始纷纷降价，产品短期内很难卖得起高价。例如，笔者从市场上了解到，Qorvo等海外厂商近两年在国内和海外市场上与国内厂商直接竞争，不惜大幅降价，以牺牲盈利的代价试图维持其市场份额。
在这样的上下游环境下，国内厂商收入和成本两端承压，这种情况下还要求发展，持续投入大量的研发和市场资源，势必需要外部资本的加持。以最近较主流的L-PAMiD Phase 8为例，此代复杂模组产品包含了数个针对不同区域、功能的版本，每个版本中又集成了PA、开关、滤波器及低噪声放大器等多个物料，由GaAs、SOI、CMOS等不同工艺的晶粒及不同频段的滤波器组成。每个晶粒的投片费用都在数十万到上百万，每个滤波器也有相应的开发费用，加上相应的开发、验证、生产夹具、测试设备等投入，新一代复杂模组产品的研发生产投入都在亿元级别以上。
笔者大概看了一下几家主流射频厂商的净利率，从2021年到现在，海外几家大厂都经历了不同程度的下滑，国内外差距整体在持续收窄，这或许说明射频赛道的竞争即将迎来拐点，国内射频厂商再铆足劲坚持一段时间即能迎来曙光，不过在这个过程中想要维持高研发投入，在激烈的竞争中脱颖而出，可能仍需要借助外部资本的力量。某种程度上而言，射频前端尤其是高集成度复杂模组这样一个技术壁垒高、开发周期长、上游波动大、下游市场变化快的赛道，高投入是必然的，从海外巨头的发展历史可见一斑。
注：2024年数据为各家公司披露的最新一期财报数据 数据来源：Wind数据终端
国产崛起，未来可期
尽管当前国产射频前端芯片厂商与海外巨头研发投入方面存在显著差距，但展望未来，前景依然充满希望。随着 5G 通信技术的深度普及、物联网产业的蓬勃兴起，全球对于射频前端芯片的需求正呈现爆发式增长态势。据市场研究机构预测，到 2025 年，全球 5G 手机销量有望突破 10 亿部，这将为射频前端芯片市场注入强劲动力，带来前所未有的广阔商机。与此同时，物联网设备的海量涌现，从智能家居、智能穿戴到工业物联网、车联网、卫星通信等各个领域，都离不开射频前端芯片作为无线通信的关键支撑，其市场需求的增长空间几乎无可限量。
未来，射频前端赛道的竞争将会成为全方位、多维度的综合竞争，射频前端厂商们不仅要打好自己的铁，提升盈利能力，也要学会借助资本的力量和市场的力量，进一步加大研发投入，持续增强、夯实技术和产品实力。期待我国射频厂商全方位崛起、助力半导体产业国际地位大幅提升。
2.TOP 5均破千亿！中国集成电路TOP10城市竞秀，“千亿芯城”并驱共进
集成电路产业，被誉为新一代信息技术产业的基石与核心驱动力，正以前所未有的力量引领全球范围内的科技革命与产业结构深度调整。它不仅构成了信息技术进步的重要支撑，更是推动经济社会迈向高质量发展的核心引擎。在全球集成电路市场中，中国以其庞大的市场规模、日益完善的产业链布局、持续的创新活力，扮演着不可或缺的关键角色。长三角、环渤海、珠三角，这三大核心区域，凭借其独特的地理位置、丰富的资源条件、前瞻性的政策引导等，已经形成了集成电路产业的快速发展与高度聚集，不仅在国内独占鳌头，更在全球范围内展现出强大的影响力。
城市，作为集成电路产业发展的重要载体与平台，正发挥着越来越重要的作用。它们不仅是企业成长与创新的摇篮，更是构建完整产业生态、推动技术创新与成果转化、吸引并培育高端人才的关键阵地。在我国，各大城市纷纷抢抓机遇，积极投身于集成电路产业的布局与发展之中。一系列优秀城市凭借其卓越的产业基础、完善的配套服务以及前瞻性的战略规划，已经成功跻身集成电路产业的领先行列。
2024年中国集成电路城市综合实力TOP 10
