美国纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）表示，纳米工程副教授Woongje Sung博士已获得美国陆军研究实验室（ARL）为期三年价值207.8万美元的联邦资助，用于推进“超高压碳化硅器件制造”（MUSiC）项目。
该研究通过开发比传统的硅基器件更高的电压，并实现更可靠和更强大的碳化硅（SiC）开关器件，旨在建立一种领先的工艺，用于创建具有诸如从太阳能、电动汽车到电网等一系列军事和商业用途的功率电子芯片。
Woongje Sung博士的研究将有助于为MUSiC项目建立一种基线工艺。SiC高压器件将在SUNY Poly领导的纽约功率电子制造联盟（NY-PEMC）的工厂制造，该工厂位于奥尔巴尼纳米技术研究中心，是美国仅有的两家提供6英寸SiC器件代工服务的代工厂之一。
这项以功率电子为重点的研究还将为SUNY Poly的研究生提供支持，他们将在与NY-PEMC工艺团队密切合作过程中获得大量一手经验，包括优化器件结构、设计工艺流程和表征制造器件的电气性能等各方面。更具体地说，这些学生将设计和优化10-15kV金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）——功率电子芯片的开关器件——使用2D器件仿真。器件制造完成后，学生们将提供反馈，以进一步改进器件设计和工艺。
SUNY Poly代理校长Grace Wang博士表示：“这项最新的项目展示了SUNY Poly学校研究的重要性，以及我们的学校和纽约州如何能够推动功率创新和高科技进步迈向新的边界。”
代理教务长Steven Schneider博士评论道：“这个项目将为一些研究生提供实践研究机会，为他们提供更扎实的技术背景，而这些技术正在塑造我们的未来。”
Woongje Sung博士指出：“ARL已经认识到为MUSiC项目开发一种美国基准的重要性。随着这个项目的发展，我期待着它可能带来众多机会，因为MUSiC的建立将为进一步的研发奠定基础，它也将成为SUNY Poly学生的宝贵实践教育的工具。”
SiC作为一种新兴的功率半导体材料，其性能使其成为军事和商业应用的下一代高压开关器件的主要候选材料，SiC基功率器件已被证明能够提供比普遍存在的硅功率器件大两倍的功率密度和更高的效率。
此次ARL授予SUNY Poly的项目是继最近美国能源部（DOE）为Woongje Sung博士的研究提供的37.5万美元资金，DOE的支持用于开发比现有功率电子芯片更小、更高效的下一代功率电子芯片。
功率电子制造联盟（NY-PEMC）成立于2014年年中，是由SUNY Ploy和美国通用电气公司（GE）领导的公私合作组织，目标是研发和制造低成本、高性能6英寸SiC晶圆。SUNY Poly的6英寸SiC生产线位于奥尔巴尼纳米技术研究中心，并与位于其尤蒂卡校区的SUNY Poly的计算机芯片商业化中心(Quad-C)配合，后者提供SiC功率芯片的封装。
出自：
大国重器
