1.一文看懂3D Xpoint！ 它估将在未来引爆内存市场革命；
2.东芝可能推迟半导体出售第二次招标；
3.鸿海夏普爱东芝 传暗示赴美设半导体厂；
4.鸿海若收购东芝半导体将赴美建厂？夏普高层：有此计划；
5.郭董果真揪苹果收购东芝半导体？软银：和鸿海谈了很多；
6.数据中心等需求带动 存储器为首零组件价格上扬
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1.一文看懂3D Xpoint！ 它估将在未来引爆内存市场革命；
3D Xpoint 的出现，有没有能力替代 DRAM，并成为 NAND Flash 的终结者，暂时还未有答案，但无庸置疑，它将为半导体带来重大变革和突破。
由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存：「磁电阻式随机存取内存 (MRAM)」，与含 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」及「电阻式动态随机存取内存 (RRAM)」。
而美厂半导体巨头英特尔 (Intel)(INTC-US)，更早已与美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 合作，针对含有 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」高速发展。
当英特尔和美光于 2015 年向市场推荐 3D Xpoint 时，旋即引起市场骚动，市场目光立时聚焦在这个新型半导体之上。
因为这项新型内存无论在读写能力和寿命上，都比 NAND Flash 强上 1000 倍！ 而且价格竟然只有 DRAM 的一半，但比 NAND Flash 贵，并为数据中心带来重要的影响。
为什么 3D Xpoint 那么吸引人？ 无疑是因为它在 PCIe/NVMe 接口连接的时候，拥有比 NAND Flash 高 10 倍的性能，且使用时间会长 1000 倍、速度也将提升 1000 倍。 这也就意味着持续读写次循环超过 100 万次，也就意味着，这个存储一旦装上，在不坏的情况下能永久使用。
如下图所示，含有 3D Xpoint 技术之内存，更拥有较低的延迟率，与 NAND Flash 相比，这个数据处理速度是 NAND Flash 的 1000 倍，明显可以看出，在高速读取的应用中，3D Xpoint 的读写速度确实十分强悍。
3D Xpoint 速度估计将比 NAND 还要快上 1000 倍
读写的速度优势，使得 3D Xpoint 能够降低数据中心存储体系的落差 (包括处理器上的 SRAM，DRAM，NAND FLAHS，HHD、磁带或光盘)，而且还能够弥补易失性的 DRAM 和非易失性 NAND Flash SSD 之间的差距。
3D Xpoint 的出现，甚至更让市场看到了大数据数据中心的未来。
Intel NVM 方案部门主管 James Myers 表示，他们的 3D Xpoint 产品 Optane 能够用来执行有限的数据集或者实时存储和升级数据。
相反地，传统的 NAND Flash 只能批次地处理存储数据，利用列式数据库系统分析。 这就需要非常多的读写操作。
Intel 的首个 3D Xpoint SSD P4800x 每秒能够执行 550000 次的读写操作 (IOPS)，与之对比，Intel 最顶尖的 NAND Flash SSD 的 IOPS 只能达到 400000。
和 DRAM 一样，3D Xpoint 可以按字节寻址，这就意味着每一个存储单元有一个不同的位置，这不像分区的 NAND，在应用在为数据搜索的时候，不允许「超车」。
3D Xpoint 技术架构图 图片来源：Intel、Micron
Gartner 内存研究部门主管 Joseph Unsworth 表示，严格的讲，3D Xpoint 既不是 Flash，也不是 DRAM，它是一个介乎这两者之间的技术，而生态系统的支持对于这项技术的拓展极为重要。 目前还没看到任何一个飞翼式的 DIMM 被装配，因此这会是一个很大的挖掘空间。
在价格方面，根据 Gartner 的数据显示，现在 DRAM 的售价基本是每 gigabyte 5 美元，而 NAND 的价格则是每 gigabyte 0.25 美分。 3D Xpoint 的大批量采购价格则会在每 gigabyte 2.4 美元这个区间。