为了科学、全面评估我国集成电路城市的综合发展水平，并为行业内外提供权威参考，集微咨询（JW Insights）以全国重点集成电路城市为研究对象，推出了“中国集成电路城市综合实力TOP 10”榜单，入选城市分别为上海、北京、深圳、无锡、苏州、合肥、武汉、西安、南京、成都。
在TOP 10城市中，上海以其超过3000亿元的集成电路产值遥遥领先，牢牢占据国内领先地位；北京则凭借其高质量的头部企业、广泛的先进产能布局以及半导体设备材料、零部件发展高增速，展现出强大的产业实力与创新活力；深圳在集成电路设计领域地位突出，2023年度设计业规模约占全国的37%；无锡、苏州、南京作为江苏省的集成电路重镇，凭借完善的产业链布局与卓越的产业基础，成功登榜；合肥、武汉、西安、成都等城市，则以其活跃的集成电路企业创新创业氛围与众多高成长潜力企业，展现出强劲的发展势头。
该榜单的评选标准全面覆盖了产业发展规模、配套竞争力、创新能力、大企业集聚程度以及区域竞争力等多个维度。具体而言，集成电路产值及其过去三年的增长速度，直观展示了相关城市在集成电路领域的经济规模及增长潜力；大企业如产业龙头、上市公司的集聚程度，则彰显了城市在吸引集成电路企业落户、促进产业集群发展方面的优势；城市的GDP作为宏观经济指标，反映了其整体经济实力对集成电路产业发展的支撑力度；此外，产业链成熟度是衡量城市在集成电路产业链上下游协同整合能力的重要指标，直接关乎城市集成电路产业的综合竞争力。
值得注意的是，在TOP10城市中，上海、苏州、合肥、南京四座城市凭借其卓越的产业基础与前瞻性的区域规划，共同展现了中国集成电路产业多园区布局的强大实力与独特魅力。这四座城市均有2个园区成功上榜集微咨询精心评选的“2024年中国集成电路园区综合实力TOP 30”，占据了该榜单四成的席位。上榜TOP 30集成电路园区，上海为张江高科技园区、临港新片区；苏州为苏州工业园区、苏州高新区；合肥为合肥高新区、合肥经开区；南京为南京江北新区、南京江宁开发区。这一数据不仅彰显了这些城市在集成电路领域的深厚积累与强劲竞争力，也进一步验证了中国集成电路产业在多园区协同、差异化发展道路上的积极探索与显著成效。
TOP前5城市均实现集成电路千亿产值
排名前五的城市——上海、北京、深圳、无锡、苏州无疑是最为耀眼的，从产值来看，它们在2023年均成功跨越了集成电路千亿产值的大关，不仅展示了各自在集成电路领域的强大实力，也为中国集成电路产业的蓬勃发展注入了强劲动力。
其中，上海作为中国集成电路产业的领头羊，2024年集成电路产值突破了3000亿元大关。这一成就得益于上海在集成电路设计、制造、封装测试等多个环节的全面发展，以及一批世界级企业的入驻和成长。上海拥有最为完善的产业链布局和高端人才储备，使其在全球集成电路市场中保持领先地位。
北京头部企业质量高、先进产能布局广，近十年半导体设备材料、零部件发展增速超48%。北京作为国家集成电路发展战略的关键承载地，在高精尖产业发展中发挥着重要引领作用。其重点布局区域包括海淀、经开与顺义。海淀区着力推动集成电路设计业的创新发展，并搭建了一系列创新创业平台，为产业发展注入活力；经开区聚焦于工艺与制造领域的创新，打造了先进的创新平台，同时积极布局制造、装备、先进封装制造以及特色集成电路设计等核心业务；顺义区则专注于第三代半导体产业的发展，推动新兴技术的产业化应用。
深圳是我国乃至全球电子信息产业重镇，也是我国集成电路产业集散、应用和设计中心，具有上游设计能力突出、下游应用场景丰富、创新要素市场化程度高等优势。据2024中国（深圳）集成电路峰会公开的数据，截至2023年底，深圳市共有集成电路企业654家，2023年产业营收为2136.8亿元，比2022年增长32.8%；2024年上半年营收约为1195亿元。据中国半导体行业协会统计，聚焦新时期，深圳集成电路产业取得了快速的进步和成绩，深圳的集成电路设计业独具优势，封测业位居全国前三，制造业未来可期。《深圳市培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划（2022-2025年）》明确，到2025年，深圳产业营收突破2500亿元。
