股市芯情：深圳华强全资子公司签署增资合作框架协议

消息面

来源：本文内容来自 中国知识产权报 ， 感谢 中国知识产权报的 付出和成果。

存储器芯片专利竞争态势分析

近日，福建省晋华集成电路有限公司（下称福建晋华）与中国台湾半导体企业联华电子股份有限公司（下称联华电子）对美国美光中国子公司发起的专利诉讼再次引发关注。临时禁令的发出虽然标志着我国在存储器领域反击美国打出了漂亮的一仗，但是要想在国际市场取得一席之地，还要克服诸多困难。笔者将从目前各方的专利布局情况进行分析，希望能对国内存储器企业发展有所启发。

存储芯片产业格局

存储器芯片领域主要划分为两类：一类是易失性存储器，就是断电后存储器内存储的信息立即消失，例如DRAM，其中PC机内存和手机内存大约占六成。另一类是非易失性存储器，即断电以后存储器内存储的信息仍然存在，主要是闪存（NAND FLASH 和NOR FLASH），前者用于数据存储，后者则用于代码存储介质中。

半导体存储器是一个高度垄断的市场，以DRAM和NAND FLASH两种主要的存储器芯片为例，其中DRAM的全球市场几乎被韩国的三星电子、海力士和美国的美光瓜分，而NAND FLASH市场几乎被三星电子、海力士、东芝和闪迪、美光、英特尔占有。其中三星电子居于垄断地位，2017年它的DRAM和NANDFLASH全球占有率分别为45.8%和37%。而目前国内已形成福建晋华、合肥长鑫和紫光集团三大存储器阵营，其中福建晋华和合肥长鑫主攻DRAM领域，而紫光集团的长江存储则专注于NAND FLASH领域，三家均声称在2018年底实现试产，开通生产线。

竞争对手专利布局

本文的专利文献数据主要来自国家知识产权局专利检索与服务系统（S系统）。专利文献来源包括CNABS（中国专利文献数据库）和DWPI（德温特世界专利索引数据库）。数据检索截止时间为2018年8月4日。截止到检索日，三大巨擘三星、海力士和美光在存储器领域的专利申请数量分别为1.4868万件、1.3977万件和9749件，可见三大企业均具有雄厚的专利技术储备。