今天传新一轮半导体禁令要来了，分享某B行对两家存储的系列研究，从对面的视角怎么看CN禁令对产业的影响。1. 预计长存2024年收入50-60亿美金，现在可以满足中国1/3的NAND闪存需求，如果160层的规模量产能成功，2年内可以拿下中国本土需求的一半，整个中国OEM的NAND需求为180亿美金/年（OEM采购需求而不是最终需求）（收入预测考虑了多种因素，比如基于长存产品拆解获得的bit密度数据、ASP里面的政府采购溢价等）
2. X-stacking具有技术优势，甚至铠侠和WDC最近也在借鉴，拆机报告显示同样层数情况下，长存bit密度超过海外巨头。但良率导致成本还是高于海外（15-20%）。160层如果成功，毛利率会从今年的8%提升到明年的16%（海外巨头毛利率30%）
3. YMTC目前70%产能是128层，232层产能受限于设备和良率问题，但160层可能到明年替代128成为主力，占全部产能2/3。128L目前良率80-90%（海外巨头成熟良率就是85%），160L只有50-60%，明年希望达到成熟良率（很激进）。从232转到160层，可以视作加入实体清单后的妥协，也是市场策略，去适配中国本土需求的最大公约数。先进设备的禁运、软件/售后维护的中断，还是制约了良率，非关键工艺步骤可以国产，但关键的尚且离不开进口设备。未来160层能否成功拉升良率、继续扩产的关键，要看国产设备的进步速度。4. B行了解到，相关部门并非放任长存无节制扩张投资，而是固定资本开支上开绿灯，但“现金成本”要能打正，且在盈利前提下才能继续扩张。因此长存也有价格成本底线，但这条线依然比海外同行要低40%（NAND这个生意的固定和现金成本大概4:6）。因此如果长存以“现金成本价格”冲击市场，现在这帮巨头们的NAND盈利还会大幅下滑。
5. 与此同时，全球NAND周期依然疲软，巨头继续缩减资本开支，且技术节点的推进速度略有放缓，其实给了长存追赶的时间窗口。如果长存真的实现160L的良率爬升和规模量产，释放规模供给，对存储巨头们的影响是显而易见的。而这很大程度上取决于，新一轮的出口管制会如何制约，以及中国本土设备的追赶速度。
1. CXMT会在2025年Q4达到30万片/月，接近镁光。但单片晶圆的实际bit产出，可能只是海外同行的50%，尤其是如果对比DDR5，长鑫的单片晶圆bit密度大概只有同行的40%。2. 目前长鑫的bit密度大概是海外同行2016-2018年的水平（下图），差距是6-8年，过去几年这一差距也没有缩小太多（海外DDR已经进入EUV微缩轨道）
3. 长鑫去年发布了LPDDR5，但B行认为到2025年之前都不会进入市场。海外拆机发现的CXMT芯片主要是DDR4/LPDDR4，客户也主要是ZTE的机顶盒、中国印度的低端智能机（小米vivo传音）等等中国OEM。在高端应用比如服务器中尚未发现。4. B行业认为，目前的DDR5/LPDDR5都是1y以上制程，而CX目前卡在了18nm正好处于1x 1y之间。如果CX基于此能实现DDR5的量产，将是海外巨头都没有做到的事情，可能性较低。因此CX主要冲击的还是低端的DDR4市场，而这个市场随着D4-D5的迁移，逐渐缩小。看完他们的报告，感觉NAND是堵不住了，所谓“制裁”的边际效果不会增加太多，而冲击的也主要是韩国人。DRAM的追赶难度更大，对美国意义更重要，不仅仅因为镁光这家美国公司，美国今天继续制裁半导体最终目的是AI，至少现阶段加速计算的核心在HBM，而HBM对我们来说的“山”不是TSV而是前道DDR5。但规模化、自主化、服务器企业级、满足HBM标准的DD5，目前看来道阻且长，预计老美这次会把相关领域进一步“做实”。好在这玩意终究是个Commodity（HBM所用D5略有不同，但对晶圆厂产能差别不大），一旦cycle周期向下，产能过剩，通货想拦也拦不住...这一点和业内人士确认了下，至少到HBM4依然会有标品，可以通卖。往后HBM5走到什么样的定制化程度不知道，但也是几年以后的事儿了。上述两篇报告已上传星球，还有一篇techinsight的拆机报告。昨晚更新了对A股下跌的交易台分析，结果今天被传的到处都是...
