文章主要围绕研讯社关于工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中的光刻机事件进行解析。文章中提到了光刻机的重要性和市场认知度、国产光刻机的替代情况、事件信号的意义等关键点。
虽然事件发布时间很重要,但在A股市场,题材往往在市场认识到其重要性时开始炒作。因此,增量信息时间不是板块上涨的决定性因素,事件本身和市场的认知才是关键。
被纳入推广名单的光刻机属于中端技术,是二代光刻机,虽然不能直接用于生产高端芯片,但具有较高的商业价值,并且标志着国产先进光刻机进入落地阶段。
进入推广目录意味着国产链条已经完全打通,这一块的进口份额将迅速清零,实现全国产。同时,这也是国内光刻机技术进步的标志性事件,对于提升国内光刻机的预期和推动后续研发具有积极意义。
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——研讯社
假期讨论最多的一个事件:9月9日,工信部发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,国产
KrF
氟化氪光刻机(照明波长248nm、分辨率110nm)以及
ArF
氟化氩光刻机(照明波长193nm、分辨率65nm)列于其中。
1. 关于事件发布时间,不是假期新发的,而是一周前发的,这是被踩得比较多的一点。但实际上,在A股市场,
经常有题材不是在消息出来的第一时间炒作,而是在市场“认知到这个事件重要的时候”开始炒作,
比如最近的一波“华为海思”,发
布
会早就预告了。增量信息时间是重要,但不是板块上涨的决定性因素,事件本身和市场的认知才是关键。
2. 这次的光刻机属于中端,在被纳入推广名单之后,将迅速开启全面国产替代。
一代-紫外光源UV光刻机:使用g线(436nm)和i线(365nm)光源,适用于较早期的集成电路制造。
二代-深紫外DUV光刻机:引入了KrF(248nm)和ArF(193nm)准分子激光光源,分辨率更高,支持更小的特征尺寸。
三代-浸没式DUV光刻机:在ArF光源的基础上,通过使用浸没液体(如水)来降低等效波长,提高分辨率,支持45nm及以下工艺节点。
四代-极紫外EUV光刻机:使用13.5nm波长的光源,能够实现更高的分辨率,支持7nm及以下工艺节点,是当前最先进的光刻技术。
五代-高数值孔径(High-NA)EUV光刻机:正在研发中,旨在通过提高光学系统的数值孔径(NA)来进一步提升分辨率和成像质量。
目前高端主要是指能一次曝光生产28nm以上芯片的光刻机,也就是三代、四代光刻机,生产7nm手机芯片就要用到这些光刻机,
而这次进入目录的是二代光刻机,
属于中端,尽管不能用来生产比如华为手机现在用的7nm芯片,但依然有较高的商业价值,二代光刻机依然占据超过一半的销量份额,并且这次的ArF光刻机能够支持更先进的工艺节点,通过多重曝光也能实现28nm。
另外
最重要的是,进入推广目录就意味着国产链条已经完全打通,这一块的进口份额将迅速清零,完全实现全国产。
3.
信号意义重大,标志着国产先进光刻机进入落地阶段,
提升了国产光刻机的预期。
首先,在此之前仍
然有
部分声音认为国内别说EUV了,连DUV光刻机都造不出来,现在推广目录的落地彻底打破“国内造不出光刻机”的刻板论调,这次的二代光刻机就是很好的开始,起步不低。
其次,国内核心项目通常都是公示一代、测试一代、预研一代,能公示二代,说明三代、四代都在规划研发中了,上周讨论的发明专利公示就是关于EUV(极紫外线)光刻机的光源的,也就是四代光刻机。
最后值得一提的是,
上周刚刚解读过,近期光刻机外部事件比较多,尤其是荷兰跟进美国对光刻机出口施加进一步限制,这个时候发布推广目录可能也有其他的考虑,光刻机的国产替代更坚定了