值得关注的是，在集微咨询（JW Insights）发布的“2024中国半导体企业TOP100”榜单上，按城市分布来看，上海以26家企业的数量独占鳌头，深圳紧随其后拥有17家，位列第二；北京则以12家企业数量占据第三的位置。此外，苏州、无锡、杭州、天津及珠海也榜上有名，分别位列第4~8位。
江苏三座城市登榜，创新能力不断攀升
长三角地区，作为中国经济发展的强劲引擎，于集成电路产业版图中占据着不可替代的关键地位。江苏省，作为该区域的核心省份之一，其表现尤为卓越。在这里，历史悠久的集成电路城市与新兴势力交相辉映，携手并进，共同驱动整个产业的繁荣兴盛。
无锡、苏州作为江苏省集成电路产业的传统重镇，与新兴之星南京并肩，共同荣登中国集成电路城市综合实力TOP 10的榜单。尤为值得一提的是，无锡与苏州更是凭借卓越实力，挺进前五强，彰显了江苏省在集成电路领域的深厚底蕴与强劲竞争力。
江苏省凭借其坚实的产业根基、不竭的技术创新动力以及前瞻性的战略布局，正引领着中国集成电路产业向更加辉煌的未来迈进。尤为重要的是，江苏的集成电路产业创新能力仍在不断攀升，展现出勃勃生机与无限潜力。
例如，从融资角度来看，江苏省的集成电路企业正频繁获得资本的青睐与注入。这不仅反映了投资者对江苏集成电路产业的高度认可与信心，更彰显了该区域创新活力的持续增强与蓬勃发展。正是这样的投资热潮，使得江苏成为了我国集成电路领域的投资热点区域，吸引着越来越多的资本与人才汇聚于此，共同书写着中国集成电路产业的新篇章。
根据集微咨询（JW Insights）发布的《2024中国半导体股权投资白皮书》，我国半导体投资活动呈现出显著的区域集中趋势，长三角、珠三角及京津冀地区成为投资的热点区域。具体而言，江苏省在2024年度的融资事件中占据了高达25%的比例，位居榜首；广东省紧随其后，占比达到19%；上海市则以16%的占比位列第三，共同构成了半导体投资版图的领军阵营。
从江苏省半导体融资版图的视角审视，苏州市在2024年度的融资活动中独占鳌头，占比高达43%；南京市紧随其后，以26%的占比稳居第二；无锡占据了20%的份额，位列第三。这三座城市不仅在融资事件中占据了主导地位，而且其融资比例远超常州、徐州等其他城市，形成了鲜明的对比，凸显了苏州、南京、无锡在江苏省半导体产业投资中的核心地位。
集微咨询表示，中国集成电路产业的蓬勃发展，离不开各大城市的积极布局。上海、北京、深圳等一线城市凭借其强大的经济实力和产业基础，持续引领着行业的发展潮流；而无锡、苏州、南京等城市则以其深厚的产业积淀和不断攀升的创新能力，成为了中国集成电路产业中不可或缺的重要力量。这些城市的共同努力和协同发展，不仅推动了中国集成电路产业的快速增长，更为全球集成电路市场的繁荣与发展注入了强劲的中国动力。
3.消息称富士康停止派遣中国大陆工人前往印度iPhone工厂
据五位熟悉富士康印度业务的人士透露，富士康将停止向其在印度的苹果 iPhone 工厂派遣中国大陆员工，转而派遣中国台湾工人。
消息人士称，原本计划运往印度的专用制造设备也仍停留在中国大陆。
这一进展可能会扰乱富士康在印度南部泰米尔纳德邦和卡纳塔克邦工厂的 iPhone 装配线，这些工厂生产 iPhone 是苹果公司努力将生产业务从中国大陆转移出去的举措之一。
“目前，设备和人力还不允许运往印度，”一位消息人士称，“而且印度也没有生产这些设备的技术。”
