俄罗斯莫斯科的泽列诺格勒纳米中心完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发，即将批量投产。俄罗斯已披露将在2024年生产350nm光刻机，2026年生产130nm光刻机。谢尔盖·索比亚宁公布了俄罗斯国产光刻机的实物照片，强调这是俄罗斯迈向微电子国产化、技术独立的重要一步。俄罗斯光刻机采用固体激光器，具有功率大、能效高等优势，可制造200mm直径晶圆。我国中科院也在研发DUV激光光源技术，有望实现更先进的工艺节点。
俄罗斯计划在2024年生产350nm光刻机，在2026年生产130nm光刻机，并已跻身全球能制造此类半导体设备的少数国家之一。
俄罗斯光刻机使用固体激光器作为光源，具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势，工作区域面积达到22x22毫米，最大可制造200mm直径晶圆。
我国中科院研发成功的DUV激光光源技术基于固态设计，有望推进至3nm节点，但仍存在功率、频率偏低的不足。
俄罗斯已经掌握65nm工艺制造技术，但目前仍依赖国外进口设备。同时，俄罗斯正在继续推进130nm光刻机的研发工作，并预计明年完成。未来，俄罗斯也为65nm国产化做准备。
出处：快科技 作者：上方文Q
莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁(Sergei Sobyanin)公开宣布，来自莫斯科的泽列诺格勒纳米中心(Zelenograd Nanotechnology Center)，已经完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发工作，即将批量投产。
早在2023年，俄罗斯就披露，将在2024年生产350nm光刻机，2026年生产130nm光刻机，承担这些任务的包括莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡、新西伯利亚的多家工厂。
2024年5月，俄罗斯披露已完成第一台国产光刻机的组装，并正在测试，可生产350nm芯片。
谢尔盖·索比亚宁现在公布了俄罗斯国产350nm光刻机的第一张实物照片。
他强调：“全球有能力制造这种半导体关键设备的国家不足10个，俄罗斯已经跻身其中。这是俄罗斯迈向微电子国产化、达成技术独立的关键一步。”
据他披露，
俄罗斯的光刻机和外国类似设备截然不同，没有使用汞灯作为光源，而是首次使用固体激光器，具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势。
同时，
俄罗斯光刻机的工作区域面积达到了22x22毫米，最大可制造200mm直径晶圆。
值得一提的是，
我国中科院研发成功的DUV激光光源技术，也是完全基于固态设计
，有望推进至3nm节点，只是目前还存在功率、频率偏低的不足。
350nm工艺看起来很落后，但依然可以满足汽车、能源、通信等领域的部分需求，而且
俄罗斯正在继续推进130nm光刻机的研发工作，预计明年即可完成。
另外，
俄罗斯已经掌握65nm工艺制造技术，但依赖国外进口设备，目前也正在为65nm国产化做准备。
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