下图是台积电的制程演进历史,从3um到现在的3nm。
目前台积电3nm(N3)已经量产,这里3nm都是等效节点,非实际的物理节点。
2nm(N2)计划在2025年量产。
而下下代则是A16节点。也就是1.6nm
基于此,我们详细介绍一下,台积的各个FAB厂制程和产能。
Fab 12(新竹)
:量产20-7nm工艺,规划产能可扩容。
Fab 12是台积电新竹科技园的重要生产基地,专注于
20nm至7nm工艺
的量产,覆盖智能手机、高性能计算(HPC)等高端芯片需求。早期以16/20nm为主力(如苹果A9处理器)后逐步升级至7nm(如苹果A12、AMD Zen 2架构CPU)
Fab 14(台南)
:扩建为特殊制程生产基地,支持28nm及以上成熟工艺。
Fab 14是台积电成熟制程的核心基地,专注于
28nm及以上工艺
,并强化
特殊制程
(如射频、高压、嵌入式存储器等),服务于汽车电子、物联网(IoT)和工业控制领域,
特殊制程包括:28nm高压工艺(车用电源管理芯片);
40nm RF-SOI
(5G射频前端模组);55nm嵌入式闪存(智能卡、传感器)。
Fab 15(台中)
:2012年投产,当前月产能约16.6万片,主攻20/16nm工艺。
Fab 18(台南)
:台积电最先进生产基地,包含P1-P8共8座厂区:
P1-P3已量产4nm;
P4-P6为3nm(2024年量产);
当前P1-P6共6个晶圆厂,月产能约12万片(4nm/3nm)。
P7-P8为规划中3nm扩产;
Fab 20(新竹宝山)
:2nm研发及量产基地,2025年试产线月产能达3000-3500片,2026年底目标12万片/月。
南京浦口(中国大陆):
Fab 16:
2018年投产,月产能2.4万片,主攻16/12nm工艺。
第一阶段扩产(1A项目)
:制程技术:16nm+12nm工艺组合,主要用于生产中央处理器、图像处理器、高端系统单芯片等。
2022年10月完成扩建后,产能从原30万片/年提升至
37.8万片/年;
第二阶段扩产(1B项目)
:制程技术:28nm工艺,主要面向成熟制程需求,包括物联网、汽车电子和工业芯片等。
2024年10月完成验收后,新增60万片/年
产能;
凤凰城(
美国亚利桑那州):
Fab 21(凤凰城
):2024年底量产4nm芯片(N4/N4P),当前月产能1万片,计划2028年扩展至3nm,2030年推进2nm。
第一阶段(P1A+P1B)总产能目标2.4万片/月。
日本熊本:
JASM Fab 1
:2024年底量产22/28nm和12/16nm,规划月产能5.5万片;
Fab 2(6/7nm)计划2027年投产,合计产能超10万片/月。