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行业专题 | 中国光刻机崛起！

六里投资报 · 公众号 · · 2024-10-10 19:30

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【免责声明】Gangtise行业专题，依托于Gangtise丰富数据资源，结合AI人工智能技术生成内容并加以整合而成。本报告旨在为读者提供行业趋势的参考视角，其内容仅供大家参考，不作为任何投资建议。

机构解析

中国在光刻机领域取得重大突破， 其参数与ASML 1460K 和 Nikon S322F 接近。65nm ArF 光刻机参数对标国际先进水平 ，标志着中国光刻机技术迈向自主可控的重要xi一步，中国在DUV光刻机领域也取得了重大突破。

1. 65nm工艺优势

65nm工艺成熟先进，良率高，产量大，设计平台成熟可靠，广泛应用于射频器件生产。
相比90nm工艺，65nm工艺元件密度更高，整合性更好，性能更强。

2. 套刻精度 的重要性

套刻精度是衡量光刻机性能的关键指标，决定了芯片的良率和性能。
随着工艺节点减小，套刻精度要求更高，对设备和技术的要求也更高。

3. 不同型号光刻机的关键参数

65nm ArF 光刻机： 分辨率≤65nm,套刻≤8nm
ASML 1460K ArF 光刻机：波长 193nm,分辨率≤65nm,套刻精度 3.5/5.0nm,产量≥205wph
Nikon S322F ArF 光刻机： 波长 193nm(134nm),分辨率≤65nm，套刻精度 2.0/5.0nm，产量≥230wph
ASML NXT 1980Di 光刻机 ：OPO≤3.5nm,DCO≤1.6nm.MMO≤2.5nm

A证券: 光刻机是集成电路制造的核心环节，其发展受到光源波长、数值孔径、工艺系数和机台四轮驱动的影响。

目前，ASML、尼康和佳能占据全球光刻机市场的主导地位，其中ASML为EUV光刻机的独家供应商。

2 023年全球光刻机出货量达到681台，同比增长21.82%，预计2024年全球半导体制造设备销售额将恢复增长，达到1240亿美元 。

中国市场是全球最大的半导体设备市场，2023年设备支出同比增长29%，达到366亿美元。

中国晶圆厂数量位居全球第一，预计到2024年底将新建50座大型晶圆厂，这将进一步推动光刻机需求的增长。

此外，人工智能等新兴技术的发展也将为半导体行业带来新的增长动力，预计到2030年全球半导体市场规模将达到万亿美元。

B证券: 国产DUV光刻机取得重大突破，ArF光刻机实现分辨率≤65nm和套刻≤8nm，标志着我国半导体设备技术取得重大进步。

华为和苹果分别发布了Mate XT非凡大师和iPhone 16系列等新品，有望带动消费电子行业景气度上行。

电子行业当前供需处于底部平衡回暖阶段，行业估值处于历史低位，建议关注AIOT、AI驱动、设备材料、消费电子周期筑底板块四大投资主线。

机构评价

1. 光刻机产业现状：

市场格局：ASML 独家供应 EUV 光刻机，KrF 和 i-line 光刻机为主要需求类型。

需求增长：新建晶圆厂、产线扩产和下游需求推动光刻机需求增长，中国预计至 2024 年底建立 50 座大型晶圆厂。

技术革新：产学研合作推动技术革新，ASML 与上下游龙头公司紧密合作，Nikon 和 Canon 也积极发展新技术。

2. 光刻机技术发展：

核心因素：分辨率取决于光源波长、数值孔径和光刻工艺因子。

光源： EUV 光源为未来趋势，LLP光源稳定且碎屑量低，适用于大规模量产。

高功率和转换效率是关键，液滴Sn靶和预脉冲技术提高转换效率。

Cymer和Gigaphoton垄断市场，科益虹源弥补技术空白，SSMB技术有望实现弯道超车。

数值孔径：数值孔径越大，分辨率越高。从“双腰”到“单腰”，引入非球面镜片和折反式结构，浸没式光刻提供更大焦深。

光刻工艺： OPC 和 SMO 技术补偿光学邻近效应误差，MPT 技术实现图形密度加倍，ILT 技术反推调整参数。

双工作台系统：精确对准和产能提升的关键。

3. 机遇和挑战：

机遇：美国制裁凸显自主可控重要性，中国光刻机产业快速发展，部分厂商在核心技术领域取得突破。

挑战：核心技术仍被国际巨头垄断，高端光学元件制造技术是短板。

4. 风险提示：

技术研发风险：光刻机技术难度极高，研发周期长，存在技术突破失败的风险。

宏观经济和行业波动风险：半导体行业周期性波动较大，宏观经济环境变化可能影响行业发展。

国际贸易摩擦风险：国际贸易摩擦可能导致技术封锁和供应链中断，影响中国光刻机产业发展。

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