富士康于 2019 年开始在泰米尔纳德邦工厂生产 iPhone，最初只生产旧款机型。富士康于 2022 年开始扩建其印度工厂和增加劳动力，苹果的目标是让印度也能生产新机型。泰米尔纳德邦和卡纳塔克邦的两家工厂共雇用数万名工人。
不过，印度的生产仍然依赖中国大陆工人和少量中国台湾员工，以及来自中国大陆的专用设备。富士康及其设备供应商已在印度部署了数百名管理人员、工程师和技术人员来监督生产和工具维护。
但消息人士称，最近几周，富士康原定前往印度的中国大陆员工被告知取消行程。
两位消息人士透露，为了减轻停工可能带来的影响，富士康正考虑将中国台湾员工调至印度，因为中国台湾员工的行程不会受到影响。富士康消息人士称，该公司还加强了中国大陆工厂的 iPhone 半成品生产和出口，以确保在此期间印度的最终组装厂能够生产出足够的智能手机。
4.安森美：完成对Qorvo碳化硅JFET技术的收购
1月16日，安森美 (onsemi) 官宣已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET)）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
安森美指出，SiC JFET技术的加入将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。在电动汽车应用中，用基于SiC JFET的固态断路器替代多个组件，有助于提高能效和安全性。在工业终端市场，SiC JFET将支持某些储能拓扑和固态断路器应用。
安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，此次收购进一步加强了安森美在功率半导体领域的领导地位，我们会为客户提供颠覆性和市场领先的技术，以解决他们在人工智能数据中心、汽车和工业市场中最紧迫的功率密度和效率提升难题。
2024年12月，安森美宣布，已达成一项协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括United Silicon Carbide子公司。该交易受常规成交条件的约束，预计将在2025年第一季度完成。
据悉，SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。
5.中央候补委员黄如院士，新职务明确
据国家发改委网站“委领导”栏目更新信息显示，黄如已任国家发展和改革委员会党组成员（副部长级）。
此前，黄如为东南大学校长（副部长级）、党委副书记。
官方简历显示，黄如，女，回族，1969年11月生，研究生学历，理学博士学位，中共党员。她是第二十届中央候补委员。
黄如本科、硕士就读于东南大学电子工程系，后在北京大学计算机科学与技术系获博士学位。1997年起，她先后任北京大学信息科学技术学院讲师、副教授（1999年）、教授（2002年），北京大学博雅讲席教授（2016年）。
黄如曾任北京大学信息科学技术学院副院长、院长，北京大学信息与工程科学部主任，北京大学人工智能研究院院长，北京大学校长助理，北京大学副校长，北京大学党委常委、副校长等职务，2015年当选为中国科学院信息技术科学部院士。
2021年12月，黄如任东南大学党委副书记，2022年1月起任东南大学校长（副部长级）、党委副书记。
今年1月14日，人社部网站发布消息：国务院任免国家工作人员，免去黄如的东南大学校长职务。
6.黄仁勋亮相英伟达北京年会现场：AI新时代已开始，中国员工流动率全球最低
