SiC|美国美高森美公司推出军事宇航电极控制用SiC MOSFET功率模块，具有超低电感、大电流和低导通电阻等优点

美国美高森美（Microsemi）公司推出SP6LI碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率模块，适用于军事、宇航、工业、汽车和医疗领域中开关电源和电机控制。

图为SP6LI MOSFET

该功率模块所用封装专为SP6LI产品系列而研发，适用于SiC MOSFET技术，支持大电流、高开关频率以及高效率，具有紧凑的外形尺寸，帮助客户进一步减小设备的尺寸。

该产品系列有五款型号，具有超低电感、大电流和低导通电阻等优点，杂散电感低至2.9纳亨，导通电阻可低至2.1毫欧/开关，采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管组成的拓扑结构，电压范围从1200V（@210-586A、80 ℃壳温 ）到1700V（@207A、80 ℃壳温 ）。

该产品系列包含一个内部热敏电路用于温度控制；包含用于信号和功率互联的用螺钉固定的终端，以及隔离的高导热能力的衬底来改进热性能，该衬底默认是氮化铝，也可选氮化硅；可以用AlSiC替代标准的铜基板以实现更高功率循环能力。