台积电的全球霸业地图

本文系基于公开资料撰写，仅作为信息交流之用，不构成任何投资建议。

下图是台积电的制程演进历史，从3um到现在的3nm。

目前台积电3nm（N3）已经量产，这里3nm都是等效节点，非实际的物理节点。

2nm（N2）计划在2025年量产。

而下下代则是A16节点。也就是1.6nm

基于此，我们详细介绍一下，台积的各个FAB厂制程和产能。

01
12英寸晶圆厂

Fab 12（新竹） ：量产20-7nm工艺，规划产能可扩容。

Fab 12是台积电新竹科技园的重要生产基地，专注于20nm至7nm工艺的量产，覆盖智能手机、高性能计算（HPC）等高端芯片需求。早期以16/20nm为主力（如苹果A9处理器）后逐步升级至7nm（如苹果A12、AMD Zen 2架构CPU）

Fab 14（台南） ：扩建为特殊制程生产基地，支持28nm及以上成熟工艺。

Fab 14是台积电成熟制程的核心基地，专注于28nm及以上工艺，并强化特殊制程（如射频、高压、嵌入式存储器等），服务于汽车电子、物联网（IoT）和工业控制领域，

特殊制程包括：28nm高压工艺（车用电源管理芯片）；40nm RF-SOI

Fab 15（台中） ：2012年投产，当前月产能约16.6万片，主攻20/16nm工艺。

Fab 18（台南） ：台积电最先进生产基地，包含P1-P8共8座厂区：

P1-P3已量产4nm；

P4-P6为3nm（2024年量产）；

当前P1-P6共6个晶圆厂，月产能约12万片（4nm/3nm）。

P7-P8为规划中3nm扩产；

Fab 20（新竹宝山） ：2nm研发及量产基地，2025年试产线月产能达3000-3500片，2026年底目标12万片/月。

南京浦口（中国大陆）：

Fab 16 ：2018年投产，月产能2.4万片，主攻16/12nm工艺。

第一阶段扩产（1A项目）：制程技术：16nm+12nm工艺组合，主要用于生产中央处理器、图像处理器、高端系统单芯片等。

第二阶段扩产（1B项目）：制程技术：28nm工艺，主要面向成熟制程需求，包括物联网、汽车电子和工业芯片等。

2024年10月完成验收后，新增60万片/年产能；

凤凰城（美国亚利桑那州）：

Fab 21（凤凰城） ：2024年底量产4nm芯片（N4/N4P），当前月产能1万片，计划2028年扩展至3nm，2030年推进2nm。

第一阶段（P1A+P1B）总产能目标2.4万片/月。

日本熊本：

JASM Fab 1：2024年底量产22/28nm和12/16nm，规划月产能5.5万片；

Fab 2（6/7nm）计划2027年投产，合计产能超10万片/月。

Fab 3（新竹） ：工艺节点：0.15μm及以上成熟制程

8英寸晶圆厂，主要用于生产模拟芯片、电源管理芯片等特殊工艺产品。

Fab 5（新竹） ：0.25-0.15μm成熟制程

8英寸晶圆厂，专注于汽车电子、物联网（IoT）等中低端芯片制造。

Fab 6（台南） ：0.18μm及以上成熟制程

8英寸晶圆厂，支持混合信号、射频（RF）等特殊工艺需求。

Fab 8（新竹） ：工艺节点**：0.18μm及以上成熟制程

8英寸晶圆厂，服务于消费电子和工业控制领域。

Fab 10（上海） ：工艺节点：0.35μm至0.11μm成熟制程

3：新加坡：

SSMC（新加坡合资厂）等，合计月产能超50万片。

4：美国：

Fab 11（WaferTech） ：1998年投产，生产0.25-0.15μm工艺，产能未公开。

6英寸晶圆厂

Fab 2（新竹）：生产0.15μm以上工艺，产能未公开。


03
未来产能规划与扩建项目

中国台湾：