据报道，人工智能（AI）芯片巨头英伟达19日在北京举办迎新年会，英伟达创办人兼执行长黄仁勋出席并发表致辞。他以“中国朋友大家好”中文欢迎词开场后，随即谈到AI，他称，“我们聚在这里是为了庆祝一个新的开始，这是新的一年的开始，也是被称为人工智能的新时代的开始。”
黄仁勋指出，60多年前，现在的通用电脑就被创造出来，直到AI的出现才为其带来新的变化。
黄仁勋表示，AI已经不再是“人们口中一种不可思议的科技”，而是走入每个人的生活，他自己每天也会问AI许多问题，让AI做自己的老师。当然，不仅是教育，AI还会改变每一个领域，例如医疗、零售、交通和农业。
报导称，谈到英伟达在中国的发展，黄仁勋表示，英伟达在中国已经有25年的历史，Geforce显示卡让公司比很多科技企业都要更早进入中国，并笑称“许多中国研究者都是用英伟达的显示卡玩着电动游戏长大的，我已经为这一天培养了你们很多年。”
黄仁勋表示，虽然英伟达的CUDA程式设计平台难以掌握，“没有普通人能够理解它、只有超人可以”，但使用CUDA平台的中国开发者数量已经达到150万人，英伟达正在与近3000家中国初创企业展开合作。
黄仁勋上周启动大中华之旅，先后到访深圳、台北和台中，19日转抵北京。他说，英伟达在北京、上海、深圳拥有近4000名员工，中国员工流动率是全球最低的，每年离职率仅0.9％。（来源：工商时报）
7.台积电传再盖两座CoWoS厂 投资估超2000亿元新台币
台积电冲刺CoWoS先进封装布局，最新传出又要在南科三期盖两座CoWoS新厂，投资金额估逾2000亿元新台币（当前约445.18亿元人民币）。加计台积电正在嘉科园区如火如荼建置的CoWoS新厂，业界预期，台积电短期内总计将扩充八座CoWoS厂，其中，南科至少有六座，以实际扩产行动棒打CoWoS砍单传闻。
对于相关传闻，南科管理局表示，台积电确实有提出租地申请，但不便透露厂商的开发计划。台积电方面，董事长魏哲家上周于法说会已明确释出“持续扩增CoWoS产能”的信息。业界研判，台积电再次砸重金盖CoWoS新厂，透露来自英伟达等大客户高速运算（HPC）相关订单比预期更旺。
近期英伟达砍单台积电CoWoS的传闻甚嚣尘上，英伟达执行长黄仁勋日前旋风式访台，直言：“并没有缩减CoWoS产能需求，反而还要增加产能，并转换为多一些对CoWoS-L的产能需求。”魏哲家日前于法说会也说，“外面谣言多，公司正持续扩产，以满足客户需求。”
知情人士透露，台积电这次在南科盖CoWoS新厂，将落脚南科三期，土地面积高达25公顷，比嘉科厂区约20公顷更大，以嘉科CoWoS新厂投资约2,000亿元计算，台积电此次在南科三期投资额也将「比照办理」、自2000亿元新台币起跳。
知情人士指出，魏哲家喊话持续扩充CoWoS产能，绝对不是「说说而已」，而是以最高效率「动起来」，最快3月就会取得南科三期这块25公顷土地，将兴建二座CoWoS新厂，以及一栋办公大楼。
建厂进度方面，供应链透露，台积电在今年1月中旬向南科管理局提出租地简报，获正向回应，该公司采购单位即已第一时间启动建厂计划。根据消息，台积电预计3月开始整地，依据以往建厂的进度推估，两座南科三期CoWoS新厂将于2026年4月即可完工，并有望开始装机。
AI强劲需求带动下，供应链统计，台积电短期内规划盖八座CoWoS新厂，包括嘉义一期已建的二座，原本群创四厂也将改建为二座；另外，嘉义二期原规划建两座，不过，因嘉义二期因最快也要到明年1月才能交地，而南科三期马上可以交地，因此台积电建构规划转向。台积电已决定向南科先行租用南科三期土地兴建二座CoWoS新厂。至于最后两座要落脚何处，目前仍在评估中。（来源：经济日报）
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