故按此来看，到 2021 年，3D Xpoint 的售价也会比 NAND Flash 贵许多，但绝对比 DRAM 价格便宜。
3D Xpoint 将挑战 DRAM 市场？
Intel 和美光双方目前都认为，3D Xpoint 与 NAND 是能够互补的，但是市场分析师则认为，3D Xpoint 技术可能将在未来对 DRAM 市场造成挑战。
市场分析师表示，3D Xpoint 的出现主要是弥补 NAND 和 DRAM 的差距，但随着新 3D Xpoint 的普及，SSD 的经济规模会增长，故分析师们认为它会挑战现存的存储技术，不是指 NAND，而是 DRAM。
Gartner 预测，到 2018 年，3D Xpoint 会在数据中心中占领上风。 届时它会吸引很多关键客户的目光。 这不仅仅限于服务器、存储，超算中心或者云计算，软件客户也是他们的潜在关注者。
Unsworth 认为，3D Xpoint 是一个革命性的技术，但这个最终被广泛采纳需要一段时间，数据中心生态链需要一点时间去接纳这个新存储技术，芯片组和第三方应用的支持也需要时间去兼容。
随着挑战 3D Xpoint 的非易失性存储技术逐渐出现，传统的 NAND Flash 依然有很长的路要走，直到 2025 年，这个技术都是安然无忧的。 因此，NAND Flash 暂时不会被 3D Xpoint 技术取代。
而全球最大半导体代工厂台积电 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电目前已具备「量产」次世代内存中，磁电阻式随机存取内存 (MRAM) 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存之技术。
而据韩国半导体业内人士透露，台、美、韩半导体巨擘在次世代内存市场内的强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。钜亨网
2.东芝可能推迟半导体出售第二次招标；
东芝原定5月19日举行半导体事业第二次招标案，现传出时间可能推迟。 推迟原因有许多说法，东芝半导体资产审查作业比预期冗长；共同投资半导体工厂的美国西部数据公司（ＷＤ）对出售半导体事业有异议，双方僵持不下；另一方面也有说法东芝希望用时间换取空间，透过延后招标，吸引到更好的出资条件。
鸿海集团三月参与第一次招标，报价被指接近3兆日圆居冠，鸿海并偕同旗下日系企业夏普参与5月的第2次招标，另一方面，因担心关键技术外流，日本政府主导日本政策投资银行、产业革新机构、美国投资基金等组成美日联盟，形成两大阵营对决态势。 经济日报
3.鸿海夏普爱东芝 传暗示赴美设半导体厂；
鸿海投资的夏普传积极参与东芝内存竞标。 日媒报导，夏普高层透露与鸿海合作收购东芝内存的强烈意愿，并暗示若成功，不排除在美国设半导体厂。
日本共同通信社报导，夏普（Sharp） 展现了对参与东芝内存（Toshiba Memory）竞标的强烈意愿，并暗示美国建厂计划。
报导引述夏普高层谈话指出，夏普高层表达与鸿海集团合作、参与收购东芝内存作业的强烈意愿。 夏普高层并暗示，若收购案顺利完成，夏普不排除在美国设立半导体工厂的可能性。
日本媒体 Sankeibiz指出，日本政府担心东芝内存技术外流，考虑用外汇管制法中止或重新评估东芝内存竞标。 不过夏普高层对于收购东芝内存仍保持期待感。
东芝内存各方人马频布局。 传出有意参与东芝内存竞标的企业集团包括台湾鸿海集团、韩国SK海力士（SK Hynix）、美国芯片大厂博通（Broadcom）等。
彭博（Bloomberg） 日前引述知情人士消息报导，美国投资基金 KKR正与东芝针对内存事业商讨优先收购（preemptive bid）事宜，这可能加速东芝内存完成出售，并终止东芝与其他潜在买家之间的协商。 不过东芝尚未决定是否接受KKR的提议。
日媒日前报导，美国投资基金 KKR传出有意与日本产业革新机构（INCJ）合作，共同参与东芝半导体事业竞标作业。 报导指出，美国威腾电子（WD）和日本政策投资银行DBJ也传出也有意参加由KKR和INCJ合作的框架。 美国和日本联合进军东芝半导体的轮廓浮上台面。
外媒日前报导，鸿海有意联合苹果（Apple）、亚马逊（Amazon）、戴尔（Dell）以及投资的夏普（Sharp），形成「日美台」联合阵线，共同参与东芝半导体竞标。 鸿海规划透过日本和美国企业出资8成、鸿海出资2成这样的规划，消除外界对东芝半导体技术外流疑虑的意见。
朝日新闻日前报导，东芝半导体内存释股预计5月中旬进行第2次招标作业， 东芝规划在6月中旬决定买家。
