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【国信电子胡剑团队】捷捷微电:1Q23营收同比增长7.82%,盈利能力有望随需求复苏逐步修复

剑道电子  · 公众号  ·  · 2023-05-14 23:27

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公司1Q23营收同比增长7.82%,盈利水平短期承压

22年公司实现营收18.23亿元(YoY+2.86%),归母净利润3.59亿元(YoY-27.68%),扣非归母净利润3.00亿元(YoY-34.54%),毛利率40.4%(YoY-7.29pct)。1Q23单季度实现营收4.03亿元(YoY+7.82%,QoQ-25.1%),归母净利润0.32亿元(YoY-68.4%,QoQ-51.8%),扣非归母净利润0.27亿元(YoY-69.03%,QoQ-53.4%),毛利率34.86%(YoY-15.03pct,QoQ+0.97pct)。


晶闸管、防护器件保持龙头领先,需求复苏有望修复盈利能力

公司主要产品包括晶闸管及防护器件,22年晶闸管(芯片+器件)营收为4.05亿元,占22.47%,对应毛利率为44.12%;防护器件(芯片+器件)营收为5.95亿元,占33.03%,对应毛利率为45.83%。由于晶闸管及防护器件主要应用于白色家电、小家电、漏保、照明、安防、通讯、电表、汽车电子、光伏、电动工具和摩配等领域,因此当下消费类市场疲软影响产线稼动率下滑,存量业务阶段性承压。预计随消费市场回暖,晶闸管及防护器件需求有望逐步修复。


MOSFET保持增长,封测业务同步升级

22年MOSFET(芯片+器件)营收为8.02亿元,业务占比由21年33%提升至44.5%,毛利率为32.99%。目前公司“高端功率半导体器件产业化项目”每月出片量约为2.5万片,预计达产后为5万片/月,叠加二期项目,未来对应总产能约7.5万片/月;目前该项目处爬坡期,预计23年内若产能利用率提升,产线有望达到盈亏平衡。在此基础上,公司功率半导体“车规级”封测项目处于建设阶段,未来达产后可实现年产1900kk车规级大功率器件DFN产品、120kk车规级大功率器件TOLL产品、90kk车规级大功率器件LFPACK产品及60kkWCSP电源器件产品。


研发投入持续增长,以快速优化产品结构与制造资源

公司持续加大研发投入,22年研发投入同比增长61%。未来,公司将布局特色FRD、高端整流器产品线,拓展在新能源汽车、光伏、风电、电焊机、各类变频电源等领域的应用;在MOSFET领域,聚焦Trench、SGT、Super Junction、超高压Planar MOSFET等关键核心技术,深入5G、汽车电子、光伏、物联网、工业控制和智能电子化等领域;此外在平面小信号器件、光电耦合器件等领域多向拓展。


投资建议

我们预计公司MOSFET扩产与消费复苏将为盈利能力提升注入动力,预计23-25年公司有望实现归母净利润4.06/5.03/6.63亿元(YoY+13% /24%/32%),对应23-25年PE分别为35/28/21倍,维持“买入”评级。


风险提示

新能源汽车需求不及预期,产线建设不及预期等。





附表:财务预测与估值



国信电子团队

胡剑: 电子行业首席分析师,复旦大学电子系学士,复旦大学世界经济系硕士,法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所,之前任华泰研究所消费电子行业首席,2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名,2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名,2019年II China科技行业入围,2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名,2020年II China科技行业第2名。( 执业资格编号:S0980521080001)

胡慧: 电子行业高级分析师,上海财经大学会计学士,北京大学物理博士,CPA、CFA,发表多篇SCI论文,并获得1项国家发明专利,2021年8月加入国信研究所,之前任华金研究所电子组长,主要覆盖半导体板块。( 执业资格编号:S0980521080002)

周靖翔: 美国犹他大学计算机工程硕士学位,电子工程学士学位,应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所,拥有5年半导体行业研发经验,曾先后就职于中芯国际和华为海思,参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。( 执业资格编号:S0980522100001 )

李梓澎: 武汉大学金融学士,中国人民大学金融硕士。2021年10月加入国信研究所,曾就职于华泰证券研究所,主要覆盖消费电子、面板板块。( 执业资格编号:S0980522090001)

叶子: 北京师范大学化学学士,香港中文大学材料科学与工程博士,香港中文大学物理系博士后,武汉大学物理科学及技术学院兼职研究员,南方科技大学深港微电子学院访问学者,主要从事半导体物理与薄膜沉积技术、光伏器件及光电化学电池研究。2020年成为国信证券博士后,2022年加入国信证券经济研究所,主要覆盖功率器件、碳化硅等半导体板块。(执业资格编号:S0980522100003)

杨宇凯: 北京航空航天大学学士,北京航空材料研究院硕士。2022年8月加入国信研究所,拥有1年半航空材料研发经验和近3年半导体行业研发经验,曾先后就职于北京航空材料研究院和中微半导体设备有限公司担任研发工程师,深度参与了多家国内外晶圆大厂半导体制造项目,主要覆盖半导体板块。(执业资格证:S0980122080334)

詹浏洋: 清华大学电子工程系工学学士、硕士,清华大学经管学院经济学学士(第二学位),中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目,发表SCI论文1篇,并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所,之前任华润置地投资管理主管。( 执业资格编号:S0980122060008)

李书颖: 香港中文大学(深圳)统计学学士,悉尼大学金融硕士,2022年8月加入国信研究所。(执业资格证:S0980122080309)

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