新微半导体推出850nm 10G VCSEL工艺平台，面向广泛的数通应用

该工艺平台采用先进的外延和制造工艺，确保了生产的芯片可以在高温环境下稳定的工作和保持优异的光束质量，满足了客户高标准的性能要求。10G 850nm VCSEL工艺平台代工产品展现出卓越的性能：驱动电流仅为6mA，输出功率高达2.4mW，波长稳定性强，3dB带宽大于12GHz。这些特性使得该平台代工芯片非常适用于TO封装及非气密的COB封装，为光通信模块的多样化设计提供了坚实的基础。在可靠性方面，该工艺平台已经通过2000小时的加速老化可靠性认证，等效于全天工作的条件下寿命远大于20年，不仅满足了高速数据传输的需求，同时也保证了传输的稳定性和可靠性。

特别值得一提的是，850nm 10G VCSEL工艺平台的面发射特性，使得激光垂直于产品顶面射出，这一结构优势更易于实现二维平面和光电集成，为构建大规模光电子集成电路提供了可能。此外，VCSEL的圆形光束和低发散角，进一步提高了与光纤的有效耦合效率，助力通信系统的整体性能提升。

850nm 10G VCSEL LIV曲线图

850nm 10G VCSEL工艺平台产品

新微半导体拥有国际主流4吋、6吋GaAs VCSEL晶圆代工生产线，提供包括850nm 10G VCSEL在内的丰富的VCSEL工艺平台，可为客户提供从芯片制造、芯片切割分选和芯片测试的全流程代工服务。

850nm 10G VCSEL工艺平台的推出，满足了市场对于高速光通信产品代工的需求，随着5G、云计算、大数据和物联网等新一轮技术的商业化应用，用户对光通信网络的带宽提出了更高的要求，光电行业市场迎来了新的增长机遇，驱动光电行业向高速率化和集成化方向发展。新微半导体将抓住机遇，不断拓展和制定更多的从外延到制造的代工解决方案，满足不同客户的需求，并为行业的发展贡献一份力量。